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IR推出業(yè)內(nèi)首個(gè)雙輸出兩相直流--直流功率模塊

功率半導(dǎo)體領(lǐng)袖國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出業(yè)內(nèi)首批雙輸出兩相直流-直流功率模塊，針對(duì)同步降壓應(yīng)用，采用單一和易于使用的BGA 封裝。新器件能簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)、縮減尺寸和加快計(jì)算和電信電源系統(tǒng)的上市時(shí)間。如今，先進(jìn)的電信、網(wǎng)絡(luò)及服務(wù)器系統(tǒng)在系統(tǒng)板上的電壓通路數(shù)量多達(dá)六個(gè)。隨著信息處理需求的增加，電壓通路必須增大其電流容量。全新iPOWIR iP1201和iP1202功率模塊，可幫助計(jì)算機(jī)及電信設(shè)計(jì)員通過(guò)單一器件提供兩個(gè)獨(dú)立的電壓通路，從而簡(jiǎn)化了電源設(shè)計(jì)。與分立器
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IR全新DSCC規(guī)格線性電壓調(diào)節(jié)器

功率半導(dǎo)體領(lǐng)袖國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng) IR) 推出采用高密度、密封式封裝的全新大電流、超低壓降 (ULDO) 線性電壓調(diào)節(jié)器系列，適用于軍品應(yīng)用。全新調(diào)節(jié)器具有0.43V 至 0.6V 典型壓降特性。低壓降意味著低功耗，正好符合軍用及商用飛機(jī)、地面交通工具、雷達(dá)等功率受限應(yīng)用的要求。ULDO 直流-直流調(diào)節(jié)器件具有低紋波和噪音，以及1% 的調(diào)節(jié)容差，特別適用于要求快速瞬態(tài)反應(yīng)及輸出電壓 +20V 和 +1.8V 之間的低電壓負(fù)載點(diǎn)數(shù)字母線應(yīng)用。先進(jìn)的 PC
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IR為無(wú)感應(yīng)器電機(jī)控制推出全新集成設(shè)計(jì)平臺(tái)

功率半導(dǎo)體專(zhuān)家國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出一款全新集成設(shè)計(jì)平臺(tái)，適用于永磁電機(jī)的無(wú)感應(yīng)器控制。這是IR的iMOTION專(zhuān)用設(shè)計(jì)平臺(tái)系列的第二批產(chǎn)品，能為高速軸徑及其他需要精確控制的機(jī)械提供電機(jī)控制。新集成設(shè)計(jì)平臺(tái)包括所有硬件和軟件，加上經(jīng)驗(yàn)證的模擬及功率級(jí)設(shè)計(jì)?；旌闲盘?hào)芯片組與控制算法合并設(shè)計(jì)，有助簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)、大幅降低整體制造成本，并大大縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。IRMCS203開(kāi)發(fā)系統(tǒng)融合Accelerator可配置控制引擎技術(shù)，當(dāng)中采用的專(zhuān)有無(wú)感應(yīng)器算法只需
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IR全新PlugNDrive集成功率模塊為家電簡(jiǎn)化電機(jī)驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)

功率半導(dǎo)體專(zhuān)家國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出IRAMS10UP60A PlugNDrive集成功率模塊，有助簡(jiǎn)化家用電器及輕工業(yè)應(yīng)用系統(tǒng)中的變速電機(jī)控制電路。新功率模塊屬于IR iMOTION集成設(shè)計(jì)平臺(tái)系列，它把一個(gè)三相逆變器功率平臺(tái)、柵驅(qū)動(dòng)器及輔助電路，融合于緊湊、性能強(qiáng)勁的絕緣式封裝內(nèi)。目前，有越來(lái)越多家電制造商在產(chǎn)品內(nèi)裝設(shè)電子控制式變速電機(jī)，以實(shí)現(xiàn)省電節(jié)能之效，最高可節(jié)省30% 能源之多。新模塊的額定電流為10A，是特別為洗衣機(jī)、室內(nèi)空調(diào)及商用
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IR推出絕緣型Co-Pack封裝NPT IGBT 提高變速電機(jī)驅(qū)動(dòng)器性能

