mosfet 文章進(jìn)入mosfet 技術(shù)社區(qū)

Vishay推出4款MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET®技術(shù)延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。　　新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET FET

英飛凌推出200V和250V OptiMOS系列器件

　　英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，進(jìn)一步擴(kuò)大OptiMOSTM產(chǎn)品陣容。全新200V和250V器件適用于48V系統(tǒng)、DC/DC變換器、不間斷電源(UPS)和直流電機(jī)驅(qū)動。憑借同類器件中最低的優(yōu)質(zhì)化系數(shù)(FOM)，OptiMOS 200V和250V技術(shù)可使系統(tǒng)設(shè)計(jì)的導(dǎo)通損耗降低一半。　　對于應(yīng)用二極管整流的48V開關(guān)電源而言，工程師們現(xiàn)在有了全新的選擇，從而使得整體效率大于95%。這比當(dāng)前典型的效率水平高出兩個百分點(diǎn)，從功率損耗的角度看，也就是發(fā)熱量降
關(guān)鍵字：英飛凌 MOSFET OptiMOS

TI 推出通過封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率MOSFET

　　日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應(yīng)用推出業(yè)界第一個通過封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對其它標(biāo)準(zhǔn)尺寸封裝的產(chǎn)品，DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET 有助于縮小終端設(shè)備的尺寸，同時還可將MOSFET允許的電流提高 50%，并改進(jìn)散熱管理。　　該系列包含的 5 款 NexFET 器件支持計(jì)算機(jī)與電信系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員使用具有擴(kuò)充內(nèi)存及更高電流的處理器，同時顯著節(jié)省板級空間。這些采用高級封裝的 MOSFET 可廣泛用于各種
關(guān)鍵字： TI MOSFET

晶圓廠產(chǎn)能不足　MOSFET供貨警報響

　　臺晶圓代工廠產(chǎn)能供應(yīng)失序情形，近期已逐漸從8寸晶圓向下蔓延到5寸及6寸晶圓，包括LCD驅(qū)動IC及電源管理IC紛向下?lián)寠Z5寸、6寸晶圓產(chǎn)能動作，讓許久未傳出缺貨的金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(MOSFET)亦出現(xiàn)客戶一直緊急追單，MOSFET市場明顯供不應(yīng)求現(xiàn)象，對臺系相關(guān)供應(yīng)商如富鼎、尼克森及茂達(dá)2010年第1季營收表現(xiàn)，將有顯著貢獻(xiàn)。　　臺系MOSFET供應(yīng)商指出，近期合作的5寸、6寸晶圓廠內(nèi)部產(chǎn)能利用率直線拉升，影響所及，盡管公司緊急向晶圓廠加單，不過，由于加單動作明顯落后其它業(yè)者，未來3個月可
關(guān)鍵字：晶圓代工電源管理 MOSFET

TI 推出面向高電流 DC/DC 應(yīng)用的功率MOSFET

　　日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應(yīng)用推出業(yè)界第一個通過封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對其它標(biāo)準(zhǔn)尺寸封裝的產(chǎn)品，DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET 有助于縮小終端設(shè)備的尺寸，同時還可將MOSFET允許的電流提高 50%，并改進(jìn)散熱管理。　　該系列包含的 5 款 NexFET 器件支持計(jì)算機(jī)與電信系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員使用具有擴(kuò)充內(nèi)存及更高電流的處理器，同時顯著節(jié)省板級空間。這些采用高級封裝的 MOSFET 可廣泛用于
關(guān)鍵字： TI MOSFET DualCool NexFET

Vishay推出12V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款12V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- SiB455EDK。該器件采用熱增強(qiáng)的PowerPAK® SC-75封裝，占位面積為1.6mm x 1.6mm，具有業(yè)內(nèi)P溝道器件最低的導(dǎo)通電阻。　　SiB455EDK是采用第三代TrenchFET P溝道技術(shù)的最新產(chǎn)品，使用了自對準(zhǔn)工藝技術(shù)，在每平方英寸的硅片上裝入了10億個晶體管單元。這種最先進(jìn)的技術(shù)實(shí)現(xiàn)了超精細(xì)、亞微米的節(jié)距工藝，將業(yè)內(nèi)
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET TrenchFET

Vishay Siliconix推出業(yè)界最小的60V 功率MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用SOT-923封裝的60V N溝道功率MOSFET --- SiM400。該器件為業(yè)界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封裝能節(jié)約更多的空間。　　SiM400是迄今為止最小的60V功率MOSFET，其SOT-923封裝的尺寸為1mm x 0.6mm，最大厚度僅有0.43mm。器件的占位尺寸比SC-89小77%，厚度則薄了26%。　　在VGS為10V、4.5V和3.5V的情況下，新器件的導(dǎo)通電阻分別
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET SiM400

英飛凌和飛兆半導(dǎo)體達(dá)成侵權(quán)訴訟和解協(xié)議

　　英飛凌科技股份公司今天宣布，公司與飛兆半導(dǎo)體公司之間的專利侵權(quán)訴訟已達(dá)成和解。2008年11月，英飛凌向美國特拉華州地方法院提起訴訟。本訴和反訴標(biāo)的包括與超結(jié)功率晶體管以及溝槽式功率 MOSFET和IGBT功率晶體管有關(guān)的14項(xiàng)專利。　　通過廣泛的半導(dǎo)體技術(shù)專利交叉許可，雙方就上述訴訟達(dá)成和解。根據(jù)和解協(xié)議，飛兆半導(dǎo)體將向英飛凌支付許可費(fèi)，但協(xié)議的具體條款和條件保密。　　英飛凌和飛兆半導(dǎo)體將通知美國特拉華州地方法院，雙方已經(jīng)達(dá)成和解，并將申請撤訴。　　作為半導(dǎo)體行業(yè)的全球領(lǐng)袖，英飛凌目前正
關(guān)鍵字：英飛凌 MOSFET IGBT

