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飛兆推出互補(bǔ)型40V MOSFET器件FDD8424H

　　飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出互補(bǔ)型40V MOSFET器件FDD8424H，采用雙DPAK封裝，提供業(yè)界領(lǐng)先的散熱能力，有助于提高系統(tǒng)可靠性、減小線路板空間及降低系統(tǒng)總體成本。FDD8424H專為半橋和全橋逆變器設(shè)計(jì)而優(yōu)化，是液晶電視、液晶顯示器所用背光單元 (BLU) 以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電燈驅(qū)動(dòng)的理想選擇。與采用8引腳直插和雙SOIC (SO8) 封裝的替代解決方案相比，雙DPAK封裝FDD8424H的熱阻抗分別是其五分之一及十分之一。此外，F(xiàn)DD8424H在
關(guān)鍵字： MOSFET 單片機(jī) 飛兆半導(dǎo)體嵌入式系統(tǒng)

Fairchild推出互補(bǔ)型40V MOSFET改進(jìn)LCD設(shè)計(jì)

飛兆半導(dǎo)體推出互補(bǔ)型40V MOSFET器件FDD8424H，采用雙DPAK封裝，提供業(yè)界領(lǐng)先的散熱能力，有助于提高系統(tǒng)可靠性、減小線路板空間及降低系統(tǒng)總體成本。FDD8424H專為半橋和全橋逆變器設(shè)計(jì)而優(yōu)化，是液晶電視、液晶顯示器所用背光單元 (BLU) 以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電燈驅(qū)動(dòng)的理想選擇。與采用8引腳直插和雙SOIC (SO8) 封裝的替代解決方案相比，雙DPAK封裝FDD8424H的熱阻抗分別是其五分之一及十分之一。此外，F(xiàn)DD8424H在單一封裝中集
關(guān)鍵字： Fairchild LCD設(shè)計(jì) MOSFET 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 液晶顯示 LCD

Vishayn通道MOSFET驅(qū)動(dòng)IC可提供2A峰值匯

Vishay(威世)近日宣布推出可提供2A峰值匯和源柵極驅(qū)動(dòng)電流的高頻75V半橋式n通道MOSFET驅(qū)動(dòng)IC。這款新型SiP41111適用于通常需要40V或60V電壓的汽車應(yīng)用。該75VMOSFET驅(qū)動(dòng)器可用于汽車中的高強(qiáng)度放電管，以及各種終端產(chǎn)品中的高壓降壓轉(zhuǎn)換器、推拉式轉(zhuǎn)換器、全橋與半橋式轉(zhuǎn)換器、有源鉗位正向轉(zhuǎn)換器、電源、電機(jī)控制及D類音頻系統(tǒng)。該款SiP41111具有75V的最大自舉電源電壓，可適應(yīng)9V～13.2V的寬泛電源電壓范圍，能夠以10ns的典型升降時(shí)間驅(qū)動(dòng)1,000pF的負(fù)載。
關(guān)鍵字： IC MOSFET Vishayn 電源技術(shù) 模擬技術(shù)

ROHM株式會(huì)社小型大功率封裝MOSFET MPT6

4月20日訊,半導(dǎo)體制造商ROHM株式會(huì)社（總社設(shè)在京都市）最近開發(fā)出適合汽車駕駛導(dǎo)向系統(tǒng)、便攜式DVD機(jī)、筆記本電腦、游戲機(jī)等小型、薄型機(jī)器的電源開關(guān)和電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器使用的MPT6 雙元件系列產(chǎn)品，這種產(chǎn)品采用獨(dú)創(chuàng)的小型大功率封裝，是低導(dǎo)通電阻的元器件。這種產(chǎn)品從2007年4月開始逐步供應(yīng)樣品；預(yù)定從2007年8月開始以月產(chǎn)300萬個(gè)的規(guī)模大量生產(chǎn)。生產(chǎn)過程的芯片工序在ROHM筑波株式會(huì)社（茨城縣）進(jìn)行；包裝工序由ROHM INTEGRATED SYSTEMS (THAILAND) CO., LTD. （
關(guān)鍵字： MOSFET MPT6 ROHM 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 封裝

