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半導(dǎo)體大佬撐腰之下 GaN功率半導(dǎo)體能取代MOSFET?

  • 2010年,供應(yīng)商發(fā)布了第一波基于GaN技術(shù)的功率半導(dǎo)體。但直到最近,這種產(chǎn)品的可用性依然不高,價(jià)格也高昂不下,GaN技術(shù)一直在尋找理想的應(yīng)用空間。隨著時(shí)間的推移,這些器件預(yù)計(jì)將逐步應(yīng)用到電動(dòng)汽車(chē)、移動(dòng)設(shè)備的快速充電適配器、無(wú)線充電和其他系統(tǒng)中,GaN基功率半導(dǎo)體器件正在電源市場(chǎng)上攻城拔寨。
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OptiMOS 5 150 V大幅降低導(dǎo)通電阻和反向恢復(fù)電荷

  •   英飛凌科技股份公司發(fā)布針對(duì)高能效設(shè)計(jì)和應(yīng)用的OptiMOS™ 5 150 V產(chǎn)品組合。該產(chǎn)品家族進(jìn)一步壯大了行業(yè)領(lǐng)先的最新一代OptiMOS™ 5功率MOSFET的陣容。新的150 V產(chǎn)品家族專門(mén)針對(duì)要求低電荷、高功率密度和高耐受性的高性能應(yīng)用而優(yōu)化。它是英飛凌面向低壓馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、通訊電源同步整流和DC/DC Brick同步整流,以及太陽(yáng)能電源優(yōu)化器等系統(tǒng)解決方案的重要組成部分之一。   更環(huán)保的技術(shù)   英飛凌堅(jiān)持不懈地研發(fā)適用于高能效設(shè)計(jì)的產(chǎn)品,以幫助減少全球二氧化碳排放
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東芝推出適用于移動(dòng)設(shè)備中負(fù)載開(kāi)關(guān)的業(yè)界領(lǐng)先低導(dǎo)通電阻N溝道MOSFET

  •   東芝公司旗下存儲(chǔ)與電子元器件解決方案公司今日宣布推出適用于智能手機(jī)和平板電腦等移動(dòng)設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)關(guān)的N溝道MOSFET,該產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的1]低導(dǎo)通電阻。新產(chǎn)品出貨即日啟動(dòng)。   新產(chǎn)品系列包括30V“SSM6K513NU”和40V“SSM6K514NU”。這些新MOSFET利用東芝最先進(jìn)的“U-MOS IX-H系列”溝道工藝,實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻:“SSM6K513NU”:6.5mOhm以及&
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SoC系統(tǒng)開(kāi)發(fā)人員:FinFET在系統(tǒng)級(jí)意味著什么?

  • 大家都在談?wù)揊inFET——可以說(shuō),這是MOSFET自1960年商用化以來(lái)晶體管最大的變革。幾乎每個(gè)人——除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜(FDSOI)的人,都認(rèn)為20 nm節(jié)點(diǎn)以后,F(xiàn)inFET將成為SoC的未來(lái)。但
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借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小工業(yè)元件占位面積

  •   近日在中國(guó)深圳,我遇到了一位在一家信息娛樂(lè)系統(tǒng)制造商任職的設(shè)計(jì)師。“您碰巧在設(shè)計(jì)中用過(guò)60V的負(fù)載開(kāi)關(guān)嗎?”我問(wèn)。他說(shuō)用過(guò),并告訴我他的電路板包含了大約10個(gè)30V-60V的小外形晶體管(SOT)-23,漏源導(dǎo)通電阻RDS(ON)通常100mΩ左右。“在這些電路板上,您有遇到過(guò)空間受限的問(wèn)題嗎?”我問(wèn)。他確實(shí)碰到過(guò),于是我向他展示TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技術(shù)信息,RDS(ON)不到60m&Omeg
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電壓高(120VP-P)的功率MOSFET放大器電路及工作原理

  • 電路的能功要使放大后的波形與輸入波形相似,放大電路必須采用對(duì)稱電路,而且有源元件的特性要一致。本電路就是波形失真小的放大電路,各級(jí)均為推挽對(duì)稱電路,可以獲得上升邊和下降邊時(shí)間常數(shù)基本相等的脈沖響應(yīng)以及
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高頻特性得到改善的功率MOSFET放大器電路及其工作原理

  • 電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器,其轉(zhuǎn)換速度比單級(jí)晶體管快,適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉(zhuǎn)換速度的激勵(lì)器,而且還在輸出級(jí)采用了MOSFET,使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負(fù)載。
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微芯有刷直流電機(jī)控制方案

  • 有刷直流電機(jī)通過(guò)電刷進(jìn)行換向。以下是關(guān)于有刷直流電機(jī)的一些關(guān)鍵點(diǎn):典型的轉(zhuǎn)子(也就是電樞)上有繞組,并且在其末端連有換向器電刷與換向部分連接和斷開(kāi),從而將能量傳遞到電樞永磁直流電機(jī)的定子(或外部機(jī)筒)將有
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被忽略的細(xì)節(jié):理解MOSFET額定電壓BVDSS

