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瑞晶將成臺第6家掛牌DRAM廠 爾必達是否釋股受注目
- 臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)暌違4年,2010年即將出現(xiàn)第6家上柜掛牌的DRAM新兵,爾必達(Elpida)旗下瑞晶計劃在2010年申請掛牌上柜,為枯木逢春的存儲器產(chǎn)業(yè)再添色彩!值得注意的是,目前爾必達對瑞晶持股達70%,申請掛牌前勢必要先釋股,持股降至50%以下,已傳出計畫引進策略聯(lián)盟伙伴的消息,產(chǎn)業(yè)上、下游供應(yīng)鏈都會是潛在的合作對象;存儲器業(yè)者分析,雖然日方希望爾必達能掌握瑞晶多數(shù)股權(quán),但若瑞晶未來可以獨立募資,這是對母、子公司都好的作法。 臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)共有6家DRAM廠,其中有5家已掛牌上市柜,1
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海力士2010年半導(dǎo)體生產(chǎn)開支將增加一倍
- 據(jù)《韓國時報》報道,內(nèi)存芯片廠商海力士半導(dǎo)體計劃在2010年向芯片生產(chǎn)投入大約2.3萬億韓元(約20億美元),比2009年的資本開支增加一倍。 這項開支有1.5萬億韓元(大約13億美元)用于DRAM內(nèi)存生產(chǎn),剩余的8000億韓元(約7億美元)用于NAND閃存和邏輯芯片的生產(chǎn)。 這篇報道引述消息靈通人士的話說,海力士看到了1GB DDR3內(nèi)存的需求超過了預(yù)期。這篇報道還預(yù)計海力士在2010年將在全球DRAM市場擴大領(lǐng)先于日本的Elpida公司的優(yōu)勢。
- 關(guān)鍵字: 海力士 DRAM 內(nèi)存芯片
臺美日DRAM廠連手 抗韓策略發(fā)酵
- 兩大韓系內(nèi)存廠三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)紛傳出將大幅調(diào)高2010年資本支出,繼三星預(yù)計投入30億美元擴產(chǎn)及制程微縮后,海力士2010年資本支出亦將倍增至20億美元,使得爾必達(Elpida)和美光(Micron)加緊腳步與臺系DRAM廠合作,盡管過去喊出的臺美日廠連手抗韓策略,在DRAM整合戲碼停擺后沒再被提起,但DRAM廠指出,實際上全球4大DRAM陣營板塊運動,仍按照臺美日廠連手抗韓局勢發(fā)展。 隨著三星和海力士都擴增2010年資本支出,隱約釋出對
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DRAM廠好光景可以延續(xù)到2013年 封測業(yè)價格調(diào)升有望
- DRAM景氣逐漸觸底反彈,相關(guān)業(yè)者預(yù)估2010年第2季DRAM每顆報價有機會落在2.2~2.5美元,不僅DRAM業(yè)者在2010~2011年大幅獲利,DRAM封測廠也有機會調(diào)漲代工價格,模塊廠的獲利能力則將由過去暴利回復(fù)到合理利潤,預(yù)期2010年DRAM產(chǎn)業(yè)將呈現(xiàn)上肥下瘦局面,DRAM好光景可望延續(xù)到2013年。 聯(lián)測科技總經(jīng)理徐英琳分析2010年第1季,預(yù)期存儲器景氣仍將延續(xù)2009年第4季榮景,預(yù)估2個季度景氣應(yīng)為持平,不像過去第1季的季節(jié)性循環(huán)會季減10%。就產(chǎn)品別而言,Nor Flash和
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爾必達內(nèi)存有望今年實現(xiàn)三年來的首次年度盈利
- 12月11日訊,據(jù)國外媒體報道,受到內(nèi)存需求大于供給的利好影響,日本最大的內(nèi)存生產(chǎn)企業(yè)爾必達內(nèi)存公司(Elpida Memory Inc)可能在2010年本財年結(jié)束時實現(xiàn)開業(yè)三年來首次出現(xiàn)年度贏利。 爾必達內(nèi)存公司首席執(zhí)行官坂本幸雄(Yukio Sakamoto)宣稱:“由于今年全球電腦市場對內(nèi)存需求大于供給,我們也將在本財年結(jié)束時首次實現(xiàn)年度盈利。” 日本東京Ichiyoshi投資管理公司的總裁秋野充(Mitsushige Akino)宣稱:“盡管這種
