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選擇正確的MOSFET：工程師所需要知道的

隨著制造技術(shù)的發(fā)展和進步，系統(tǒng)設(shè)計人員必須跟上技術(shù)的發(fā)展步伐，才能為其設(shè)計挑選最合適的電子器件。MOSFET是電氣系統(tǒng)中的基本部件，工程師需要深入了解它的關(guān)鍵特性及指標(biāo)才能做出正確選擇。本文將討論如何根據(jù)RDS(ON)、熱性能、雪崩擊穿電壓及開關(guān)性能指標(biāo)來選擇正確的MOSFET。　　MOSFET的選擇　　MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開關(guān)。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時，其開關(guān)導(dǎo)通。導(dǎo)通時
關(guān)鍵字： MOSFET 元件制造

凌力爾特推出電源電壓 (100V) 同步 MOSFET 驅(qū)動器 LTC4444

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高輸入電源電壓 (100V) 同步 MOSFET 驅(qū)動器 LTC4444，該器件用于在同步整流轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲序?qū)動高端和低端功率的 N 溝道 MOSFET。這個驅(qū)動器可與功率 MOSFET 以及凌力爾特公司的很多 DC/DC 控制器一起組成完整的高效率同步轉(zhuǎn)換器。這個強大的驅(qū)動器可采用 1.2Ω 的下
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機凌力爾特 MOSFET LTC4444 模擬IC

凌力爾特推出高速同步MOSFET驅(qū)動器 LTC4442/-1

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驅(qū)動器 LTC4442/-1，該器件用來在同步整流轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲序?qū)動高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這種驅(qū)動器與凌力爾特公司很多 DC/DC 控制器組合使用時，可組成完整的高效率同步穩(wěn)壓器，該穩(wěn)壓器可用作降壓或升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。這個強大的驅(qū)動器可以吸收高達
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) 凌力爾特 MOSFET 驅(qū)動器模擬IC

可測試低電流電源的簡單雙恒流載荷

當(dāng)今的小型家電，如洗碗機、烘干機、電爐等用開關(guān)電源代替了體積笨重的線性電源。工程師對這些電流從50mA~1A的電源進行了測試，一般使用電阻或標(biāo)準(zhǔn)現(xiàn)成的電負(fù)載。工程師會使用各種大功率電阻來檢驗多種負(fù)載條件以滿足合適的設(shè)計。多數(shù)標(biāo)準(zhǔn)的電負(fù)載都是針對平均300W功率的。在測量50mA ~ 300mA電流時，顯示結(jié)果并不準(zhǔn)確，多數(shù)顯示為0.1A，那樣低的電流不能保證精度。還可以使用圖1中的簡單雙恒流負(fù)載設(shè)計，這種設(shè)計可以利用廉價的通用元件來構(gòu)建電路。負(fù)載電流流過MOSFET和一個 1Ω
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) 雙恒流載荷 MOSFET 運算放大器放大器

飛兆半導(dǎo)體再獲殊榮贏得十大DC-DC 2007產(chǎn)品大獎

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 再次榮獲《今日電子》雜志的十大 DC-DC 2007產(chǎn)品大獎，獲評審小組肯定而勝出的產(chǎn)品是飛兆半導(dǎo)體全面優(yōu)化的集成式12V驅(qū)動器加MOSFET功率級解決方案FDMF8700。飛兆半導(dǎo)體的30V同步降壓轉(zhuǎn)換器芯片組FDS6298和FDS6299S則于2006年獲得相同獎項。 FDMF8700將驅(qū)動器IC和兩個功率MOSFET集成在一個節(jié)省空間的8mm x 8mm的56腳M
關(guān)鍵字：消費電子飛兆半導(dǎo)體 FDMF8700 MOSFET 消費電子

