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EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand 閃存

TDK開發(fā)eSSD系列 NAND閃存和閃存控制器一體化

  • 　　TDK株式會社成功開發(fā)出Single Chip固態(tài)硬盤eSSD系列，并從4月起開始銷售。eSSD系列是通過多芯片封裝技術(shù)(MCP)、把TDK SSD控制器GBDriver RS3和NAND型閃存一芯化的Serial ATA(SATA) 3Gbps SSD。 　　該產(chǎn)品在尺寸僅為17mm×17mm的208-ball BGA封裝(球柵陣列封裝)面積上實現(xiàn)了1GByte~4GByte的閃存容量，與將閃存和SSD控制器分別進(jìn)行安裝的情況相比，不僅可以縮小基板的尺寸，而且還可以降低安裝成本。因此，
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NAND產(chǎn)業(yè)經(jīng)受住了日本地震的打擊

  • 　　日本災(zāi)害造成巨大的人員傷亡，一年后，繼續(xù)給日本民眾與經(jīng)濟(jì)留下難以磨滅的印跡。但是，在制造業(yè)方面存在一線希望，即災(zāi)害對于NAND閃存產(chǎn)業(yè)的影響不大而且只是暫時影響。這是日本的主要產(chǎn)業(yè)之一。據(jù)IHS公司的資料與分析，在日本發(fā)生災(zāi)害一年后，由于平板電腦、智能手機(jī)和固態(tài)硬盤(SSD)等需要大量存儲的應(yīng)用需求上升，NAND產(chǎn)業(yè)繼續(xù)增長。 　　受日本災(zāi)害影響最大的NAND閃存供應(yīng)商是東芝。它的兩家NAND芯片廠Fab 3和Fab 4占全球NAND產(chǎn)能的35%，位于距離震中500英里的四日市。在地震之后，這兩家工
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NAND產(chǎn)業(yè)經(jīng)受住了日本地震的打擊

  • 　　日本災(zāi)害造成巨大的人員傷亡，一年后，繼續(xù)給日本民眾與經(jīng)濟(jì)留下難以磨滅的印跡。但是，在制造業(yè)方面存在一線希望，即災(zāi)害對于NAND閃存產(chǎn)業(yè)的影響不大而且只是暫時影響。這是日本的主要產(chǎn)業(yè)之一。據(jù)IHS公司的資料與分析，在日本發(fā)生災(zāi)害一年后，由于平板電腦、智能手機(jī)和固態(tài)硬盤(SSD)等需要大量存儲的應(yīng)用需求上升，NAND產(chǎn)業(yè)繼續(xù)增長。 　　受日本災(zāi)害影響最大的NAND閃存供應(yīng)商是東芝。它的兩家NAND芯片廠Fab 3和Fab 4占全球NAND產(chǎn)能的35%，位于距離震中500英里的四日市。在地震之后，這兩家工
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2011年第四季度NOR閃存營業(yè)收入環(huán)比下降9%

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的移動市場存儲報告，由于經(jīng)濟(jì)形勢糟糕和泰國洪災(zāi)導(dǎo)致PC出貨量下降，2011年第四季度NOR閃存營業(yè)收入環(huán)比下降9%。 　　2011年第四季度NOR閃存營業(yè)收入從第三季度的10.5億美元降至9.53億美元。第二季度NOR營業(yè)收入略有增長，從11.6億美元上升到11.7億美元，如圖2所示。 　　第四季度NOR營業(yè)收入下降的主要原因，是10月泰國發(fā)生洪災(zāi)導(dǎo)致PC出貨量減少。洪水破壞了泰國的硬盤工廠，造成硬盤短缺，導(dǎo)致PC銷量下降。NOR營業(yè)收入減少的其它原因包括：在全球經(jīng)濟(jì)黯
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蘋果轉(zhuǎn)單海力士　三星NAND營收比重略減

  • 　　市場研究機(jī)構(gòu)DIGITIMESResearch專桉經(jīng)理徐康沛分析指出，全球最大記憶體製造商三星電子(SamsungElectronics)受主要客戶蘋果(Apple)將NANDFlash大部分訂單轉(zhuǎn)予海力士(Hynix)的影響，2011年第四季NANDFlash營收較前季約減少5%，DRAM營收則微增，使NANDFlash佔該公司記憶體營收比重降至38%，佔全球NANDFlash營收比重亦續(xù)降至34.6%。 　　反觀海力士，其NANDFlash佔公司營收比重則維持在30%，佔全球NANDFlash營
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利用NAND Flash實現(xiàn)嵌入式系統(tǒng)的遠(yuǎn)程更新

  • 利用NAND Flash實現(xiàn)嵌入式系統(tǒng)的遠(yuǎn)程更新,引言
    嵌入式系統(tǒng)在各個領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，嵌入式系統(tǒng)的維護(hù)與升級也變得日益重要。由于新技術(shù)的不斷涌現(xiàn)和對系統(tǒng)功能、性能等要求的不斷提高，開發(fā)者必須能夠針對系統(tǒng)進(jìn)行升級和維護(hù)，以延長系統(tǒng)的使用周期，
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固態(tài)硬盤每GB容量價格將跌破1美元

