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MOSFET管并聯(lián)應(yīng)用時(shí)電流分配不均問題探究

1 引言
MOSFET管的導(dǎo)通電阻具有正的溫度特性，可自動(dòng)調(diào)節(jié)電流，因而易于并聯(lián)應(yīng)用。但由于器件自身參數(shù)(柵極電路參數(shù)及漏源極電路參數(shù)不一致)原因，并聯(lián)應(yīng)用功率MOSFET管會(huì)產(chǎn)生電流分配不均的問題，關(guān)于此問題，
關(guān)鍵字：不均問題探究分配電流管并聯(lián) 應(yīng)用 MOSFET

采用射頻功率MOSFET設(shè)計(jì)功率放大器

1. 引言
　本文設(shè)計(jì)的50MHz/250W 功率放大器采用美國APT公司生產(chǎn)的推挽式射頻功率MOSFET管ARF448A/B進(jìn)行設(shè)計(jì)。APT公司在其生產(chǎn)的射頻功率MOSFET的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和封裝形式上都進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)，使之更適用于射頻功率放大器
關(guān)鍵字： MOSFET 射頻功率功率放大器

即將普及的碳化硅器件

　　隨綠色經(jīng)濟(jì)的興起，節(jié)能降耗已成潮流。在現(xiàn)代化生活中，人們已離不開電能。為解決“地球變暖”問題，電能消耗約占人類總耗能的七成，提高電力利用效率被提至重要地位。　　據(jù)統(tǒng)計(jì)，60%至70%的電能是在低能耗系統(tǒng)中使用的，而其中絕大多數(shù)是消耗于電力變換和電力驅(qū)動(dòng)。在提高電力利用效率中起關(guān)鍵作用的是功率器件，也稱電力電子器件。如何降低功率器件的能耗已成為全球性的重要課題。　　在這種情況下，性能遠(yuǎn)優(yōu)于普遍使用的硅器件的碳化硅(SiC)器件受到人們青睞。SiC器件耐高溫(工作溫度和環(huán)境
關(guān)鍵字：豐田 SiC 碳化硅 MOSFET 200910

MOSFET市場快速發(fā)展，本土企業(yè)見起色

　　全球節(jié)能環(huán)保意識高漲使得高效、節(jié)能產(chǎn)品成為市場發(fā)展的主流趨勢。相應(yīng)地，電源|穩(wěn)壓器管理IC、MOSFET芯片等功率器件也被越來越多的應(yīng)用到整機(jī)電子產(chǎn)品中。在功率器件產(chǎn)品中，MOSFET的市場需求增長最快。據(jù)分析機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，盡管受全球金融危機(jī)影響， 2008年，中國MOSFET市場需求量為198.2億個(gè)，仍比2007年增長了11.9%。　　在應(yīng)用方面，目前消費(fèi)電子已成為MOSFET最大的應(yīng)用市場，這主要得益于MOSFET在便攜式產(chǎn)品、LCD TV等消費(fèi)電子產(chǎn)品中的廣泛應(yīng)用。其次，是計(jì)算機(jī)、工業(yè)控制
關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET 穩(wěn)壓器

探討采用綠色塑料封裝的功率MOSFET性能

引言歐盟部長理事會(huì)已經(jīng)執(zhí)行RoHS指令(在電子電氣設(shè)備中限制使用某些有毒有害物質(zhì)指令)以及WEEE指...
關(guān)鍵字： MOSFET 綠色塑料封裝

IR推出適用于汽車柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的器件AUIRS2016S

　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出AUIRS2016S 器件，適用于汽車柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，包括通用噴軌、柴油和汽油直噴應(yīng)用，以及螺線管驅(qū)動(dòng)器。　　AUIRS2016S是一款高電壓功率MOSFET高側(cè)驅(qū)動(dòng)器，具有內(nèi)部電壓尖峰對地 (Vs-to-GND) 充電 NMOS。這款器件的輸出驅(qū)動(dòng)器配備一個(gè)250mA高脈沖電流緩沖級。相關(guān)溝道能夠在高側(cè)配置中驅(qū)動(dòng)一個(gè)N溝道功率MOSFET，可在高于地電壓達(dá)150V的條
關(guān)鍵字： IR MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 AUIRS2016S

