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Linear 推出同步降壓型 DC/DC 控制器

　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出低靜態(tài)電流、兩相雙路輸出同步降壓型 DC/DC 控制器 LTC3858/-1。該器件在一個輸出有效時僅消耗 170uA 電流，而兩個輸出都有效時消耗 300uA。兩個輸出都關(guān)斷時，LTC3858/-1 僅消耗 8uA，非常適用于汽車和筆記本電腦應用。LTC3858/-1 的 4V 至 38V 寬輸入電源范圍能夠針對負載突降和冷車發(fā)動情況所常見的汽車寬輸入電壓瞬變提供保護作用，并涵蓋多種電池化學組成。輸出電流高達 20A
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NXP推出N通道、1毫歐以下25V MOSFET產(chǎn)品

　　恩智浦半導體(NXP Semiconductors，由飛利浦創(chuàng)立的獨立半導體公司)今日宣布推出全球首款N通道、1毫歐以下25V MOSFET產(chǎn)品，型號為PSMN1R2-25YL，它擁有最低的導通電阻RDSon以及一流的FOM 參數(shù)。該產(chǎn)品是迄今為止采用Power-SO8封裝(無損耗封裝：LFPAK)中擁有最低導通電阻RDSon的MOSFET，也是恩智浦現(xiàn)有MOSFET系列的延伸。最新一代MOSFET器件集高性能Power-S08 LFPAK封裝與最新Trench 6硅技術(shù)于一體，可在各種嚴苛應用條件下
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Fairchild推出雙MOSFET解決方案FDMC8200

　　飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設(shè)計人員帶來業(yè)界領(lǐng)先的雙MOSFET解決方案FDMC8200，可為筆記本電腦、上網(wǎng)本、服務(wù)器、電信和其它 DC-DC 設(shè)計提供更高的效率和功率密度。該器件在3mm x 3mm MLP模塊中集成了經(jīng)優(yōu)化的控制 (高側(cè)) 和同步 (低側(cè)) 30V N溝道MOSFET，二者均使用的專用先進高性能PowerTrench® 7 MOSFET技術(shù)，提供出色的低RDS(ON)、總體柵極電荷(QG)和米勒電荷 (QGD)，這些性能最大限度地
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Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件

　　Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件，它采用SO8封裝，包含一對互補100V增強式MOSFET，性能可媲美體積更大的獨立封裝器件。ZXMC10A816適用于H橋電路，應用范圍包括直流風扇和逆變器電路、D類放大器輸出級以及其他多種48V應用。　　Diodes 亞太區(qū)技術(shù)市場總監(jiān)梁后權(quán)指出：“這個N通道和P通道組合的MOSFET能夠代替采用SOT223及DPak (TO252) 封裝的同等器件，有助減省電路板空間及元件數(shù)目，同時簡化柵極驅(qū)動電路設(shè)計。比方說，SO8充分發(fā)揮了
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Diodes推出新型MOSFET 半橋器件

　　Diodes 公司推出四款半橋MOSFET 封裝，為空間受限的應用減少了元件數(shù)量和PCB尺寸，極大地簡化了直流風扇和 CCFL 逆變器電路設(shè)計。　　Diodes 亞太區(qū)技術(shù)市場總監(jiān)梁后權(quán)指出：“ZXMHC 元件為SO8封裝，包含兩對互補N型和P型MOSFET，可取代四個分立式SOT23封裝的MOSFET或兩個SO8 互補MOSFET 封裝。對于現(xiàn)有不同類型的電機或其它感性負載驅(qū)動裝置來說，這意味著可節(jié)省至少一半的PCB占板面積，同時大幅降低整體存貨成本?！? 　　ZXM
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Maxim推出低電壓、降壓調(diào)節(jié)器

　　Maxim推出內(nèi)置升壓開關(guān)的低電壓、降壓調(diào)節(jié)器MAX17083。該器件專為空間緊張的應用而設(shè)計，在微小的16mm² TQFN封裝中集成了雙路n溝道MOSFET功率開關(guān)。內(nèi)部25mΩ、低邊功率MOSFET能夠提供高達5A的持續(xù)負載電流，在保證高效率的同時減少了元件數(shù)量。MAX17083無需外部肖特基二極管以及外部升壓二極管，進一步節(jié)省了空間和成本。這款小型降壓調(diào)節(jié)器理想用于超便攜移動PC (UMPC)、上網(wǎng)本、便攜式游戲機及其它緊湊的低功耗應用。　　MAX17083采用電流模式
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英飛凌推出OptiMOS 3 75V功率MOSFET系列

　　今日在深圳舉辦的中國國際電源展覽會上，英飛凌科技宣布推出OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列。全新推出的這個產(chǎn)品系列具備業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的導通電阻(RDS(on))和品質(zhì)因素(FOM, Qg * RDS(on))特性，可在任何負載條件下，降低開關(guān)模式電源(SMPS)、電機控制和快速開關(guān)D類功放等電源產(chǎn)品的功率損耗并改善其整體能效。　　OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列，是交流/直流開關(guān)模式電源(譬如面向全球市場的臺式機和計算機服務(wù)器裝備的電源)的同步整流的
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解決SMPS難題

