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LED驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)的5大關(guān)鍵

  •   要普及LED燈具,不但需要大幅度降低成本,更需要解決技術(shù)性的問(wèn)題。如何解決能效和可靠性這些難題,PowerIntegrations市場(chǎng)營(yíng)銷副總裁DougBailey分享了高效高可靠LED驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)的心得。   一、不要使用雙極型功率器件   DougBailey指出由于雙極型功率器件比MOSFET便宜,一般是2美分左右一個(gè),所以一些設(shè)計(jì)師為了降低LED驅(qū)動(dòng)成本而使用雙極型功率器件,這樣會(huì)嚴(yán)重影響電路的可靠性,因?yàn)殡S著LED驅(qū)動(dòng)電路板溫度的提升,雙極型器件的有效工作范圍會(huì)迅速縮小,這樣會(huì)導(dǎo)致器件在溫度
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Diodes芯片級(jí)雙向MOSFET節(jié)省空間 有效提高鋰電池容量

  •   Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出雙向MOSFET DMN2023UCB4,提供超卓的單電芯及雙電芯鋰電池充電保護(hù)。DMN2023UCB4的低導(dǎo)通電阻可降低功耗,纖薄的芯片級(jí)封裝則使設(shè)計(jì)人員能夠利用省下來(lái)的空間來(lái)提高電池容量。新產(chǎn)品的目標(biāo)終端市場(chǎng)包括智能手機(jī)、平板電腦、照相機(jī)、便攜式媒體播放器,以及對(duì)其尺寸丶重量和電池壽命都至關(guān)重要的同類型消費(fèi)性產(chǎn)品。   DMN2023UCB4的RSS(on) 少於26mΩ,旨在以最低的導(dǎo)通電阻來(lái)減低功耗。此外,其雙N通
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哪一個(gè)更簡(jiǎn)單,選擇熱插拔控制器,還是功率MOSFET?

  •   我曾經(jīng)遇到過(guò)節(jié)假日有客人上門,必須跑到商店,在關(guān)門前挑選幾件物品的情況。我當(dāng)時(shí)就意識(shí)到“跑”這個(gè)單詞會(huì)有多少種意思呢。我聽(tīng)說(shuō)單單作為動(dòng)詞,他就有645個(gè)意思,并且還在不斷增加!表面上看起來(lái)很簡(jiǎn)單的事情實(shí)際上會(huì)很復(fù)雜。想一想,功率MOSFET只有三個(gè)引腳(柵極、源極、漏極)。長(zhǎng)假過(guò)后,當(dāng)回到辦公室開(kāi)始設(shè)計(jì)全新的電源管理熱插拔應(yīng)用時(shí),我想到看起來(lái)簡(jiǎn)單的功率MOSFET會(huì)有多么復(fù)雜,還有就是在為熱插拔應(yīng)用和功率轉(zhuǎn)換分別選擇一款MOSFET時(shí)會(huì)有什么不同。   熱插拔電路使用一個(gè)功率
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德州儀器推出NexFET? N溝道功率MOSFET 可實(shí)現(xiàn)業(yè)界最低電阻

  •   日前,德州儀器 (TI) 推出其NexFET™ 產(chǎn)品線11款新型N溝道功率MOSFET,其中包括具有業(yè)界最低導(dǎo)通電阻并采用QFN 封裝的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B,可應(yīng)用于熱插拔和ORing應(yīng)用。此外,TI面向低電壓電池供電型應(yīng)用的新型12-V FemtoFET™ CSD13383F4在采用0.6 mm x 1mm纖巧型封裝的情況下實(shí)現(xiàn)了比同類競(jìng)爭(zhēng)器件低84% 的極低電阻。如需獲取更多信息、樣片或參考設(shè)計(jì),敬請(qǐng)?jiān)L問(wèn):www.ti.co
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Diodes全新MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器提升轉(zhuǎn)換效率

