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飛兆與英飛凌簽署汽車級(jí)封裝工藝許可協(xié)議

英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)與飛兆半導(dǎo)體公司(NYSE: FCS)近日宣布簽署英飛凌先進(jìn)汽車級(jí)MOSFET封裝工藝H-PSOF(帶散熱盤的塑料小外形扁平引腳封裝)——符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的TO-Leadless封裝(MO-299)——的許可協(xié)議。
關(guān)鍵字：英飛凌飛兆 MOSFET

可編程大電流熱插拔控制

電路熱插拔控制的目的是為了在一塊正在工作的電路板上添加或“插入”一塊未通電的電路板，不會(huì)中斷原電路板正在進(jìn)行的工作狀態(tài)，并且同時(shí)啟動(dòng)添加到系統(tǒng)中的那塊電路板的有序上電。主要目的是為了當(dāng)電流轉(zhuǎn)入一塊插入到“正在工作”或帶電的背板或其他電路的電路板時(shí)，保護(hù)MOSFET器件。
關(guān)鍵字：熱插拔 MOSFET

MOSFET門極驅(qū)動(dòng)電壓的優(yōu)化

在同步降壓電源應(yīng)用中,降低MOSFET導(dǎo)通電阻對(duì)同步整流器而言十分關(guān)鍵,因?yàn)槎鄶?shù)情況下,快速恢復(fù)式整流電...
關(guān)鍵字： MOSFET 門極驅(qū)動(dòng) 電壓優(yōu)化

電源測(cè)試之-MOSFET開(kāi)關(guān)軌跡線的示波器重現(xiàn)方法

MOSFET的開(kāi)關(guān)軌跡線是判斷MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程“軟硬”程度的重要評(píng)估指標(biāo)，MOSFET的軟硬程度對(duì)于開(kāi)關(guān)電源的性能、...
關(guān)鍵字： TDS3000 示波器 MOSFET

2016年LED照明領(lǐng)域大功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將達(dá)30億美元

　　據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IMS Research的最新報(bào)告顯示，2016年，LED照明應(yīng)用領(lǐng)域的全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)將超過(guò)30億美元。　　報(bào)告認(rèn)為，隨著更高效照明需求的增長(zhǎng)以及淘汰白熾燈的法令的頒布，LED照明市場(chǎng)快速增長(zhǎng)，這將催生一個(gè)巨大的大功率LED潛在市場(chǎng)，到2016年，大功率LED出貨量將達(dá)190億個(gè)，總值超過(guò)30億美元。　　LED照明是大功率LED市場(chǎng)發(fā)展的最大機(jī)遇，到2016年將可帶動(dòng)20億美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)。市面上具有各種不同的電子設(shè)計(jì)、要求和規(guī)格的LED燈的產(chǎn)品范圍越來(lái)越廣，這也給大
關(guān)鍵字： LED照明 MOSFET

集成MOSFET驅(qū)動(dòng)器的全橋移相控制器-LM5046(四)

摘要：新推出的全橋移相控制器LM5046，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC／DC基本電路，內(nèi)部等效電路。而其具備28個(gè)PIN腳功能，文中一一有分解說(shuō)明。
關(guān)鍵詞：全橋移相控制器LM5046；28個(gè)PIN腳功能(上接第1
關(guān)鍵字：控制器 -LM5046 全橋移驅(qū)動(dòng)器 MOSFET 集成

IGBT和MOSFET器件的隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù)

1引言開(kāi)關(guān)電源中大功率器件驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)一向是電源領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)之一。普通大功率三極管和絕緣柵功...
關(guān)鍵字： MOSFET IGBT 隔離驅(qū)動(dòng) 光電耦合器脈沖變壓器

Alpha MOS在PFC應(yīng)用中的注意事項(xiàng)與設(shè)計(jì)要點(diǎn)

Super-junction類型的高壓功率MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻，因此在通信電源，服務(wù)器電源，電源適配器以及臺(tái)式電腦電...
關(guān)鍵字： Super-junction PFC MOSFET

[組圖]800瓦M(jìn)OSFET功放

800瓦M(jìn)OSFET功放功放適合大功率的AV場(chǎng)合，看看參數(shù)吧：頻響寬度：10HZ--100KHZ失真度（8歐姆100W輸出時(shí)）：0 ...
關(guān)鍵字： MOSFET 功放

Diodes MOSFET使電源供應(yīng)器超越“能源之星”效率目標(biāo)

Diodes公司推出ZXGD3105N8同步MOSFET控制器，讓反激式電源設(shè)計(jì)師能以MOSFET替換低效率的肖特基整流器，作為理想驅(qū)動(dòng)二極管。同時(shí)，ZXGD3105N8還能使機(jī)頂盒取得少于100mW的待機(jī)功耗，以及逾87%的滿載效率。
關(guān)鍵字： Diodes 控制器 MOSFET

功率MOSFET抗SEB能力的二維數(shù)值模擬

摘要：在分析了單粒子燒毀(SEB)物理機(jī)制及相應(yīng)仿真模型的基礎(chǔ)上，研究了無(wú)緩沖層MOSFET準(zhǔn)靜態(tài)擊穿特性曲線，明確了影響器件抗SEB能力的參數(shù)及決定因素。仿真研究了單緩沖層結(jié)構(gòu)MOSFET，表明低摻雜緩沖層可提高器件負(fù)
關(guān)鍵字：二維數(shù)值模擬能力 SEB MOSFET 功率

智能MOSFET提高醫(yī)療設(shè)計(jì)的可靠性同時(shí)提升性能

智能MOSFET提高醫(yī)療設(shè)計(jì)的可靠性同時(shí)提升性能,所有的醫(yī)療應(yīng)用在要求高可靠性的同時(shí)仍然要為最終用戶提供所需的技術(shù)進(jìn)步。由于各醫(yī)療設(shè)備公司間競(jìng)爭(zhēng)激烈，他們的最終應(yīng)用、功能急劇增加，但是沒(méi)有考慮到另外一個(gè)可能的失效點(diǎn)的影響。在所有這些點(diǎn)都需要電源，并且
關(guān)鍵字： MOSFET 醫(yī)療設(shè)計(jì) 可靠性性能

羅姆推出高耐壓功率MOSFET

日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社(總部：日本京都市)面向太陽(yáng)能發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器市場(chǎng)，開(kāi)發(fā)出實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)頂級(jí)低導(dǎo)通電阻的高耐壓功率MOSFET“R5050DNZ0C9”(500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)。
關(guān)鍵字：羅姆電阻 MOSFET

瑞薩電子宣布推出低功耗P通道MOSFET

全球領(lǐng)先的高級(jí)半導(dǎo)體和解決方案的供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社(以下簡(jiǎn)稱“瑞薩電子”)今天宣布推出包含五款低功耗P通道功率金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)系列產(chǎn)品，包括用于筆記本電腦中鋰離子(Li-ion)二級(jí)電池的充電控制開(kāi)關(guān)和與AC適配器進(jìn)行電源轉(zhuǎn)換的電源管理開(kāi)關(guān)等用途進(jìn)行最佳化的μPA2812T1L。
關(guān)鍵字：瑞薩電子 MOSFET μPA2812T1L

飛兆單一P溝道具有小體積和低導(dǎo)通阻抗

飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 現(xiàn)為手機(jī)和其它超便攜應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員提供一款P溝道PowerTrench MOSFET器件，滿足其對(duì)具有出色散熱性能的小尺寸電池或負(fù)載開(kāi)關(guān)解決方案的需求
關(guān)鍵字：飛兆 MOSFET

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mosfet 介紹

　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細(xì) ]