本文描述了不對稱半橋轉(zhuǎn)換器的基本工作原理，并介紹了一種相比普通分立式MOSFET及PWM控制器解決方案具有顯著優(yōu)勢的集成式功率開關(guān)。此外還闡釋了這種專門為軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器而設(shè)計的功率開關(guān)如何降低設(shè)計總成本和元件數(shù)目、減小尺寸和重量，同時提高效率、產(chǎn)能和系統(tǒng)可靠性。
關(guān)鍵字：飛兆 SMPS PWM MOSFET PCB版圖設(shè)計 200906

IR推出AUIRS2003S 200V IC

　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出AUIRS2003S 200V IC，適用于低、中、高壓汽車應用，包括汽車預電充開關(guān)、步進驅(qū)動器和DC-DC轉(zhuǎn)換器。　　AUIRS2003S符合AEC-Q100標準，是一款堅固耐用、靈活的高速功率MOSFET驅(qū)動器，并備有高、低側(cè)參考輸出通道，適用于惡劣的汽車環(huán)境及引擎罩下的應用。這款輸出驅(qū)動器具有高脈沖電流緩沖級，可將驅(qū)動器跨導降至最低，而浮動通道可在最高200V的高側(cè)配置中驅(qū)動一個 N 溝道功率MOSFET。
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IR推出增強型25V及30V MOSFET

　　全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道溝道 HEXFET 功率 MOSFET 。它們針對同步降壓轉(zhuǎn)換器和電池保護增強了轉(zhuǎn)換性能，適用于消費和網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域的計算應用。　　新 MOSFET 系列采用了 IR 經(jīng)過驗證的硅技術(shù)，可提供基準通態(tài)電阻 (RDS(on)) ，并且提高了轉(zhuǎn)換性能。新器件的低傳導損耗改善了滿載效率及熱性能，即使在輕負載條件下，低轉(zhuǎn)換損耗也有助于實現(xiàn)高效率
關(guān)鍵字： IR MOSFET 硅技術(shù)

MOSFET封裝節(jié)省占板空間并提高充電器性能

　　Diodes公司應用的高熱效率、超小型DFN封裝的雙器件組合技術(shù),推出便攜式充電設(shè)備的開關(guān)。　　Diodes 亞太區(qū)技術(shù)市場總監(jiān)梁后權(quán)先生指出，DMS2220LFDB和 DMS2120LFWB把一個20V的P溝道增強模式MOSFET與一個配套二極管組合封裝，提供2mm x 2mm DFN2020及3mm x 2mm DFN3020兩種封裝以供選擇。DMP2160UFDB則把兩個相同的MOSFET組合封裝成DFN2020形式。　　與傳統(tǒng)便攜式應用設(shè)計中常用的體積較大的3mm x 3mm封裝相
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飛兆推出可將導通電阻降低50％的100V MOSFET

　　飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為隔離式DC-DC應用設(shè)計人員提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低達50% 的RDS(ON) 和出色的品質(zhì)因數(shù) (figure of merits, FOM)，有效提高電源設(shè)計的效率。FDMS86101是采用5mm x 6mm MLP Power56 封裝的100V MOSFET器件，使用了飛兆半導體先進的PowerTrench® 工藝技術(shù)，能夠最大限度地減小導通阻抗，同時保持優(yōu)良的開關(guān)性能和穩(wěn)健性
關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET

IR推出新型邏輯電平溝道MOSFET

　　全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新系列邏輯電平柵極驅(qū)動溝道HEXFET功率MOSFET。該器件具有基準通態(tài)電阻 (RDS(on)) 和高封裝電流額定值，適用于高功率DC電機和電動工具、工業(yè)電池及電源應用。　　新系列基準MOSFET采用了IR最新的溝道技術(shù)，可在4.5V Vgs下實現(xiàn)非常低的RDS(on) ，顯著改善了熱效率。此外，這些器件具有更高的電流額定值，多余瞬變可以帶來更多防護頻帶，并可減少由
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Maxim推出雙通道、Quick-PWM?、降壓控制器

　　Maxim推出具有同步整流的雙通道、Quick-PWM降壓控制器MAX17031，用于為電池供電系統(tǒng)產(chǎn)生5V/3.3V電源。器件內(nèi)置100mA線性穩(wěn)壓器，以產(chǎn)生上電或其它低功耗、“常備電路”所需的5V偏置電壓?？刂破鬟€包含一路低電流(5mA)，“始終開啟”的線性穩(wěn)壓器，當筆記本電腦的其它所有調(diào)節(jié)器關(guān)閉時為實時時鐘(RTC)供電。MAX17031能夠為筆記本電腦、便攜式PC及其它便攜式設(shè)備提供完整的、節(jié)省空間的電源方案。　　器件采用低邊MOSFET
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飛兆半導體推出具有業(yè)界最低RDS(ON) 的20V MicroFET? MOSFET

　　飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 為便攜應用的設(shè)計人員帶來具有業(yè)界最低RDS(ON) 的20V 2mm x 2mm x 0.55mm 薄型MicroFET MOSFET器件。FDMA6023PZT是采用緊湊、薄型封裝的雙P溝道MOSFET，能夠滿足便攜設(shè)計的嚴苛要求，采用延長電池壽命的技術(shù)，實現(xiàn)更薄、更小的應用。FDMA6023PZT采用超薄的微型引線框架的MicroFET 封裝，相比傳統(tǒng)的MOSFET，它具有出色的熱阻，能提供超卓的功率耗散，并可減少傳導損耗。該器件采
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mosfet 介紹

　　金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]