mosfet 文章進(jìn)入mosfet技術(shù)社區(qū)

帶電流感應(yīng)的±4A數(shù)字控制兼容型單低端MOSFET驅(qū)動(dòng)

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： MOSFET 德州儀器

高速M(fèi)OSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與應(yīng)用指南

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關(guān)鍵字： MOSFET 德州儀器

NEC電子推出8款汽車(chē)用功率MOSFET產(chǎn)品

　　NEC電子近日完成了8款用于汽車(chē)的P溝道功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)小型封裝產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)，并將于即日起開(kāi)始發(fā)售樣品。　　此次推出的新產(chǎn)品主要用于繼電器、電機(jī)等通過(guò)電流為數(shù)十安培的控制單元，其中NP50P04等4款產(chǎn)品為40V耐壓、導(dǎo)通阻抗為業(yè)界最低的產(chǎn)品；另外4款產(chǎn)品與現(xiàn)有的60V耐壓品相比，導(dǎo)通阻抗最大可減至一半。　　對(duì)于汽車(chē)廠商及器件廠商等用戶(hù)而言，使用低導(dǎo)通阻抗產(chǎn)品可以減少電流流經(jīng)時(shí)產(chǎn)生的熱量，從而減輕電路設(shè)計(jì)時(shí)的負(fù)擔(dān)。　　新產(chǎn)品的樣品價(jià)格因耐壓及導(dǎo)通阻抗的不同而有
關(guān)鍵字： NEC電子 MOSFET 汽車(chē)電子

高功率便攜式DC-DC中MOSFET功耗的計(jì)算

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： MaximIntegratedProducts MOSFET DC/DC

如何計(jì)算高功率電源中MOSFET的功耗

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關(guān)鍵字： MOSFET

功率MOSFET原理及其應(yīng)用介紹

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關(guān)鍵字： MOSFET 美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體

飛兆推出互補(bǔ)型40V MOSFET器件FDD8424H

　　飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出互補(bǔ)型40V MOSFET器件FDD8424H，采用雙DPAK封裝，提供業(yè)界領(lǐng)先的散熱能力，有助于提高系統(tǒng)可靠性、減小線路板空間及降低系統(tǒng)總體成本。FDD8424H專(zhuān)為半橋和全橋逆變器設(shè)計(jì)而優(yōu)化，是液晶電視、液晶顯示器所用背光單元 (BLU) 以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電燈驅(qū)動(dòng)的理想選擇。與采用8引腳直插和雙SOIC (SO8) 封裝的替代解決方案相比，雙DPAK封裝FDD8424H的熱阻抗分別是其五分之一及十分之一。此外，F(xiàn)DD8424H在
關(guān)鍵字： MOSFET 單片機(jī) 飛兆半導(dǎo)體嵌入式系統(tǒng)

Fairchild推出互補(bǔ)型40V MOSFET改進(jìn)LCD設(shè)計(jì)

飛兆半導(dǎo)體推出互補(bǔ)型40V MOSFET器件FDD8424H，采用雙DPAK封裝，提供業(yè)界領(lǐng)先的散熱能力，有助于提高系統(tǒng)可靠性、減小線路板空間及降低系統(tǒng)總體成本。FDD8424H專(zhuān)為半橋和全橋逆變器設(shè)計(jì)而優(yōu)化，是液晶電視、液晶顯示器所用背光單元 (BLU) 以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電燈驅(qū)動(dòng)的理想選擇。與采用8引腳直插和雙SOIC (SO8) 封裝的替代解決方案相比，雙DPAK封裝FDD8424H的熱阻抗分別是其五分之一及十分之一。此外，F(xiàn)DD8424H在單一封裝中集
關(guān)鍵字： Fairchild LCD設(shè)計(jì) MOSFET 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 液晶顯示 LCD

Vishayn通道MOSFET驅(qū)動(dòng)IC可提供2A峰值匯

Vishay(威世)近日宣布推出可提供2A峰值匯和源柵極驅(qū)動(dòng)電流的高頻75V半橋式n通道MOSFET驅(qū)動(dòng)IC。這款新型SiP41111適用于通常需要40V或60V電壓的汽車(chē)應(yīng)用。該75VMOSFET驅(qū)動(dòng)器可用于汽車(chē)中的高強(qiáng)度放電管，以及各種終端產(chǎn)品中的高壓降壓轉(zhuǎn)換器、推拉式轉(zhuǎn)換器、全橋與半橋式轉(zhuǎn)換器、有源鉗位正向轉(zhuǎn)換器、電源、電機(jī)控制及D類(lèi)音頻系統(tǒng)。該款SiP41111具有75V的最大自舉電源電壓，可適應(yīng)9V～13.2V的寬泛電源電壓范圍，能夠以10ns的典型升降時(shí)間驅(qū)動(dòng)1,000pF的負(fù)載。
關(guān)鍵字： IC MOSFET Vishayn 電源技術(shù) 模擬技術(shù)