  •   Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出一對(duì)1A額定值的40V緊湊型柵極驅(qū)動(dòng)器ZXGD3009E6及ZXGD3009DY,旨在控制板上和嵌入式電源以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的高電流功率MOSFET。ZXGD3009E6 (采用SOT26封裝) 和 ZXGD3009DY (采用SOT363封裝) 可縮減MOSFET的開(kāi)關(guān)時(shí)間,有助于盡量降低開(kāi)關(guān)損耗、改善功率密度,以及提升整體轉(zhuǎn)換效率。   新驅(qū)動(dòng)器作為低功率控制IC的高增益緩沖級(jí),能夠從僅10mA的輸入電流提供500mA的典型驅(qū)動(dòng)電流
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Exar推出通用PMIC輸入電壓高達(dá)40V,適合任何FPGA,SoC或DSP

  •   領(lǐng)先的高性能集成電路和系統(tǒng)解決方案提供商Exar公司,即日宣布發(fā)布一款6V至40V的工作電壓范圍,四路輸出可編程通用PMIC-XR77129。其專利性的控制架構(gòu),采用17-bit寬PID電壓型輸入前饋方式,非常適合40V輸入電壓范圍。該控制器提供單輸入電壓,四路輸出電壓軌,降壓式控制器內(nèi)部集成MOSFET門極驅(qū)動(dòng)和雙LDO輸出該產(chǎn)品還可以通過(guò)I2C總線實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)電源狀態(tài),動(dòng)態(tài)控制輸出電壓參數(shù)。五個(gè)可配置GPIO可以用于狀態(tài)指示和時(shí)序控制,以加速電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)。   XRP77129使用Exar設(shè)計(jì)工具P
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LED襯底第三代半導(dǎo)體SiC技術(shù)的崛起

  •   第一代半導(dǎo)體材料Si點(diǎn)燃了信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“星星之火”,而Si材料芯片也成就了“美國(guó)硅谷”高科技產(chǎn)業(yè)群,促使英特爾等世界半導(dǎo)體巨頭的誕生,95%以上的半導(dǎo)體器件和99%以上的集成電路都是由Si材料制作。        目前全球40%能量作為電能被消耗,而電能轉(zhuǎn)換最大耗散是半導(dǎo)體功率器件。曾經(jīng)的“中流砥柱”Si功率器件已日趨其發(fā)展的材料極限,難以滿足當(dāng)今社會(huì)發(fā)展對(duì)于高頻、高溫、高功率、高能效、耐惡劣環(huán)境以及輕便小型
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封裝寄生電感是否會(huì)影響MOSFET性能?

  •   I.引言   高效率已成為開(kāi)關(guān)電源(SMPS)設(shè)計(jì)的必需要求。為了達(dá)成這一要求,越來(lái)越多許多功率半導(dǎo)體研究人員開(kāi)發(fā)了快速開(kāi)關(guān)器件,舉例來(lái)說(shuō),降低器件的寄生電容,并實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻,以降低開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。這些快速開(kāi)關(guān)器件容易觸發(fā)開(kāi)關(guān)瞬態(tài)過(guò)沖。這對(duì)SMPS設(shè)計(jì)中電路板布局帶來(lái)了困難,并且容易引起了柵極信號(hào)振蕩。為了克服開(kāi)關(guān)瞬態(tài)過(guò)沖,設(shè)計(jì)人員通常采取的做法是借助緩沖電路提高柵極電阻阻值,以減慢器件開(kāi)關(guān)速度,抑制過(guò)沖,但這會(huì)造成相對(duì)較高的開(kāi)關(guān)損耗。對(duì)于采用標(biāo)準(zhǔn)通孔封裝的快速開(kāi)關(guān)器件,總是存在效率與易用性的
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Diodes OR'ing控制器提升不間斷電源可靠性

  •   Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出40V額定值的動(dòng)態(tài)OR'ing控制器ZXGD3108N8,以提升電信系統(tǒng)、數(shù)據(jù)中心及服務(wù)器不間斷電源的可靠性。新產(chǎn)品旨在全面改善超低導(dǎo)通電阻功率MOSFET,從而替代耗能的肖特基 (Schottky) 阻斷二極管,有效降低工作溫度并加強(qiáng)不間斷電源系統(tǒng)的完整性。   新控制器通過(guò)以這種方式驅(qū)動(dòng)MOSFET,同時(shí)提升標(biāo)準(zhǔn)12V和24V共軌系統(tǒng)的整體系統(tǒng)效率。與其它同類型器件相比,ZXGD3108N8提供最低的關(guān)斷電壓閾值。器件的電壓少于-
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東芝推出40V電壓功率MOSFET“U-MOSIX-H”系列