功率半導(dǎo)體專(zhuān)家國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出全新600V非穿通型 (NPT) IGBT，它們采用TO-220全絕緣型封裝 (Full-Pak)，絕緣能力保證不低于2kV。新器件與IR新一代超快軟恢復(fù)二極管組合封裝，采用IR先進(jìn)的薄硅片工藝制造。新工藝可增強(qiáng)電及熱性能，有助降低傳導(dǎo)損耗，卻不增加開(kāi)關(guān)損耗。全新IGBT是IR專(zhuān)為電機(jī)控制而設(shè)計(jì)的iMOTION集成設(shè)計(jì)平臺(tái)系列的一部分。新器件的工作結(jié)溫高達(dá)175°C，標(biāo)準(zhǔn)工作范圍比同類(lèi)產(chǎn)品高出20%。另外，它們
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IR推出全新直流總線轉(zhuǎn)換器芯片組

功率半導(dǎo)體專(zhuān)家國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出首個(gè)直流總線轉(zhuǎn)換器芯片組系列，重新定義用于電信及網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)的48V輸入、150W基板安裝功率轉(zhuǎn)換器的分布式電源架構(gòu)。IR的直流總線轉(zhuǎn)換器芯片組架構(gòu)為整體效率、功率密度和簡(jiǎn)易性建立了全新基準(zhǔn)，能在小于1.7平方英寸電路占位上，于20A/150Wout條件下提供96%以上的效率。與業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的四分一磚設(shè)計(jì)相比，該芯片組能節(jié)省53%的體積，并可將隔離式轉(zhuǎn)換器的元件數(shù)目由約50個(gè)大幅縮減至20個(gè)。全新芯片組包含一個(gè)IR20
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IR全新MOSFET具備快速本體二極管特性

功率半導(dǎo)體專(zhuān)家國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出全新600V HEXFET功率MOSFET系列，新器件具備快速本體二極管特性，專(zhuān)為零電壓開(kāi)關(guān) (ZVS) 電路等軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用度身訂造。ZVS技術(shù)能在開(kāi)關(guān)式電源 (SMPS)電路中實(shí)現(xiàn)最大效率，并能提高功率輸出，適用于當(dāng)今效率和可靠性極為重要的高速、寬帶電信及數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)。最新L系列HEXFET MOSFET由于具備快速本體二極管特性，因此無(wú)需在ZVS電路中添置額外肖特基及高壓二極管，減少了元件數(shù)目，節(jié)省了電路空間
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IR推出性能經(jīng)改良的電子繼電器

功率半導(dǎo)體專(zhuān)家國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出全新PVT412A微電子繼電器 (MER) 系列。與早前面世的PVT412 MER系列相比，新器件在 ±400V阻斷條件下的負(fù)載電流性能高出兩倍，器件通態(tài)電阻低出1/4，因此更具效率且性能更加穩(wěn)定。全新MER可取代機(jī)電式繼電器，大大增加了操作壽命及可靠性，且體積更小、敏感度更高。它們不僅具有無(wú)彈跳 (無(wú)噪音) 切換功能，還能實(shí)現(xiàn)更低起動(dòng)電流，以及高水平抗沖擊與振動(dòng)性能，有助降低功耗。IR中國(guó)及香港銷(xiāo)售總監(jiān)嚴(yán)國(guó)富
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IR公布2003財(cái)年第四季度業(yè)績(jī)

功率半導(dǎo)體專(zhuān)家國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 公布2003財(cái)年第四季度業(yè)績(jī)，季內(nèi)營(yíng)業(yè)收益為2.284億美元，不包括早前公布有關(guān)遣散及重組活動(dòng)的開(kāi)支，模擬凈收入為1540萬(wàn)美元 (或每股 0.24美元)。公司去年同季的凈收入為1610萬(wàn)美元 (或每股 0.25美元)，營(yíng)業(yè)收益則為2.01億美元。計(jì)入共380萬(wàn)美元的遣散及重組開(kāi)支后，IR第四季度的凈收入為1320萬(wàn)美元 (或每股 0.20美元)。IR第四季度的營(yíng)業(yè)收益在預(yù)定指標(biāo)上端，比上季度增加超過(guò)6%，比去年同
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IR全新16A額定集成功率模塊簡(jiǎn)化電機(jī)驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)且節(jié)能

功率半導(dǎo)體專(zhuān)家國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 在其PlugNDrive集成功率模塊系列中推出新成員IRAMX16UP60A，全面簡(jiǎn)化變速電子電機(jī)控制電路。最新16A額定IRAMX16UP60A模塊能為電子控制變速電機(jī)降低多達(dá)30%的能耗，并專(zhuān)為750W至1.2kW變速電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用而設(shè)計(jì)，如室內(nèi)空調(diào)系統(tǒng)、商用冷藏柜及大容量洗衣機(jī)。新功率模塊屬于IR iMOTION集成設(shè)計(jì)平臺(tái)系列一部分，將一個(gè)三相逆變器功率平臺(tái)、柵驅(qū)動(dòng)器和輔助電路結(jié)合在小巧的高性能絕緣型封裝
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IR推出絕緣型Co-Pack封裝NPT IGBT 提高變速電機(jī)驅(qū)動(dòng)器性能