MOSFET與MOSFET驅(qū)動電路原理及應(yīng)用

　下面是我對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié)，其中參考了一些資料，非全部原創(chuàng)。包括MOS管的介紹，特性，驅(qū)動以及應(yīng)用電路?！≡谑褂肕OS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導(dǎo)通電
關(guān)鍵字： MOSFET 應(yīng)用原理電路驅(qū)動

IGBT核心技術(shù)及人才缺失工藝技術(shù)缺乏

　　新型電力半導(dǎo)體器件的代表，IGBT的產(chǎn)業(yè)化在我國還屬空白。無論技術(shù)、設(shè)備還是人才，我國都處于全方位的落后狀態(tài)。應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，電力半導(dǎo)體器件和集成電路在國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展中地位同樣重要，因此，政府應(yīng)該對IGBT產(chǎn)業(yè)予以大力扶持。　　眾所周知，電力電子技術(shù)可以提高用電效率，改善用電質(zhì)量，是節(jié)省能源的王牌技術(shù)。當(dāng)今以絕緣柵雙極晶體管(IGBT)為代表的新型電力半導(dǎo)體器件是高頻電力電子線路和控制系統(tǒng)的核心開關(guān)元器件，它的性能參數(shù)將直接決定著電力電子系統(tǒng)的效率和可靠性。IGBT已成為新型電力半導(dǎo)體器件的代表性器件，
關(guān)鍵字：器件 IGBT 封裝測試 MOSFET

短溝道MOSFET散粒噪聲測試方法研究

近年來隨著介觀物理和納米電子學(xué)對散粒噪聲研究的不斷深入，人們發(fā)現(xiàn)散粒噪聲可以很好的表征納米器件內(nèi)部電子傳輸特性。由于宏觀電子元器件中也會有介觀或者納米尺度的結(jié)構(gòu)，例如缺陷、小孔隙和晶粒等，因而也會
關(guān)鍵字： MOSFET 噪聲測試方法研究

安森美推出符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的自保護(hù)低端MOSFET驅(qū)動IC

　　安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN)推出高度集成保護(hù)的NCV840x系列低端自保護(hù)MOSFET。這系列器件通過了AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，非常適用于嚴(yán)格的汽車及工業(yè)工作環(huán)境中的開關(guān)應(yīng)用。　　NCV8401、NCV8402、NCV8402D(雙裸片)、NCV8403及NCV8404的設(shè)計(jì)是為了提供強(qiáng)固及可靠的工作，這些器件全都有豐富的自保護(hù)特性，包括限溫及限流、靜電放電(ESD)保護(hù)，以及用于過壓保護(hù)(OVP)的集成漏極至柵極鉗位。　　安森美半導(dǎo)體汽車
關(guān)鍵字：安森美 MOSFET 驅(qū)動IC

利用低端柵極驅(qū)動器IC進(jìn)行系統(tǒng)開發(fā)

利用低端柵極驅(qū)動器IC可以簡化開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)，但這些IC必須正確運(yùn)用才能充分發(fā)揮其潛力，以最大限度地減小電源尺寸和提高效率。如何根據(jù)額定電流和功能來選擇適當(dāng)?shù)尿?qū)動器，驅(qū)動器周圍需要哪些補(bǔ)償元件，以及如何確定熱性能等是設(shè)計(jì)時要注意的方面。
關(guān)鍵字： Fairchild 轉(zhuǎn)換器 MOSFET 開關(guān)電源柵極驅(qū)動器 200912

D類MOSFT在發(fā)射機(jī)射頻功放中的應(yīng)用

O 引言
隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，MOS管在電子與通信工程領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。特別是在大功率全固態(tài)廣播發(fā)射機(jī)的射頻功率放大器中，利用MOS管的開關(guān)特性，可使整個射頻功率放大器工作在開關(guān)狀態(tài)，從而提高整機(jī)效
關(guān)鍵字：應(yīng)用功放射頻發(fā)射機(jī) MOSFT MOSFET 開關(guān)特性射頻功放調(diào)幅發(fā)射機(jī)

能效需求催生功率器件應(yīng)用熱潮

　　市場需求逐步恢復(fù) 　　● 能效需求催生功率器件應(yīng)用熱潮　　● 擴(kuò)內(nèi)需政策為企業(yè)提供增長空間　　陳坤和　　從2008年底到2009年初，所有電子產(chǎn)品的需求均有減少，功率半導(dǎo)體也不例外。我們認(rèn)識到，困難時期可能成為重新把公司塑造成一個更精簡、更專注、更贏利企業(yè)的催化劑。由于各國政府的經(jīng)濟(jì)刺激措施紛紛把提升能效列為重點(diǎn)內(nèi)容，許多企業(yè)開始關(guān)注功率產(chǎn)品。在中國，由于政府刺激消費(fèi)電子市場，中國市場需求增長，推動功率管理和其他半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求開始復(fù)蘇。從長期來看，功率半導(dǎo)體將與許多其他領(lǐng)域的半導(dǎo)體產(chǎn)品
關(guān)鍵字：功率器件 MOSFET

共1259條 72/84 |‹ « 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 » ›|

mosfet 介紹

　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細(xì) ]