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Zetex推出新型整流器控制器

　　Zetex?Semiconductors（捷特科）推出一款驅(qū)動MOSFET的專用整流器控制器，從而使?50?至?150W?的同步反激式轉(zhuǎn)換器成為完美的二極管。ZXGD3101?可使設(shè)計人員以表面貼裝?MOSFET?取代有損耗的肖特基二極管，以實現(xiàn)更高的效率、更少的發(fā)熱量，縮小電源尺寸和重量，同時簡化整體電路設(shè)計。　　ZXGD3101?有“零點檢測器驅(qū)動器”之稱，能準(zhǔn)確檢測達到零點
關(guān)鍵字： Zetex 捷特科 MOSFET 整流器控制器

IR全新30V DirectFET MOSFET系列為同步降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計

??????? 2008年5月27日，國際整流器公司 (International Rectifier) 推出專為筆記本電腦、服務(wù)器CPU電源、圖形，以及記憶體穩(wěn)壓器應(yīng)用的同步降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計而優(yōu)化的全新30V DirectFET MOSFET系列。　　新器件系列結(jié)合IR最新的30V HEXFET功率MOSFET硅技術(shù)與先進的DirectFET封裝技術(shù)，比標(biāo)準(zhǔn)SO-8器件的占位面積小40%，而且采用了0.7mm纖薄設(shè)計。新一代30V器
關(guān)鍵字：國際整流器同步降壓轉(zhuǎn)換器 MOSFET

運用MOSFET實現(xiàn)完美安全系統(tǒng)

　　車上所使用的燈泡到繼電器、從LED顯示照明到起動馬達，許多組件的多元應(yīng)用，不僅提供了各式各樣的高負載性、低成本效益的解決方案，另外也必須兼具注重安全性汽車所要求的通訊及診斷能力。因此，為了增加車上電子系統(tǒng)的可靠性及耐久性，除了降低維修成本之外，設(shè)計人員在功率器件中加入故障保護電路，才能避免組件發(fā)生故障，降低電子系統(tǒng)所造成損害。　　另外，在一般汽車行駛的情況下，一旦出現(xiàn)了車上的組件出現(xiàn)故障狀況，將導(dǎo)致汽車上的電路系統(tǒng)發(fā)生短路，或電源無法供電。在遠程傳感器中采用車用金屬氧化半導(dǎo)體場效晶體管（Metal
關(guān)鍵字： MOSFET 安全系統(tǒng)

MOSFET開關(guān)軌跡線的示波器重現(xiàn)方法

MOSFET的開關(guān)軌跡線是判斷MOSFET開關(guān)過程“軟硬”程度的重要評估指標(biāo)，MOSFET的軟硬程度對于開關(guān)電源的性...
關(guān)鍵字： MOSFET 損耗開關(guān) 動態(tài) 截至飽和

Intersill推出新型大電流MOSFET柵極驅(qū)動器

　　Intersil公司宣布推出高頻 6A 吸入電流同步（sink synchronous） MOSFET 柵極驅(qū)動器 ISL6615 和 ISL6615A 。這些新器件有助于為系統(tǒng)安全提供更高的效率、靈活性和更多的保護功能。　　Intersil 公司此次推出的新型驅(qū)動器增加了柵極驅(qū)動電流（ UGATE 的流出和吸入柵極驅(qū)動電流為 4A ，LGATE 的吸入和流出電流則分別為 6A 和 4A ），可以縮短柵極電壓上升、下降時間。這將最大限度地降低開關(guān)損耗并改善效率，尤其是在每相并聯(lián)功率MOSFET 的
關(guān)鍵字： Intersil MOSFET 驅(qū)動器柵極驅(qū)動電流