  •   看到這個(gè)主題,可能有些工程師會(huì)問(wèn):多少伏的功率MOSFET,耐壓BVDSS不就是多少伏嗎?這里面還有什么被忽略的內(nèi)容?細(xì)節(jié)決定技術(shù),今天研究功率MOSFET數(shù)據(jù)表中BVDSS所隱藏的一些有意思的細(xì)節(jié),來(lái)理解這個(gè)參數(shù)所設(shè)定的含義。   數(shù)據(jù)表中漏源擊穿電壓BVDSS通常定義為漏電流為250uA時(shí)漏極到源極的電壓,漏極到源極的漏電流表示為IDSS。數(shù)據(jù)表中標(biāo)稱BVDSS電壓是在柵極和源極S短路、25℃的工作溫度、漏極和源極不發(fā)生雪崩擊穿時(shí),所能施加的最大的額定電壓,測(cè)試的電路如圖1所示。關(guān)于雪崩擊穿問(wèn)題
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Fairchild發(fā)布具有一流效率和可靠性的SuperFET III MOSFET系列

  •   Fairchild,現(xiàn)在是安森美半導(dǎo)體的一部分,今天推出了其SuperFET® III系列,用于650V N溝道MOSFET,這是該公司新一代的MOSFET,可滿足最新的通信、服務(wù)器、電動(dòng)車(chē)(EV)充電器和太陽(yáng)能產(chǎn)品的更高功率密度、系統(tǒng)效率和優(yōu)越的可靠性要求。   SuperFET III MOSFET系列兼具一流可靠性、低EMI、卓越效率和優(yōu)異熱性能,是高性能應(yīng)用的理想之選。一流性能之外,該系列還提供了廣泛的封裝選擇,賦予了產(chǎn)品設(shè)計(jì)者更大的靈活性,特別是對(duì)于尺寸受限的設(shè)計(jì)。   Fair
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英飛凌800 V CoolMOS P7系列設(shè)立效率和散熱性能的新基準(zhǔn)

  •   英飛凌科技股份公司推出800 V CoolMOS™ P7系列。該800 V MOSFET基于超級(jí)結(jié)技術(shù),兼具出類拔萃的性能和優(yōu)異的易用性。這個(gè)新的產(chǎn)品家族非常適于低功率SMPS應(yīng)用,可完全滿足性能、易于設(shè)計(jì)和性價(jià)比等市場(chǎng)需求。它主要側(cè)重于反激式拓?fù)?,這種拓?fù)涑R?jiàn)于適配器、LED照明、音頻、工業(yè)和輔助電源等應(yīng)用。        800 V CoolMOS P7系列可將效率提高最多0.6%。比之CoolMOS C3,或者比之典型反激式應(yīng)用中測(cè)試的其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手產(chǎn)品,這相當(dāng)于將
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步進(jìn)電機(jī)的MOSFET管驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

意法半導(dǎo)體推出新款超結(jié)MOSFET和全球首款1500V TO-220FP 寬爬電間距封裝功率晶體管

  •   橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST)推出一系列采用TO-220 FullPAK (TO-220FP)寬爬電間距封裝的功率晶體管,其中包括采用防電弧封裝的全球首款1500V超結(jié)MOSFET。   電視和PC等設(shè)備常用的開(kāi)放式電源表面很容易聚集塵土和粉塵,導(dǎo)致功率晶體管引腳之間產(chǎn)生高壓電弧放電現(xiàn)象,TO-220FP寬爬電間距封裝是這類應(yīng)用功率晶體管的理想選擇。在使用2.54mm引腳間隔的常規(guī)封裝時(shí),需要鑄封、引線成形、套管或密封等特殊工
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IGBT是啥?看完這篇文章我不信你還不明白

  •   電的發(fā)現(xiàn)是人類歷史的革命,由它產(chǎn)生的動(dòng)能每天都在源源不斷的釋放,人對(duì)電的需求不亞于人類世界的氧氣,如果沒(méi)有電,人類的文明還會(huì)在黑暗中探索。   然而在電力電子里面,最重要的一個(gè)元件就是IGBT。沒(méi)有IGBT就不會(huì)有高鐵的便捷生活。        一說(shuō)起IGBT,半導(dǎo)體**的人都以為不就是一個(gè)分立器件(Power Disceret)嘛,都很瞧不上眼。然而他和28nm/16nm集成電路**一樣,是國(guó)家“02專項(xiàng)”的重點(diǎn)扶持項(xiàng)目,這玩意是現(xiàn)在目前功率電子器件里
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住在市區(qū)還是郊區(qū)?考慮采用轉(zhuǎn)換器或控制器調(diào)節(jié)大電流電壓

  •   一般來(lái)講,尋求更大生活空間的居民會(huì)放棄在市區(qū)附近生活。盡管住在市區(qū)上班方便,并能享受城市服務(wù),但他們更愿意搬到郊區(qū),因?yàn)槟抢锓孔痈?,院子更寬敞。同樣,?dāng)工程師需要大電流用于負(fù)載點(diǎn)(POL)設(shè)計(jì)時(shí),他們一般會(huì)放棄高密度轉(zhuǎn)換器(帶集成MOSFET)的便利,取而代之使用一個(gè)更復(fù)雜的涉及控制器(帶外部MOSFET)解決方案??刂破鳎c郊區(qū)環(huán)境相類似,具有相對(duì)的靈活性和經(jīng)濟(jì)性,但會(huì)占據(jù)更多不動(dòng)產(chǎn),更多的電路板空間。        直到最近,電流超過(guò)10-15A的應(yīng)用一般會(huì)依賴帶外部MOSF
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