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Maxim推出內(nèi)置低導通阻抗開關(guān)的高效率雙路3A/5A降壓調(diào)節(jié)器

　　Maxim推出MAX8833/MAX8855，該系列器件是業(yè)界第一款具有以下功能的降壓型調(diào)節(jié)器：工作在3.3V或2.5V輸入下，分別可提供雙路3A或雙路5A輸出，并且內(nèi)置開關(guān)可最大程度節(jié)省空間。除了節(jié)省空間外，器件由于采用內(nèi)部MOSFET，因此可有效地工作在低輸入電壓下，這是采用大尺寸、分立MOSFET所不可能實現(xiàn)的。在低壓應用中，分立的競爭方案需要更高電壓實現(xiàn)完全導通，相比較而言，內(nèi)部MOSFET則可提供更優(yōu)異的性能。MAX8833/MAX8855分別具有49mΩ和37mΩ低導通阻抗，可以以超過1M
關(guān)鍵字： Maxim 調(diào)節(jié)器 MOSFET 其他IC 制程

用于有源電力濾波器的IGBT驅(qū)動及保護研究

　　l 前言　　絕緣柵場效應晶體管(IGBT)作為一種復合型器件，集成了MOSFET的電壓驅(qū)動和高開關(guān)頻率及功率管低損耗、大功率的特點，在電機控制、開關(guān)電源、變流裝置及許多要求快速、低損耗的領(lǐng)域中有著廣泛的應用。本文對應用于有源電力濾波器的IGBT的特性及其專有EXB84l型驅(qū)動器的設(shè)計進行討論，并提出一種具有完善保護功能的驅(qū)動電路。　　有源電力濾波器設(shè)計中應用4個IGBT作為開關(guān)，并用4個EXB84l組成驅(qū)動電路，其原理如圖l所示。在實驗中，根據(jù)補償電流與指令電流的關(guān)系，用數(shù)字信號處理器(DSP
關(guān)鍵字： IGBT MOSFET 場效應晶體管電源

電源管理和MOSFET推動中國功率器件市場發(fā)展

　　全球能源需求的不斷增長以及環(huán)境保護意識的逐步提升使得高效、節(jié)能產(chǎn)品成為市場發(fā)展的新趨勢。為此，電源|穩(wěn)壓器管理芯片、MOSFET等功率器件越來越多的應用到整機產(chǎn)品中。在整機市場產(chǎn)量不斷增加以及功率器件在整機產(chǎn)品中應用比例不斷提升的雙重帶動下，中國功率器件市場在2007-2011年將繼續(xù)保持快速增長，但由于市場基數(shù)的不斷擴大，市場增長率將逐年下降。預計到2011年時中國功率器件市場銷售額將達到1680.4億元，2007-2011年中國功率器件市場年均復合增長率為19.1%。這其中電源管理IC、MOSFE
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) MOSFET 芯片 IC 元件制造

功率場效應晶體管(MOSFET)原理

　　功率場效應管(Power MOSFET)也叫電力場效應晶體管，是一種單極型的電壓控制器件，不但有自關(guān)斷能力,而且有驅(qū)動功率小,開關(guān)速度高、無二次擊穿、安全工作區(qū)寬等特點。由于其易于驅(qū)動和開關(guān)頻率可高達500kHz，特別適于高頻化電力電子裝置，如應用于DC/DC變換、開關(guān)電源、便攜式電子設(shè)備、航空航天以及汽車等電子電器設(shè)備中。但因為其電流、熱容量小，耐壓低，一般只適用于小功率電力電子裝置。一、電力場效應管的結(jié)構(gòu)和工作原理　　電力場效應晶體管種類和結(jié)構(gòu)有許多種，按導電溝道可分為P溝道和N溝道，同時
關(guān)鍵字： MOSFET 半導體材料