ROHM株式會(huì)社小型大功率封裝MOSFET MPT6

4月20日訊,半導(dǎo)體制造商ROHM株式會(huì)社（總社設(shè)在京都市）最近開(kāi)發(fā)出適合汽車(chē)駕駛導(dǎo)向系統(tǒng)、便攜式DVD機(jī)、筆記本電腦、游戲機(jī)等小型、薄型機(jī)器的電源開(kāi)關(guān)和電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器使用的MPT6 雙元件系列產(chǎn)品，這種產(chǎn)品采用獨(dú)創(chuàng)的小型大功率封裝，是低導(dǎo)通電阻的元器件。這種產(chǎn)品從2007年4月開(kāi)始逐步供應(yīng)樣品；預(yù)定從2007年8月開(kāi)始以月產(chǎn)300萬(wàn)個(gè)的規(guī)模大量生產(chǎn)。生產(chǎn)過(guò)程的芯片工序在ROHM筑波株式會(huì)社（茨城縣）進(jìn)行；包裝工序由ROHM INTEGRATED SYSTEMS (THAILAND) CO., LTD. （
關(guān)鍵字： MOSFET MPT6 ROHM 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 封裝

ROHM開(kāi)發(fā)小型大功率封裝MOSFET產(chǎn)品系列

ROHM株式會(huì)社最近開(kāi)發(fā)出適合汽車(chē)駕駛導(dǎo)向系統(tǒng)、便攜式DVD機(jī)、筆記本電腦、游戲機(jī)等小型、薄型機(jī)器的電源開(kāi)關(guān)和電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器使用的「MPT6 Dual（2元件）」型系列產(chǎn)品，這種產(chǎn)品采用獨(dú)創(chuàng)的小型大功率封裝，低導(dǎo)通電阻的元器件。這種產(chǎn)品從2007年4月開(kāi)始逐步供應(yīng)樣品；預(yù)定從2007年8月開(kāi)始以月產(chǎn)300萬(wàn)個(gè)的規(guī)模大量生產(chǎn)。生產(chǎn)過(guò)程的芯片工序在ROHM筑波株式會(huì)社（茨城縣）進(jìn)行；包裝工序由ROHM INTEGRATED SYSTEMS (THAILAND)
關(guān)鍵字： MOSFET ROHM 消費(fèi)電子封裝消費(fèi)電子

帶有集成MOSFET的6A雙同步降壓穩(wěn)壓器

　　Intersil公司的ISL65426是一款高效率雙輸出單向同步降壓穩(wěn)壓器，輸入電壓范圍為2.375V至5.5V。該單芯片電源解決方案提供2個(gè)輸出電壓，可以在1V至電壓電源的80%的范圍內(nèi)進(jìn)行選擇或者進(jìn)行外部調(diào)節(jié)，并且總輸出電流高達(dá)6A。2個(gè)PWM是180o異相同步的，降低了EMI和有效值輸入電流與紋波電壓。　　ISL65426的獨(dú)特電源模塊架構(gòu)允許對(duì)6個(gè)電流高達(dá)1A的模塊進(jìn)行分配，以便支持4個(gè)輸出配置選項(xiàng)之一。一個(gè)主電源模塊與各個(gè)同步轉(zhuǎn)換器通道相關(guān)聯(lián)。4個(gè)浮動(dòng)從電源模塊允許用戶(hù)將其分配給任一條通
關(guān)鍵字： MOSFET 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 雙同步降壓穩(wěn)壓器

TNY256型單片機(jī)開(kāi)關(guān)電源及其應(yīng)用

1 TNY256的性能特點(diǎn)
關(guān)鍵字： MOSFET TNY256 單片機(jī) 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 嵌入式系統(tǒng) 模擬IC 電源

ZETEX推出帶診斷功能的自保護(hù)MOSFET ZXMS6002/3

ZXMS6002/3是采用SOT223封裝的低端自保護(hù)MOSFET，它可通過(guò)獨(dú)立狀態(tài)引腳提供診斷反饋，有效地提高汽車(chē)和工業(yè)性高壓系統(tǒng)的可靠性。最新ZXMS6002G及ZXMS6003G器件是Zetex公司IntelliFET產(chǎn)品系列的新成員，均屬于60V、500mΩ 額定值的N溝道器件，特別適用于高浪涌電流的開(kāi)關(guān)負(fù)載，如電燈、電機(jī)及電磁鐵。 ZXMS6002G具有針對(duì)過(guò)熱、過(guò)流和過(guò)壓故障的保護(hù)功能，可提供正常、限流和熱關(guān)斷等不同模式的模擬指示，無(wú)需外部元件。這種診斷功能有助于實(shí)現(xiàn)智能的
關(guān)鍵字： MOSFET ZXMS6002/3 工業(yè)控制工業(yè)控制

Zetex推出首款采用SOT223封裝的低端自保護(hù)MOSFET

　　Zetex Semiconductors (捷特科) 公司推出首款采用SOT223封裝的低端自保護(hù)MOSFET，它可通過(guò)獨(dú)立狀態(tài)引腳提供診斷反饋，有效地提高汽車(chē)和工業(yè)性高壓系統(tǒng)的可靠性。　　最新ZXMS6002G及ZXMS6003G器件是Zetex公司IntelliFET產(chǎn)品系列的新成員，均屬于60V、500mΩ 額定值的N溝道器件，特別適用于高浪涌電流的開(kāi)關(guān)負(fù)載，如電燈、電機(jī)及電磁鐵。　　ZXMS6002G具有針對(duì)過(guò)熱、過(guò)流和過(guò)壓故障的保護(hù)功能，可提供正常、限流和熱關(guān)斷等不同模
關(guān)鍵字： MOSFET Zetex 單片機(jī) 嵌入式系統(tǒng) 封裝

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mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類(lèi)比電路與數(shù)位電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細(xì) ]