飛兆發(fā)布高效N溝道MOSFET FDS881XNZ系列

飛兆半導(dǎo)體公司(FairchildSemiconductor)近日推出全新的高效N溝道MOSFET系列，提供高達8kV的ESD(HBM)電壓保護，較市場現(xiàn)有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于電池組保護應(yīng)用(如筆記本電腦和手機)的最新架構(gòu)。利用飛兆半導(dǎo)體的PowerTrench工藝，這些低導(dǎo)通阻抗(RDS(ON))MOSFET(包括RDS(ON)低于5mOhm的FDS8812NZ)能夠降低傳導(dǎo)損耗并且延長寶貴的電池壽命。它們還提供堅固穩(wěn)健的抗雪崩和抗峰值電流能力，確保電池組在意外的電壓尖峰沖擊下
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機飛兆 MOSFET FDS881XNZ 嵌入式

飛兆半導(dǎo)體的N溝道MOSFET系列產(chǎn)品提供更高的ESD性能

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新的高效N溝道MOSFET系列，提供高達8kV 的ESD (HBM) 電壓保護，較市場現(xiàn)有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于電池組保護應(yīng)用 (如筆記本電腦和手機) 的最新架構(gòu)。利用飛兆半導(dǎo)體的Power Trench®工藝，這些低導(dǎo)通阻抗 (RDS(ON)) MOSFET (包括RDS(ON)&
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) 飛兆半導(dǎo)體 MOSFET ESD 模擬IC 電源

電源技術(shù)的創(chuàng)新與發(fā)展

1 引言　　人類的經(jīng)濟活動已經(jīng)到了工業(yè)經(jīng)濟時代，并正在轉(zhuǎn)入高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展的時期。電源是位于市電（單相或三相）與負(fù)載之間，向負(fù)載提供優(yōu)質(zhì)電能的供電設(shè)備，是工業(yè)的基礎(chǔ)。　　電源技術(shù)是一種應(yīng)用功率半導(dǎo)體器件，綜合電力變換技術(shù)、現(xiàn)代電子技術(shù)、自動控制技術(shù)的多學(xué)科的邊緣交叉技術(shù)。隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，電源技術(shù)又與現(xiàn)代控制理論、材料科學(xué)、電機工程、微電子技術(shù)等許多領(lǐng)域密切相關(guān)。目前電源技術(shù)已逐步發(fā)展成為一門多學(xué)科互相滲透的綜合性技術(shù)學(xué)科。他對現(xiàn)代通訊、電子儀器、計算機、工業(yè)自動化、電力工程、國防及某些
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) 創(chuàng)新高頻 MOSFET 模擬IC 電源

帶電流感應(yīng)的±4A數(shù)字控制兼容型單低端MOSFET驅(qū)動

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： MOSFET 德州儀器

高速MOSFET柵極驅(qū)動電路的設(shè)計與應(yīng)用指南

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關(guān)鍵字： MOSFET 德州儀器

NEC電子推出8款汽車用功率MOSFET產(chǎn)品

　　NEC電子近日完成了8款用于汽車的P溝道功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)小型封裝產(chǎn)品的開發(fā)，并將于即日起開始發(fā)售樣品。　　此次推出的新產(chǎn)品主要用于繼電器、電機等通過電流為數(shù)十安培的控制單元，其中NP50P04等4款產(chǎn)品為40V耐壓、導(dǎo)通阻抗為業(yè)界最低的產(chǎn)品；另外4款產(chǎn)品與現(xiàn)有的60V耐壓品相比，導(dǎo)通阻抗最大可減至一半。　　對于汽車廠商及器件廠商等用戶而言，使用低導(dǎo)通阻抗產(chǎn)品可以減少電流流經(jīng)時產(chǎn)生的熱量，從而減輕電路設(shè)計時的負(fù)擔(dān)。　　新產(chǎn)品的樣品價格因耐壓及導(dǎo)通阻抗的不同而有
關(guān)鍵字： NEC電子 MOSFET 汽車電子

高功率便攜式DC-DC中MOSFET功耗的計算

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關(guān)鍵字： MaximIntegratedProducts MOSFET DC/DC

如何計算高功率電源中MOSFET的功耗

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關(guān)鍵字： MOSFET

功率MOSFET原理及其應(yīng)用介紹

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： MOSFET 美國國家半導(dǎo)體

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mosfet 介紹

　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]