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飛兆推出一款低側(cè)高雙功率芯片非對(duì)稱N溝道模塊

隨著功率需求增加以便為高密度嵌入式DC-DC電源提供更多的功能，電源工程師面臨著在較小的線路板空間提供更高功率密度和更高效率的挑戰(zhàn)。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 因而推出一款25V、3.3x3.3mm2低側(cè)高雙功率芯片非對(duì)稱N溝道模塊 FDPC8011S，幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對(duì)這一系統(tǒng)挑戰(zhàn)。
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恩智浦推出可實(shí)現(xiàn)高功率LED設(shè)計(jì)靈活性的GreenChip

　　新型純控制器降壓LED驅(qū)動(dòng)器成本優(yōu)勢(shì)明顯、效率傲視群雄　　中國上海，2012年5月7日訊 —— 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V.(NASDAQ：NXPI)今天宣布推出SSL2109，該款高效降壓控制器面向采用非隔離式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的高功率非調(diào)光型LED照明應(yīng)用。SSL2109 LED驅(qū)動(dòng)器IC與外部功率開關(guān)一同使用，為100V、120V和230V電源輸入電壓和最高25 W的功率范圍提供了單一的設(shè)計(jì)平臺(tái)。SSL2109提供了廣受歡迎的SSL2108x系列的
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Vishay新一代TrenchFET MOSFET再度刷新

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出其新一代TrenchFET? Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN。這四款器件皆采用了新型高密度設(shè)計(jì)，在4.5V下導(dǎo)通電阻低至1.35m?，Miller電荷Qgd低至1.8nC，采用PowerPAK? SO-8和1212-8封裝。
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飛兆半導(dǎo)體開發(fā)出一款智能高側(cè)開關(guān)系列

在現(xiàn)今的汽車應(yīng)用中，設(shè)計(jì)人員需要把大電流可靠和安全地引流到接地的阻性或感性負(fù)載，這類應(yīng)用包括：白熾燈、電機(jī)控制和加熱器件等?，F(xiàn)在要實(shí)現(xiàn)這一目的，設(shè)計(jì)人員不得不依賴分立式或機(jī)電式解決方案，或是受制于市場上數(shù)量有限的解決方案。
關(guān)鍵字：飛兆 MOSFET F085A

Vishay榮獲2012中國年度電子成就獎(jiǎng)

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，該公司的SiZ710DT 20 V n溝道PowerPAIR?功率MOSFET榮獲功率器件/電壓轉(zhuǎn)換器類別的2012中國年度電子成就獎(jiǎng)。
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET 轉(zhuǎn)換器

車用MOSFET：尋求性能與保護(hù)的最佳組合

工程師在為汽車電子設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)可能會(huì)遇到在設(shè)計(jì)任何電源應(yīng)用時(shí)都會(huì)面臨的挑戰(zhàn)。因?yàn)楣β势骷﨧OSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會(huì)使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
關(guān)鍵字： MOSFET 車用保護(hù) 性能

智能MOSFET驅(qū)動(dòng)器提升電源性能的設(shè)計(jì)方案

在電源系統(tǒng)中，MOSFET驅(qū)動(dòng)器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號(hào)轉(zhuǎn)換為高速的大電流信號(hào)，以便以最快的速度打開和...
關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動(dòng)器電源性能

IR推出一系列采用TSOP-6封裝系列產(chǎn)品

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列采用TSOP-6封裝、搭載IR最新低壓HEXFET MOSFET硅技術(shù)的器件，適用于電池保護(hù)與逆變器開關(guān)中的負(fù)載開關(guān)、充電和放電開關(guān)等低功率應(yīng)用。
關(guān)鍵字： IR MOSFET

技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價(jià)比更高的功率元件（二）

基板成本也較低采用β-Ga2O3制作基板時(shí)，可使用“FZ（floatingzone）法”及“EFG（edge-definedfilm-fed...
關(guān)鍵字：氧化鎵 SiC 功率元件 MOSFET LED

電源設(shè)計(jì)小貼士 43：分立器件――一款可替代集成 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的卓越解決方案

在電源設(shè)計(jì)小貼士 #42 中，我們討論了 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)電路中使用的發(fā)射器跟蹤器，并且了解到利用小型 SOT-23 晶體管便可以實(shí)現(xiàn) 2A 范圍的驅(qū)動(dòng)電流。在本設(shè)計(jì)小貼士中，我們來了解一下自驅(qū)動(dòng)同整流器并探討何時(shí)需要分
關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動(dòng)器卓越解決方案集成替代設(shè)計(jì) 分立器件

一款可替代集成 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的卓越解決方案

在電源設(shè)計(jì)小貼士#42中，我們討論了MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路中使用的發(fā)射器跟蹤器，并且了解到利用小型SOT-23晶體管...
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飛兆與英飛凌就創(chuàng)新型汽車無鉛封裝技術(shù)達(dá)成協(xié)議

飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技公司(Infineon Technologies)日前宣布已就英飛凌的H-PSOF (帶散熱片的小外形扁平引腳塑料封裝) 先進(jìn)汽車MOSFET封裝技術(shù)達(dá)成許可協(xié)議。H-PSOF是符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的TO無鉛(TO-LL) 封裝 (MO-299)。
關(guān)鍵字：飛兆英飛凌 MOSFET

英飛凌科技推出全新650V CoolMOS CFDA

英飛凌科技(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)推出全新650V CoolMOS CFDA，壯大其車用功率半導(dǎo)體產(chǎn)品陣容。這是業(yè)界首個(gè)配備集成式快速體二極管的超結(jié)MOSFET解決方案，可滿足最高汽車質(zhì)量認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101。650V CoolMOS CFDA尤其適用于混合動(dòng)力汽車和純電動(dòng)汽車的電池充電、直流/直流轉(zhuǎn)換器和HID(高強(qiáng)度放電)照明等諧振拓?fù)洹?/li>
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電源系統(tǒng)開關(guān)控制器的 MOSFET 選擇

DC/DC開關(guān)控制器的MOSFET選擇是一個(gè)復(fù)雜的過程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)定范圍以內(nèi)，必須在低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻之間取得平衡。在多負(fù)載電源系統(tǒng)中，這種
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Power Trench MOSFET讓更高功率密度成可能

引言對(duì)于現(xiàn)代的數(shù)據(jù)與電信電源系統(tǒng)，更高的系統(tǒng)效率和功率密度已成為核心焦點(diǎn)，因?yàn)樾⌒透咝У碾娫聪到y(tǒng)意味著...
關(guān)鍵字： Power Trench MOSFET

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mosfet 介紹

　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細(xì) ]