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DDR2仍未過時,但DDR3 將是2010 年的搖錢大樹
- 2009 年即將結(jié)束,DDR2 作為DRAM 市場之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問世,iSuppli 公司認為,它即將成為世界上最流行的內(nèi)存技術(shù)。 DDR2 還不算過時,而且未來一段時間之內(nèi)也不會過時,它的價格在過去數(shù)月大幅上漲。然而,DDR3 將是2010 年的搖錢大樹。 主要有兩個原因在推動產(chǎn)業(yè)向DDR3 過渡:英特爾新款處理器和制造工藝的成熟。 新款英特爾處理器 促進產(chǎn)業(yè)向DDR3 過渡的一個事實是,新款英特爾微處理器將需要DDR3 內(nèi)
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瑞薩SH-Mobile應(yīng)用引擎4打入GHz領(lǐng)域
- 瑞薩科技(以下簡稱瑞薩)宣布展開對其SH-Mobile應(yīng)用引擎4(SH73720)的抽樣調(diào)查。SH-Mobile應(yīng)用引擎4是一款基于ARM® Cortex™-A8*1的應(yīng)用引擎,最高工作頻率可達1GHz,適用于新一代手機和移動器件設(shè)計。該產(chǎn)品集成了各種專用處理引擎,具有終極多媒體功能,如全HD 1080p視頻錄制、30fps回放和高速3D圖形渲染,可實現(xiàn)復(fù)雜的3D UI和高級游戲體驗。SH-Mobile應(yīng)用引擎4采用了瑞薩得到廣泛市場認證的圖像信號處理器(ISP)技術(shù),并提供了先進
- 關(guān)鍵字: ARM 4G 瑞薩 SH-Mobile A8
DDR2仍未過時,但DDR3 將是2010 年的搖錢大樹
- 2009 年即將結(jié)束,DDR2 作為DRAM 市場之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問世,iSuppli 公司認為,它即將成為世界上最流行的內(nèi)存技術(shù)。 DDR2 還不算過時,而且未來一段時間之內(nèi)也不會過時,它的價格在過去數(shù)月大幅上漲。然而,DDR3 將是2010 年的搖錢大樹。 主要有兩個原因在推動產(chǎn)業(yè)向DDR3 過渡:英特爾新款處理器和制造工藝的成熟。 新款英特爾處理器 促進產(chǎn)業(yè)向DDR3 過渡的一個事實是,新款英特爾微處理器將需要DDR3 內(nèi)
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張忠謀:臺灣企業(yè)五年內(nèi)將面臨三大挑戰(zhàn)
- 臺積電董事長張忠謀日前表示,臺灣企業(yè)五年內(nèi)成本將面臨三大挑戰(zhàn),包括美元弱勢引起的新臺幣匯率挑戰(zhàn),石油等原物料價格上漲引發(fā)的通膨,還有減碳增加的環(huán)保稅負成本。 張忠謀只提到美元弱勢,并沒有說新臺幣有升值壓力,張忠謀認為,全球經(jīng)濟都在復(fù)蘇中,復(fù)蘇力道緩慢,盡管景氣慢慢復(fù)蘇,但張忠謀認為,企業(yè)近中程的三大挑戰(zhàn)相當嚴峻,所謂近中程大概是五年內(nèi),所以嚴峻因為是過去兩年、甚至十年沒遇見過。 第一個挑戰(zhàn)是匯率。張忠謀說,臺灣過去20年沒有遭遇很大的匯率挑戰(zhàn),但美元愈來愈弱,這會是一個趨勢,相對地新臺幣波
- 關(guān)鍵字: 臺積電 芯片代工 DRAM NAND
12月上旬合約價DRAM持平 Flash下跌