  • 　　1GB 1美元——這很久以來就被視為固態(tài)硬盤真正全民普及、成為大眾化主流配置的一道門檻，而根據(jù)DRAMeXchange的最新報告，今年下半年就能以低于1GB 1美元的價格買到固態(tài)硬盤。20nm、19nm等最新NAND閃存工藝將在今年下半年投入大規(guī)模量產(chǎn)，閃存芯片的成本也會進(jìn)一步降低，每 GB將會不足1美元。DRAMeXchange預(yù)計，在那之后超極本、超輕薄本都會從混合硬盤過渡到純粹的固態(tài)硬盤，而后者的主流容量也將升至 128GB。 　　隨著Intel Ivy Bridge處
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NAND FLASU在儲存測試系統(tǒng)中的應(yīng)用

  • 摘要：主要介紹了三星公司的NANDFIJASH存儲器K9K8G08UOM、以FPGA為核心模塊控制K9K8G08UOM的讀操作、寫操作...
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NAND閃存存儲器的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計

  • NAND閃存存儲器的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計,閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲設(shè)計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的閃存芯片。一個NAND類型的閃存芯片的存儲空間是由塊(Block)構(gòu)成，每個塊又劃分為固定大小的頁，塊是擦
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研究顯示智能手機(jī)性能瓶頸在于閃存而非網(wǎng)絡(luò)

  • 　　佐治亞理工學(xué)院和 NEC 合作的一項研究顯示, 盡管大部分專家和普通用戶都認(rèn)為 CPU 和糟糕的無線網(wǎng)絡(luò)是智能手機(jī)性能問題的主要原因, 但事實上對于大部分現(xiàn)代智能手機(jī), 存儲設(shè)備速度的落后才是手機(jī)性能低下的罪魁禍?zhǔn)? 糟糕的閃存而非 CPU 速度或網(wǎng)絡(luò)連接導(dǎo)致了瀏覽網(wǎng)頁和閱讀文檔時的手機(jī)卡頓. 　　在對數(shù)款銷量最好的 16GB 存儲卡的測試中, 研究人員使用了最常見的幾種安卓手機(jī), 結(jié)果發(fā)現(xiàn)在大部分手機(jī)上 NAND 閃存會導(dǎo)致移動應(yīng)用的性能下降兩到三倍. 唯一例外是金士頓的嵌入式存儲卡 - 它導(dǎo)致的
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閃存時代來臨：傳統(tǒng)機(jī)械硬盤難滿足云計算需求

  • 　　閃存存儲器將成為云計算和虛擬化的重要組成部分，現(xiàn)在是時候拋棄傳統(tǒng)硬盤了。云計算和虛擬化已經(jīng)極大地改變了服務(wù)器基礎(chǔ)架構(gòu)，但真正推動存儲行業(yè)復(fù)興則是固態(tài)硬盤和閃存的崛起。 　　閃存將繼續(xù)為企業(yè)領(lǐng)域帶來亟需的推動作用。從Fusion-io去年的IPO(首次公開招股)，到Nutanix和Tintri等最近出現(xiàn)的一系列風(fēng)險投資支持的創(chuàng)業(yè)公司，閃存的作用正在越來越大。 　　隨著通過虛擬化和云計算部署的應(yīng)用和數(shù)據(jù)庫數(shù)量的增多，傳統(tǒng)硬盤存儲序列正在成為嚴(yán)重的性能瓶頸，逐漸被市場邊緣化。虛擬化和云計算基礎(chǔ)架構(gòu)可以減
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基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲管理在TMS320F28x中的實現(xiàn)

  • 基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲管理在TMS320F28x中的實現(xiàn),　Nand Flash作為一種安全、快速的存儲體，因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù) 據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點，已逐步取代其它半導(dǎo)體存儲元件，成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲的主 要載體。盡管Nand Flash的每個單元塊相互獨
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MAX16065/MAX16066閃存可配置系統(tǒng)管理器

  • MAX16065/MAX16066閃存可配置系統(tǒng)管理器能夠?qū)Χ鄠€系統(tǒng)電壓進(jìn)行監(jiān)測、排序。MAX16065/MAX16066還可利用一個 ...
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基于閃存的微控制器在代碼發(fā)布中的代碼保護(hù)

  • 包裝信息可能包含：指定目標(biāo)設(shè)備、代碼版本、大小、日期和其它對用戶有用的信息。這個信息可警告操作員正在使 ...
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全球第四季度NAND閃存芯片市場規(guī)模達(dá)到48.9億美元

  • 　　據(jù)媒體報道，根據(jù)亞洲最大芯片現(xiàn)貨市場的交易商集邦科技(DramexchangeTechnologyInc)提供的最新數(shù)據(jù)，2011年第四季度全球第四季度NAND閃存芯片市場規(guī)模達(dá)到48.9億美元，環(huán)比下滑了8.6%。三星電子依然是該市場的龍頭，市場份額達(dá)到了34.6%。 　　集邦科技提供的數(shù)據(jù)顯示，NAND閃存出貨環(huán)比增長了大約5%，而平均銷售價格則環(huán)比下滑了13%。集邦科技指出，雖然存儲卡和閃存的零售增幅依然緩慢，但是智能手機(jī)和平板電腦制造商對閃存的需求依然非常強(qiáng)勁。 　　集邦科技指出，三星電子
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nand 閃存介紹

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