功率模塊市場增長產(chǎn)業(yè)發(fā)展迫在眉睫

　　功率半導體器件的應用迄今已有50年歷史，自上世紀80年代以來，隨著新型功率半導體器件尤其是電源管理芯片的蓬勃發(fā)展，功率器件極大地拓展了應用領(lǐng)域。全球各大廠商也不失時機地加大研發(fā)力度，占領(lǐng)市場高地。　　發(fā)展功率半導體產(chǎn)業(yè)迫在眉睫　　目前，我國功率半導體企業(yè)生產(chǎn)條件和產(chǎn)品大都停留在國外上世紀70年代的水平。有個別集成電路企業(yè)制造一些小電流低檔老產(chǎn)品的VD-MOSFET，IGBT、平面型快恢復和超快恢復二極管完全不能制造。因此，我國市場用的功率器件約90%依賴進口，其余約10%低檔產(chǎn)品是自己制造的。
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) 功率半導體 VD-MOSFET 模擬IC 電源

基于MOSFET控制的PWM型直流可調(diào)電源的研制

　　引言　　功率場效應管MOSFET是一種單極型電壓控制器件，它不但具有自關(guān)斷能力，而且具有驅(qū)動功率小，關(guān)斷速度快等優(yōu)點，是目前開關(guān)電源中常用的開關(guān)器件。采用MOSFET 控制的開關(guān)電源具有體積小、重量輕、效率高、成本低的優(yōu)勢，因此，較適合作儀器電源。本文給出了一種由MOSFET 控制的大范圍連續(xù)可調(diào)(0～45V) 的小功率穩(wěn)壓電源設(shè)計實例。　　總體結(jié)構(gòu)與主電路　　圖1 為該電源的總體結(jié)構(gòu)框圖。工作原理如下：　　　　圖1 　原理方框圖　　全橋整流電路將電網(wǎng)電壓220V
關(guān)鍵字：消費電子 MOSFET 功率場效應管 PWM 電源

選擇正確的MOSFET：工程師所需要知道的

隨著制造技術(shù)的發(fā)展和進步，系統(tǒng)設(shè)計人員必須跟上技術(shù)的發(fā)展步伐，才能為其設(shè)計挑選最合適的電子器件。MOSFET是電氣系統(tǒng)中的基本部件，工程師需要深入了解它的關(guān)鍵特性及指標才能做出正確選擇。本文將討論如何根據(jù)RDS(ON)、熱性能、雪崩擊穿電壓及開關(guān)性能指標來選擇正確的MOSFET。　　MOSFET的選擇　　MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開關(guān)。當在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時，其開關(guān)導通。導通時
關(guān)鍵字： MOSFET 元件制造

凌力爾特推出電源電壓 (100V) 同步 MOSFET 驅(qū)動器 LTC4444

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高輸入電源電壓 (100V) 同步 MOSFET 驅(qū)動器 LTC4444，該器件用于在同步整流轉(zhuǎn)換器拓撲中驅(qū)動高端和低端功率的 N 溝道 MOSFET。這個驅(qū)動器可與功率 MOSFET 以及凌力爾特公司的很多 DC/DC 控制器一起組成完整的高效率同步轉(zhuǎn)換器。這個強大的驅(qū)動器可采用 1.2Ω 的下
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機凌力爾特 MOSFET LTC4444 模擬IC

凌力爾特推出高速同步MOSFET驅(qū)動器 LTC4442/-1

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驅(qū)動器 LTC4442/-1，該器件用來在同步整流轉(zhuǎn)換器拓撲中驅(qū)動高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這種驅(qū)動器與凌力爾特公司很多 DC/DC 控制器組合使用時，可組成完整的高效率同步穩(wěn)壓器，該穩(wěn)壓器可用作降壓或升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。這個強大的驅(qū)動器可以吸收高達
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) 凌力爾特 MOSFET 驅(qū)動器模擬IC