飛兆推出RDS(ON) 低于1 mOhm的30V MOSFET器件

　　飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為服務(wù)器、刀片式服務(wù)器和路由器的設(shè)計(jì)人員帶來業(yè)界首款RDS(ON) 低于1 mOhm的30V MOSFET器件，采用Power 56封裝，型號為 FDMS7650。FDMS7650 可以用作負(fù)載開關(guān)或ORing FET，為服務(wù)器中心 (server farm) 在許多電源并行安排的情況下提供分擔(dān)負(fù)載功能。FET的連續(xù)導(dǎo)通特性，可降低功耗和提高效率，以提升服務(wù)器中心的總體效率。FDMS7650 是首款采用 Power56 封裝以突破1
關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET FDMS7650

Fairchild推出新一代超級結(jié)MOSFET-SupreMOS

　　飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)為電源、照明、顯示和工業(yè)應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員帶來SupreMOS?新一代600V超級結(jié)MOSFET系列產(chǎn)品。包括具有165mΩ最大阻抗的 FCP22N60N、FCPF22N60NT 和 FCA22N60N，以及具有199mΩ最大阻抗的FCP16N60N和FCPF16N60NT。SupreMOS?系列器件兼具低RDS (ON) 和低總柵極電荷，相比飛兆半導(dǎo)體的600V SuperFET&trade
關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET SupreMOS SuperFET

FPGA助工業(yè)電機(jī)節(jié)能增效

　　在美國，工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域AC電機(jī)所用的電能占全國的2/3以上。在許多應(yīng)用中，AC電機(jī)或被關(guān)斷或以全速運(yùn)作，而通過為電機(jī)添加變速控制功能，就能夠在標(biāo)準(zhǔn)開啟/關(guān)斷控制下實(shí)現(xiàn)顯著節(jié)能。用混合信號FPGA來實(shí)現(xiàn)高效率AC電機(jī)控制系統(tǒng)，可大幅降低電機(jī)的功耗。　　電機(jī)無處不在　　今天，電機(jī)用于各類應(yīng)用中，然而，很少有人意識到電機(jī)在使用中對環(huán)境帶來怎樣的影響。專家估計(jì)，在美國，電機(jī)所消耗的電能約占總發(fā)電量的50%。從全球范圍看，AC電機(jī)功耗占工業(yè)應(yīng)用的70%，占商業(yè)應(yīng)用電能的45%，占住宅應(yīng)用電能的42%。
關(guān)鍵字： FPGA PWM MOSFET

IR推出基準(zhǔn)工業(yè)級30V MOSFET

　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列獲得工業(yè)認(rèn)證的30V TO-220 HEXFET功率MOSFET，為不間斷電源 (UPS) 逆變器、低壓電動(dòng)工具、ORing應(yīng)用和網(wǎng)絡(luò)通信及和服務(wù)器電源等應(yīng)用提供非常低的柵極電荷 (Qg) 。　　這些堅(jiān)固耐用的MOSFET采用IR最新一代的溝道技術(shù)，并且通過非常低的導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 來減少散熱。此外，新器件的超低柵極電荷有助于延長不間斷電源逆變器或電動(dòng)工具的電池壽命。　　IR亞洲區(qū)銷售副總裁
關(guān)鍵字： IR MOSFET UPS 溝道

Fairchild推出WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET

　　飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)宣布推出1mm x 1mm WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET器件FDZ371PZ，該器件設(shè)計(jì)采用飛兆半導(dǎo)體的專有PowerTrench® 工藝技術(shù)，為手機(jī)、醫(yī)療、便攜和消費(fèi)應(yīng)用設(shè)計(jì)人員帶來業(yè)界最低RDS(ON) 值(-4.5V下為75m?) ，能夠最大限度地減小傳導(dǎo)損耗。通過降低損耗，F(xiàn)DZ371PZ能夠提高便攜設(shè)計(jì)的效率，并延長電池壽命。FDZ371PZ還可提供4.4kV的穩(wěn)健ESD保護(hù)功能，以保護(hù)器件免受ESD事件
關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET PowerTrench FDZ371PZ