ROHM開發(fā)小型大功率封裝MOSFET產(chǎn)品系列

ROHM株式會(huì)社最近開發(fā)出適合汽車駕駛導(dǎo)向系統(tǒng)、便攜式DVD機(jī)、筆記本電腦、游戲機(jī)等小型、薄型機(jī)器的電源開關(guān)和電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器使用的「MPT6 Dual（2元件）」型系列產(chǎn)品，這種產(chǎn)品采用獨(dú)創(chuàng)的小型大功率封裝，低導(dǎo)通電阻的元器件。這種產(chǎn)品從2007年4月開始逐步供應(yīng)樣品；預(yù)定從2007年8月開始以月產(chǎn)300萬個(gè)的規(guī)模大量生產(chǎn)。生產(chǎn)過程的芯片工序在ROHM筑波株式會(huì)社（茨城縣）進(jìn)行；包裝工序由ROHM INTEGRATED SYSTEMS (THAILAND)
關(guān)鍵字： MOSFET ROHM 消費(fèi)電子封裝消費(fèi)電子

帶有集成MOSFET的6A雙同步降壓穩(wěn)壓器

　　Intersil公司的ISL65426是一款高效率雙輸出單向同步降壓穩(wěn)壓器，輸入電壓范圍為2.375V至5.5V。該單芯片電源解決方案提供2個(gè)輸出電壓，可以在1V至電壓電源的80%的范圍內(nèi)進(jìn)行選擇或者進(jìn)行外部調(diào)節(jié)，并且總輸出電流高達(dá)6A。2個(gè)PWM是180o異相同步的，降低了EMI和有效值輸入電流與紋波電壓。　　ISL65426的獨(dú)特電源模塊架構(gòu)允許對(duì)6個(gè)電流高達(dá)1A的模塊進(jìn)行分配，以便支持4個(gè)輸出配置選項(xiàng)之一。一個(gè)主電源模塊與各個(gè)同步轉(zhuǎn)換器通道相關(guān)聯(lián)。4個(gè)浮動(dòng)從電源模塊允許用戶將其分配給任一條通
關(guān)鍵字： MOSFET 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 雙同步降壓穩(wěn)壓器

TNY256型單片機(jī)開關(guān)電源及其應(yīng)用

1 TNY256的性能特點(diǎn)
關(guān)鍵字： MOSFET TNY256 單片機(jī) 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 嵌入式系統(tǒng) 模擬IC 電源

ZETEX推出帶診斷功能的自保護(hù)MOSFET ZXMS6002/3

ZXMS6002/3是采用SOT223封裝的低端自保護(hù)MOSFET，它可通過獨(dú)立狀態(tài)引腳提供診斷反饋，有效地提高汽車和工業(yè)性高壓系統(tǒng)的可靠性。最新ZXMS6002G及ZXMS6003G器件是Zetex公司IntelliFET產(chǎn)品系列的新成員，均屬于60V、500mΩ 額定值的N溝道器件，特別適用于高浪涌電流的開關(guān)負(fù)載，如電燈、電機(jī)及電磁鐵。 ZXMS6002G具有針對(duì)過熱、過流和過壓故障的保護(hù)功能，可提供正常、限流和熱關(guān)斷等不同模式的模擬指示，無需外部元件。這種診斷功能有助于實(shí)現(xiàn)智能的
關(guān)鍵字： MOSFET ZXMS6002/3 工業(yè)控制工業(yè)控制

Zetex推出首款采用SOT223封裝的低端自保護(hù)MOSFET

　　Zetex Semiconductors (捷特科) 公司推出首款采用SOT223封裝的低端自保護(hù)MOSFET，它可通過獨(dú)立狀態(tài)引腳提供診斷反饋，有效地提高汽車和工業(yè)性高壓系統(tǒng)的可靠性。　　最新ZXMS6002G及ZXMS6003G器件是Zetex公司IntelliFET產(chǎn)品系列的新成員，均屬于60V、500mΩ 額定值的N溝道器件，特別適用于高浪涌電流的開關(guān)負(fù)載，如電燈、電機(jī)及電磁鐵。　　ZXMS6002G具有針對(duì)過熱、過流和過壓故障的保護(hù)功能，可提供正常、限流和熱關(guān)斷等不同模
關(guān)鍵字： MOSFET Zetex 單片機(jī) 嵌入式系統(tǒng) 封裝