大功率寬帶射頻脈沖功率放大器設(shè)計

　　大功率線性射頻放大器模塊廣泛應(yīng)用于電子對抗、雷達、探測等重要的通訊系統(tǒng)中，其寬頻帶、大功率的產(chǎn)生技術(shù)是無線電子通訊系統(tǒng)中的一項非常關(guān)鍵的技術(shù)。隨著現(xiàn)代無線通訊技術(shù)的發(fā)展，寬頻帶大功率技術(shù)、寬頻帶跳頻、擴頻技術(shù)對固態(tài)線性功率放大器設(shè)計提出了更高的要求，即射頻功率放大器頻率寬帶化、輸出功率更大化、整體設(shè)備模塊化。　　通常情況下，在HF~VHF頻段設(shè)計的寬帶射頻功放，采用場效應(yīng)管(FET)設(shè)計要比使用常規(guī)功率晶體管設(shè)計方便簡單，正是基于場效應(yīng)管輸入阻抗比較高，且輸入阻抗相對頻率的變化不會有太大的偏差，易
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Zetex推出全新ZXGD3000雙極柵極驅(qū)動器系列

　　Zetex Semiconductors (捷特科) 推出全新ZXGD3000雙極柵極驅(qū)動器系列，用于開關(guān)電源和電機驅(qū)動器中的MOSFET及IGBT。低成本的ZXGD3000系列能灌入高達9A的電流，柵極電容的充、放電速度比柵極驅(qū)動器IC更快，有助于加快開關(guān)時間，提高電路效率。　　該系列包含4款高速非反向柵極驅(qū)動器，電源電壓范圍為12V至40V。其快速開關(guān)射極跟隨器配置，實現(xiàn)了小于2ns的傳播延遲和大約10ns的上升/下降時間，有效改善了對MOSFET開關(guān)性能的控制。ZXGD3000還能防止鎖定，
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讀取隔離端數(shù)字狀態(tài)無需附加電源(06-100)

　　電子系統(tǒng)常常要求其輸入電路或輸出電路必須與主控回路的進行隔離,比如在醫(yī)療產(chǎn)品中，基于安全性考慮，連接到病人身上的輸入傳感器或激勵源必須與后級處理電路隔離,當(dāng)然需要隔離的應(yīng)用場合還很多，如采集爆炸現(xiàn)場參數(shù)的電路同樣需要與后級完全隔離，等等。　　在這些應(yīng)用中,通常需要采集被隔離電路的數(shù)字線上的一些狀態(tài)參數(shù), 傳統(tǒng)的辦法是采用光耦得以實現(xiàn).然而采用光耦有許多局限性:首先,它要消耗隔離端電路許多電流,其次轉(zhuǎn)換時間長(或動態(tài)響應(yīng)慢)，再者,隨著光發(fā)射器老化，其光電轉(zhuǎn)換增益將隨時間減小。　　采用圖1所示電
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MOSFET音頻輸出級的自偏壓電路(04-100)

　　AB類輸出級精度不高可能有下列幾個原因：　　·柵極閾值電壓變化與VGS溫度系數(shù)變化引起的MOSFET與雙極管間相對溫度系數(shù)的失配。　　·輸出器件與檢測器件間耦合的延遲與衰減。　　·驅(qū)動器工作在不同的溫度。　　·調(diào)整單個放大器偏壓時存在誤差。　　·老化引起的閾值電壓長期漂移。　　鑒于上述原因，自然想用控制環(huán)來替代VBE放大器，前者基于偏置電流本身的反饋；而后者只是一種誤差反饋。新設(shè)計由下列三部分構(gòu)成；偏置電流檢
關(guān)鍵字： MOSFET 自偏壓電路