D類放大器：低功耗高效率推動(dòng)大規(guī)模普及

　　D類放大器的應(yīng)用范圍非常廣泛，隨著技術(shù)的成熟，目前已進(jìn)入大規(guī)模普及階段。針對其在器件成本、EMI等方面的問題，業(yè)內(nèi)企業(yè)也提出了多種解決方案。　　D類放大器技術(shù)是三四年前被業(yè)內(nèi)熱議的新技術(shù)，目前它已進(jìn)入大規(guī)模普及階段。業(yè)界正在積極解決應(yīng)用普及過程中的問題，如EMI(電磁干擾)、成本和效率等。與此同時(shí)，集成技術(shù)也是一個(gè)不容忽視的趨勢。　　轉(zhuǎn)入大規(guī)模普及階段　　三四年前，D類放大器在業(yè)界掀起了一個(gè)新技術(shù)的小高潮。D類放大器采用脈沖調(diào)制方式將輸入信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字脈沖，由MOSFET進(jìn)行放大，再通過低
關(guān)鍵字： ADI D類放大器 MOSFET EMI

集成式上網(wǎng)本電源解決方案成研發(fā)熱點(diǎn)

　　上網(wǎng)本是筆記本電腦的派生產(chǎn)品，目前上網(wǎng)本的功率需求與筆記本電腦相似。由于需要使用多單元鋰離子電池，因而需要具有寬輸入電壓范圍的降壓轉(zhuǎn)換器來驅(qū)動(dòng)內(nèi)核、存儲(chǔ)器、外設(shè)或通用系統(tǒng)組件。另外也可選擇使用低壓降(LDO)調(diào)節(jié)器。　　大多數(shù)MID和智能手機(jī)使用各種功率管理單元(PMU)來實(shí)現(xiàn)功率管理，而這源于它們的低功耗需求。過去一年來，上網(wǎng)本市場經(jīng)歷了前所未有的增長，供應(yīng)商正在積極開發(fā)用于上網(wǎng)本的集成式電源解決方案，2008年大多數(shù)上網(wǎng)本電腦電源采用了分立式解決方案，然而今年我們預(yù)計(jì)將轉(zhuǎn)向包含有控制器+MOS
關(guān)鍵字：上網(wǎng)本 PMU MOSFET

集成電源管理滿足上網(wǎng)本小型化需求

　　上網(wǎng)本的電源管理分為以下幾部分：電源適配器、電池充電和管理、CPU供電、系統(tǒng)供電、I/O和顯卡供電、顯示背光供電、DDR存儲(chǔ)器供電。MPS針對上網(wǎng)本對電源小型化和輕載高效的要求，發(fā)展了擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的一系列電路控制策略、半導(dǎo)體集成工藝以及封裝技術(shù)。　　MPS的DC/DC變換器，將電源控制器、驅(qū)動(dòng)和MOSFET完全集成在一個(gè)芯片中。和大多數(shù)競爭對手所采用的多芯片封裝不同，MPS是將這些部分完全集成在一個(gè)硅片上，這極大地降低了傳統(tǒng)分立元件所帶來的寄生參數(shù)影響，從而提高變換器的效率和開關(guān)頻率，減小電容
關(guān)鍵字： MPS 電源管理 MOSFET 上網(wǎng)本

英飛凌再度稱雄功率電子市場

　　英飛凌科技股份公司在功率電子半導(dǎo)體分立器件和模塊領(lǐng)域連續(xù)第六年穩(wěn)居全球第一的寶座。據(jù)IMS Research公司2009年發(fā)布的《功率半導(dǎo)體分立器件和模塊全球市場》報(bào)告稱，2008年，此類器件的全球市場增長了1.5%，增至139.6億美元(2007年為137.6億美元)，而英飛凌的增長率高達(dá)7.8%?，F(xiàn)在，英飛凌在該市場上占據(jù)了10.2%的份額，其最接近的競爭對手份額為6.8%。在歐洲、中東和非洲地區(qū)以及美洲，英飛凌也繼續(xù)獨(dú)占鰲頭，分別占據(jù)了22.8%和11.2%的市場份額。　　隨著汽車、消費(fèi)和工
關(guān)鍵字：英飛凌 IGBT MOSFET

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mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細(xì) ]