飛兆推出 200V/250V的PowerTrench工藝MOSFET

　　飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新的FDB2614 (200V) 和 FDB2710 (250V) N溝道MOSFET，這兩款產(chǎn)品經(jīng)專門設(shè)計(jì)，可為等離子體顯示板 (PDP) 應(yīng)用提供業(yè)界領(lǐng)先的系統(tǒng)效率和優(yōu)化的占位空間。利用飛兆半導(dǎo)體專利的PowerTrench® 工藝技術(shù)，這些MOSFET比較市場(chǎng)上同類型器件提供最低的導(dǎo)通阻抗RDS(on) (FDB2614的典型值為22.9毫歐；FDB2710的典型值為36.3 毫歐)。超低的RDS(on) 加上極低
關(guān)鍵字： MOSFET 單片機(jī) 飛兆嵌入式系統(tǒng)

RF功率MOSFET產(chǎn)品及其工藝開發(fā)

摘要：本文簡(jiǎn)述了RF 功率 MOSFET器件的應(yīng)用，分析了以LDMOSFET工藝為基礎(chǔ)的RF 功率 MOSFET的功能特性、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和制造工藝特點(diǎn)。文中結(jié)合6寸芯片生產(chǎn)線，設(shè)計(jì)了產(chǎn)品的制造工藝流程，分析了制造工藝的難點(diǎn)，并提出了解決方案。關(guān)鍵詞：RF 功率 MOSFET；LDMOSFET；器件結(jié)構(gòu)；制造工藝引言RF 功率 MOSFET的最大應(yīng)用是無線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀(jì)90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET
關(guān)鍵字： LDMOSFET MOSFET RF RF專題電源技術(shù) 功率模擬技術(shù) 器件結(jié)構(gòu) 制造工藝

擁有線性穩(wěn)壓器特性的下一代移動(dòng)DC-to-DC轉(zhuǎn)換器

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： LDO IC MOSFET

Zetex新型MOSFET適用于超低柵極驅(qū)動(dòng)操作

　　模擬信號(hào)處理及功率管理解決方案供應(yīng)商 Zetex Semiconductors 近日推出三款為有限驅(qū)動(dòng)電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)的N 溝道增強(qiáng)模式 MOSFET。　　這三款新產(chǎn)品分別為 20V 的ZXMN2B03E6 （SOT236封裝）、ZXMN2B14FH和ZXMN2B01F（兩者均為SOT23封裝）。這些器件均具有1.8VGS條件下的低損耗開關(guān)功能，可以使用兩個(gè)1.2V 電池或一個(gè)鋰離子電池驅(qū)動(dòng)。其超低柵極驅(qū)動(dòng)意味著可
關(guān)鍵字： MOSFET Zetex 超低柵極驅(qū)動(dòng) 電源技術(shù) 模擬技術(shù)

飛兆半導(dǎo)體推出光隔離 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器

能夠驅(qū)動(dòng)工業(yè)應(yīng)用中高達(dá) 30A/1200V 的 MOSFET FOD3180/FOD3181與飛兆半導(dǎo)體領(lǐng)先業(yè)界的功率產(chǎn)品系列相輔相成，為設(shè)計(jì)人員提供由毫瓦至千瓦的完整功率解決方案飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 領(lǐng)先業(yè)界的功率產(chǎn)品系列又添新成員，宣布推出高頻光隔離MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器系列的全新產(chǎn)品，能夠在工業(yè)應(yīng)用中驅(qū)動(dòng)高達(dá)30A/1200V的MOSFET。FOD3180 (2A) 和F
關(guān)鍵字： MOSFET 單片機(jī) 飛兆半導(dǎo)體光隔離嵌入式系統(tǒng) 柵極驅(qū)動(dòng)器

常用MOSFET技術(shù)參數(shù)

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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mosfet 介紹

　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細(xì) ]