- 12月上旬的存儲器合約價格中,DRAM合約價意外持平開出,南亞科副總經(jīng)理白培霖表示,主要是個人計算機(PC)廠急單涌入之故;而 NAND Flash合約價格則反應(yīng)市場需求不佳,16Gb芯片價格下滑5~10%,32Gb芯片下跌2~6%,目前合約價格貼近現(xiàn)貨價格水平,下游存儲器業(yè)者都盡量減少庫存水位,以免營運被跌價的NAND Flash芯片庫存燙傷。 近期DRAM現(xiàn)貨價格持續(xù)反彈,1Gb容量DDR2價格從2美元反彈至2.5美元,屬于觸底反彈,然整個市場的交易量是相當有限,反倒是原本各界預(yù)期12月上旬
- 關(guān)鍵字: 南亞科 NAND DRAM
張忠謀:臺灣企業(yè)五年內(nèi)成本將面臨三大挑戰(zhàn)
- 12月9日消息,臺積電董事長張忠謀昨日表示,臺灣企業(yè)五年內(nèi)成本將面臨三大挑戰(zhàn),包括美元弱勢引起的新臺幣匯率挑戰(zhàn),石油等原物料價格上漲引發(fā)的通膨,還有減碳增加的環(huán)保稅負成本。 張忠謀只提到美元弱勢,并沒有說新臺幣有升值壓力,張忠謀認為,全球經(jīng)濟都在復(fù)蘇中,復(fù)蘇力道緩慢,盡管景氣慢慢復(fù)蘇,但張忠謀認為,企業(yè)近中程的三大挑戰(zhàn)相當嚴峻,所謂近中程大概是五年內(nèi),所以嚴峻因為是過去兩年、甚至十年沒遇見過。 第一個挑戰(zhàn)是匯率。張忠謀說,臺灣過去20年沒有遭遇很大的匯率挑戰(zhàn),但美元愈來愈弱,這會是一個趨勢
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TIMC案觸礁 施顏祥提出3大處理原則
- 在臺灣“立法院”受到空前阻力的「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案」幾乎確定無法過關(guān)之后,國發(fā)基金投資臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)也面臨停擺。“經(jīng)濟部”長施顏祥對此表示,“立法院”和社會各界對于國發(fā)基金投資TIMC有意見,“經(jīng)濟部”都聽到了。目前經(jīng)濟部對DRAM產(chǎn)業(yè)再造的僵局有3大處理原則,分別是調(diào)整 DRAM產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)、持續(xù)與立法委員溝通、思考新的替代方案。 施顏祥表示,臺灣每年支付DRAM技術(shù)母廠新臺幣200億
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爾必達蠶食臺12寸廠DRAM產(chǎn)能
- 日系DRAM大廠爾必達(Elpida)社長坂本幸雄再度訪臺,8日將與新策略聯(lián)盟伙伴茂德董事長陳民良聯(lián)合召開記者會,說明雙方合作代工細節(jié)。由于坂本幸雄過去慣常與力晶合作亮相,這次換成茂德,變化過程頗耐人尋味,爾必達2009年以來除拉攏茂德合作DDR3代工,亦與華邦電展開繪圖存儲器(GDDR)代工合作,日廠在臺灣存儲器領(lǐng)域勢力越來越龐大,不論臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)未來怎么走,爾必達可說是這場臺美日DRAM廠整并下的大贏家。 爾必達經(jīng)過2008年DRAM產(chǎn)業(yè)崩盤襲擊,2009年元氣逐漸恢復(fù)后,
- 關(guān)鍵字: Elpida DRAM DDR3
中國臺灣芯片公司改變策略應(yīng)對市場下滑危機
- 臺灣半導(dǎo)體生產(chǎn)商期望通過轉(zhuǎn)變策略來應(yīng)對電腦存儲芯片市場占有率下降帶來的挑戰(zhàn),但此舉可能導(dǎo)致它們?nèi)P退出核心業(yè)務(wù)。 由于芯片行業(yè)從2007年起陷入有史以來最嚴重的滑坡,南亞科技及臺灣力晶半導(dǎo)體股份有限公司(簡稱:力晶)等臺灣芯片行業(yè)的支柱公司已在虧損中掙扎了兩年多。盡管今年芯片價格出現(xiàn)反彈,但力晶和茂德科技(ProMOS Technologies Inc.)等公司仍處于貸款違約的邊緣。 與此同時,韓國和日本的競爭對手憑藉更先進、成本更低的生產(chǎn)技術(shù)持續(xù)發(fā)展壯大。 為應(yīng)對上述局面,臺資公司
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