選擇適用于POL架構(gòu)中功率轉(zhuǎn)換的 MOSFET

　　對于電路需要 3.3V 及更低電壓的應(yīng)用，負載點 (POL) 轉(zhuǎn)換器已發(fā)展成為面向這些應(yīng)用的廣受歡迎的解決方案。對此類電壓水平的需求源自對更低內(nèi)核電壓的要求，這樣即使功率保持相同, 對這些轉(zhuǎn)換器的電流要求將會很明顯地增加。　　自引入 POL 理念以來已建議并使用了許多不同的配置，當(dāng)前尚沒有將高壓(例如 48V)逐步降低到 0.9V 低壓的確定策略。過去使用傳統(tǒng)分布式功率架構(gòu) (DPAs) 從單個“前端轉(zhuǎn)換器”(圖1)提供所有所需的電壓水平。在固定電信應(yīng)用中，48V 的輸
關(guān)鍵字： POL MOSFET

PDP顯示器電源管理架構(gòu)分析

電漿顯示器在大尺寸的平面顯示器中，盡管在良率、可視角度等方面具有優(yōu)勢，然其顯示原理倚賴電弧放電，由于放電必...
關(guān)鍵字： PDP 顯示器電源管理 Pixel 電壓架構(gòu) 電極電弧放電 MOSFET 顯示原理

NXP推出的高性能小信號MOSFET SOT883

恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）發(fā)布了全新的小信號MOSFET器件系列，新產(chǎn)品采用了全球最小封裝之一的SOT883進行封裝。恩智浦SOT883 MOSFET面積超小，僅為1.0 x 0.6毫米，與SOT23相比，功耗和性能不相上下，卻只需占據(jù)14%的印刷電路板空間。SOT883 MOSFET針對眾多應(yīng)用而設(shè)計，包括DC/DC電源轉(zhuǎn)換器模塊、液晶電視電源以及手機和其他便攜設(shè)備的負載開關(guān)。SOT883 MOSFET具有超小的面積、0.5毫米的超薄厚度、最佳的開關(guān)速度和非常低的Rds(on)
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什么是MOSFET

“MOSFET”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的縮寫，譯成中文是“金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導(dǎo)體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能輸出較大的工作電流(幾安到幾十安)，用于功率輸出級的器件。　　MOSFET共有三個腳，一般為G、D、S，通過G、S間加控制信號時可以改變D、S間的導(dǎo)通和截止。功率MO
關(guān)鍵字： MOSFET

可降低油耗的汽車電子系統(tǒng)

　　我們?nèi)绾尾拍苁蛊囻{駛室具備更多的功能，使發(fā)動機具有更大的功率，同時還能夠符合各國政府對每加侖行駛距離的要求?只有采用新一代的低導(dǎo)通電阻功率 MOSFET將汽車中傳統(tǒng)的電力系統(tǒng)和液壓系統(tǒng)改為電子系統(tǒng)，這些MOSFET不但可以提高汽車的舒適性和安全性，還能夠提高燃油的行駛距離。　　發(fā)動機不僅僅要讓汽車在路上行駛，還要為整個汽車系統(tǒng)提供動力?，F(xiàn)在人們對汽車的娛樂性、舒適性及安全性的要求越來越高。通過深入分析發(fā)現(xiàn)，對于一輛普通的汽車，每加侖的汽油所產(chǎn)生的能量最終用在車輪行駛上的不到15%，而大部分的能量
關(guān)鍵字： MOSFET 油耗

MOSFET的開關(guān)速度將決定未來POL電源的性能

　　一個采用directfet mosfet并基于四相同步整流器的vrm能夠于高達2mhz/相位下工作，并提供120a電流，且滿足負載點電源的瞬態(tài)響應(yīng)要求。　　與十年之前以單元密度和導(dǎo)通電阻作為器件設(shè)計的主要考慮因素相比，功率mosfet技術(shù)在發(fā)展方向上正經(jīng)歷著一場重大的變革。如今，并在可以預(yù)見的未來，開關(guān)速度正在逐步成為負載點(pol)電源應(yīng)用的決定性因素。對于工作電壓為1v或以下且對時鐘速度和電流需求更高的下一代微處理器而言，開關(guān)速度是滿足其供電要求的關(guān)鍵因素。電源的性能將取決于功率mosfet能
關(guān)鍵字： MOSFET POL 電源放大器

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mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]