  •   東芝公司旗下的半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布推出40V電壓功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)“U-MOS IX-H”系列。相比東芝傳統(tǒng)的U-MOS VI-H系列,新系列減少了76%的導(dǎo)通電阻,實(shí)現(xiàn)業(yè)界頂級(jí)的低導(dǎo)通電阻[1]。此外,它還減少了Qoss[2]的增加,從而提高開(kāi)關(guān)電源的效率。樣品出貨即日起啟動(dòng)。   注:   ·[1]截至2014年11月4日。東芝調(diào)查。   ·[2]Qoss:輸出電荷。   主要特性   &m
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IR 推出4×5 PQFN功率模塊封裝的25V IRFH4257D FastIRFET雙功率MOSFET

  •   全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出采用高性能4×5 PQFN 功率模塊封裝的IRFH4257D FastIRFET 雙功率MOSFET。這項(xiàng)新的封裝拓展了IR的功率模塊系列的功能,使其可用于更低功率的緊湊型設(shè)計(jì),適合12V輸入DC-DC同步降壓應(yīng)用,包括先進(jìn)的電信和網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備、服務(wù)器、顯示適配器、臺(tái)式電腦、超極本 (Ultrabook) 及筆記本電腦等應(yīng)用。       
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聯(lián)電明年產(chǎn)能 搶購(gòu)一空

  •   8寸晶圓代工產(chǎn)能卡位戰(zhàn)提前啟動(dòng),法人指出,聯(lián)電8寸廠能已被指紋辨識(shí)芯片、LCD驅(qū)動(dòng)IC,以及電源管理IC客戶搶購(gòu)一空,明年將成為8寸晶圓代工大贏家。   過(guò)往8寸晶圓廠主要生產(chǎn)LCD驅(qū)動(dòng)IC、電源管理芯片等產(chǎn)品,隨著蘋果新機(jī)導(dǎo)入指紋辨識(shí)芯片,非蘋陣營(yíng)明年全面跟進(jìn),相關(guān)芯片廠也開(kāi)始卡位8寸晶圓產(chǎn)能,造就市場(chǎng)榮景。   此外,原以6寸生產(chǎn)金屬化合物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)也為了提升競(jìng)爭(zhēng)力,相繼轉(zhuǎn)入8寸廠生產(chǎn),讓8寸晶圓廠產(chǎn)能更為吃緊。   包括指紋辨識(shí)芯片、LCD驅(qū)動(dòng)IC及電源管理芯片三大半
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42V、5A (IOUT)、同步降壓型 Silent Switcher 在 2MHz 提供 95% 效率

  •   凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 5A、42V 輸入同步降壓型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 LT8640。該器件采用獨(dú)特的 Silent Switcher® 架構(gòu),整合了擴(kuò)展頻譜調(diào)制,即使開(kāi)關(guān)頻率超過(guò) 2MHz 時(shí),依然能夠?qū)?EMI / EMC 輻射降低超過(guò) 25dB,從而使該器件能夠輕松地滿足汽車 CISPR25 Class 5 峰值限制要求。同步整流在開(kāi)關(guān)頻率為 2MHz 時(shí)可提供高達(dá) 95% 的效率。其 3.4V 至 42V 輸入電壓范圍使該器件非常適合
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易于符合 MIL-STD-1275D 要求的浪涌抑制器解決方案

  •   凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出符合 MIL-STD-1275D 要求的浪涌抑制器解決方案,并展示在評(píng)估電路板 DC2150A 上。MIL-STD-1275D 是美國(guó)國(guó)防部制定的標(biāo)準(zhǔn),規(guī)定了地面軍用車輛所用 28V DC 電源的穩(wěn)態(tài)和瞬態(tài)電壓特性。當(dāng)面對(duì) MIL-STD-1275D 中嚴(yán)格規(guī)定的浪涌、尖峰和紋波波形時(shí),DC2150A 可將輸出電壓限制到安全的 44V。就大多數(shù)應(yīng)用而言,要滿足該標(biāo)準(zhǔn)就是簡(jiǎn)單地將 DC2150A 電路放置到容限為 44V
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