可測試低電流電源的簡單雙恒流載荷

當今的小型家電，如洗碗機、烘干機、電爐等用開關(guān)電源代替了體積笨重的線性電源。工程師對這些電流從50mA~1A的電源進行了測試，一般使用電阻或標準現(xiàn)成的電負載。工程師會使用各種大功率電阻來檢驗多種負載條件以滿足合適的設(shè)計。多數(shù)標準的電負載都是針對平均300W功率的。在測量50mA ~ 300mA電流時，顯示結(jié)果并不準確，多數(shù)顯示為0.1A，那樣低的電流不能保證精度。還可以使用圖1中的簡單雙恒流負載設(shè)計，這種設(shè)計可以利用廉價的通用元件來構(gòu)建電路。負載電流流過MOSFET和一個 1Ω
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) 雙恒流載荷 MOSFET 運算放大器放大器

飛兆半導體再獲殊榮贏得十大DC-DC 2007產(chǎn)品大獎

飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 再次榮獲《今日電子》雜志的十大 DC-DC 2007產(chǎn)品大獎，獲評審小組肯定而勝出的產(chǎn)品是飛兆半導體全面優(yōu)化的集成式12V驅(qū)動器加MOSFET功率級解決方案FDMF8700。飛兆半導體的30V同步降壓轉(zhuǎn)換器芯片組FDS6298和FDS6299S則于2006年獲得相同獎項。 FDMF8700將驅(qū)動器IC和兩個功率MOSFET集成在一個節(jié)省空間的8mm x 8mm的56腳M
關(guān)鍵字：消費電子飛兆半導體 FDMF8700 MOSFET 消費電子

飛兆發(fā)布高效N溝道MOSFET FDS881XNZ系列

飛兆半導體公司(FairchildSemiconductor)近日推出全新的高效N溝道MOSFET系列，提供高達8kV的ESD(HBM)電壓保護，較市場現(xiàn)有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于電池組保護應用(如筆記本電腦和手機)的最新架構(gòu)。利用飛兆半導體的PowerTrench工藝，這些低導通阻抗(RDS(ON))MOSFET(包括RDS(ON)低于5mOhm的FDS8812NZ)能夠降低傳導損耗并且延長寶貴的電池壽命。它們還提供堅固穩(wěn)健的抗雪崩和抗峰值電流能力，確保電池組在意外的電壓尖峰沖擊下
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機飛兆 MOSFET FDS881XNZ 嵌入式

飛兆半導體的N溝道MOSFET系列產(chǎn)品提供更高的ESD性能

飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新的高效N溝道MOSFET系列，提供高達8kV 的ESD (HBM) 電壓保護，較市場現(xiàn)有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于電池組保護應用 (如筆記本電腦和手機) 的最新架構(gòu)。利用飛兆半導體的Power Trench®工藝，這些低導通阻抗 (RDS(ON)) MOSFET (包括RDS(ON)&
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電源技術(shù)的創(chuàng)新與發(fā)展

1 引言　　人類的經(jīng)濟活動已經(jīng)到了工業(yè)經(jīng)濟時代，并正在轉(zhuǎn)入高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展的時期。電源是位于市電（單相或三相）與負載之間，向負載提供優(yōu)質(zhì)電能的供電設(shè)備，是工業(yè)的基礎(chǔ)。　　電源技術(shù)是一種應用功率半導體器件，綜合電力變換技術(shù)、現(xiàn)代電子技術(shù)、自動控制技術(shù)的多學科的邊緣交叉技術(shù)。隨著科學技術(shù)的發(fā)展，電源技術(shù)又與現(xiàn)代控制理論、材料科學、電機工程、微電子技術(shù)等許多領(lǐng)域密切相關(guān)。目前電源技術(shù)已逐步發(fā)展成為一門多學科互相滲透的綜合性技術(shù)學科。他對現(xiàn)代通訊、電子儀器、計算機、工業(yè)自動化、電力工程、國防及某些
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) 創(chuàng)新高頻 MOSFET 模擬IC 電源

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mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]