功率半導(dǎo)體專(zhuān)家國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出全新600V非穿通型 (NPT) IGBT，它們采用TO-220全絕緣型封裝 (Full-Pak)，絕緣能力保證不低于2kV。新器件與IR新一代超快軟恢復(fù)二極管組合封裝，采用IR先進(jìn)的薄硅片工藝制造。新工藝可增強(qiáng)電及熱性能，有助降低傳導(dǎo)損耗，卻不增加開(kāi)關(guān)損耗。全新IGBT是IR專(zhuān)為電機(jī)控制而設(shè)計(jì)的iMOTION集成設(shè)計(jì)平臺(tái)系列的一部分。新器件的工作結(jié)溫高達(dá)175°C，標(biāo)準(zhǔn)工作范圍比同類(lèi)產(chǎn)品高出20%。另外，它們
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IR全新MOSFET具備快速本體二極管特性有效增強(qiáng)零電壓開(kāi)關(guān)操作

功率半導(dǎo)體專(zhuān)家國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出全新600V HEXFET功率MOSFET系列，新器件具備快速本體二極管特性，專(zhuān)為零電壓開(kāi)關(guān) (ZVS) 電路等軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用度身訂造。ZVS技術(shù)能在開(kāi)關(guān)式電源 (SMPS)電路中實(shí)現(xiàn)最大效率，并能提高功率輸出，適用于當(dāng)今效率和可靠性極為重要的高速、寬帶電信及數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)。最新L系列HEXFET MOSFET由于具備快速本體二極管特性，因此無(wú)需在ZVS電路中添置額外肖特基及高壓二極管，減少了元件數(shù)目，節(jié)省了電路空間
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IR推出性能經(jīng)改善良的電子繼電器

功率半導(dǎo)體專(zhuān)家國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出全新PVT412A微電子繼電器 (MER) 系列。與早先前面世的PVT412 MER系列相比，新器件在 ±400V阻斷條件下的負(fù)載電流性能高出兩倍，器件通態(tài)電阻低出1/4，因此更具效率且性能更加穩(wěn)定。全新MER可取代機(jī)電式繼電器，大大增加了操作壽命及可靠性，且體積更小、敏感度更高。它們不僅具有無(wú)彈跳 (無(wú)噪音) 切換功能，還能實(shí)現(xiàn)更低起動(dòng)電流，以及高水平抗沖擊與振動(dòng)性能，有助降低功耗。IR中國(guó)及香港銷(xiāo)售總監(jiān)嚴(yán)國(guó)
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IR為交錯(cuò)降壓直流-直流轉(zhuǎn)換器推出XPhase可擴(kuò)展性多相架構(gòu)

功率半導(dǎo)體專(zhuān)家國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出高度靈活和可擴(kuò)展的XPhase架構(gòu)，適用于需要一個(gè)或更多相位的多相交錯(cuò)降壓直流-直流轉(zhuǎn)換器。首個(gè)Xphase芯片組配備了IR3081控制集成電路及IR3086相位集成電路，可提供超出CPU電壓調(diào)節(jié)組件 (VRM) 或VRD/EVRD 10.0要求的高性能解決方案，適用于服務(wù)器和高端臺(tái)式電腦內(nèi)最先進(jìn)的微處理器。IR XPhase架構(gòu)有別于其它只能驅(qū)動(dòng)有限相位的多相方案，它提供可擴(kuò)展的多相設(shè)計(jì)，滿足先進(jìn)CPU瞬息萬(wàn)
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IR推出專(zhuān)攻高頻開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用的經(jīng)濟(jì)型大功率150kHz IGBT

功率半導(dǎo)體專(zhuān)家國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出全新WARP2 600V非穿透型 (NPT) IGBT，額定電流分50A、35A和20A三種。新器件的關(guān)斷性能經(jīng)特別改良，適用于電信和服務(wù)器系統(tǒng)中的大電流、高頻開(kāi)關(guān)電源電路。全新WARP2非穿透IGBT能以高于功率MOSFET的性能價(jià)格比，提供理想的性能和效率。這些IGBT與 HEXFRED二極管組合封裝，性能高于功率MOSFET中的集成體二極管。新器件采用TO-247及TO-220封裝。IR中國(guó)及香港銷(xiāo)售總監(jiān)
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