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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> nand 閃存

納米制程遇瓶頸 業(yè)者紛紛投入3D存儲(chǔ)器的開發(fā)

  • 　　隨著存儲(chǔ)器容量越來越大，NAND Flash產(chǎn)業(yè)制程在進(jìn)入20納米制程后，也開始遇到瓶頸，業(yè)界在未來制作更大容量存儲(chǔ)器上，面臨是否繼續(xù)發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術(shù)上些微領(lǐng)先最大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手公司韓國(guó)三星電子(Samsung Electronics)，但短期內(nèi)該技術(shù)也將可能面臨瓶頸，因此如東芝(Toshiba)及爾必達(dá)(Elpida)等公司，均已決定投入3D存儲(chǔ)器的開發(fā)。 　
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今年游戲主機(jī)NAND flash內(nèi)存密度提高40%

  • 　　內(nèi)存的成本高昂，今年 NAND 在家庭主機(jī)和手持設(shè)備上的密集度仍將提高 40% 以上，而這是游戲最主要的游戲環(huán)境。 　　今年家用游戲主機(jī)的 NAND 平均密度預(yù)計(jì)達(dá) 923MB，較去年的 649MB 提高 42.2%。今年手持游戲設(shè)備的 NAND 平均密度則預(yù)計(jì)自去年的 87MB 增長(zhǎng) 41.4%，達(dá) 123MB。 　　
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LSI推出CacheVault Flash高速緩存保護(hù)技術(shù)

  • 　　LSI公司日前宣布推出一款 MegaRAID CacheVault技術(shù)，用于為 LSI MegaRAID 6Gb/s SATA+SAS RAID 控制卡提供基于閃存的高速緩存保護(hù)功能。MegaRAID CacheVault 采用固態(tài) NAND 閃存，能夠在電源發(fā)生故障的時(shí)候自動(dòng)將高速緩存中的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到閃存中，從而為存儲(chǔ)在 RAID 控制器緩存中的數(shù)據(jù)提供強(qiáng)大的保護(hù)。CacheVault 技術(shù)避免了采用鋰離子電池的麻煩，并可節(jié)約相關(guān)的硬件維護(hù)成本，從而實(shí)現(xiàn)更環(huán)保、總體成本更低的高速緩存保護(hù)解決方案。
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2011年NAND閃存密度將增長(zhǎng)40%以上

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的NAND閃存研究報(bào)告，盡管NAND閃存成本較高妨礙其進(jìn)入游戲硬件，但2011年家庭游戲機(jī)與手持游戲機(jī)中的NAND密度將增長(zhǎng)40%以上。 　　
  • 關(guān)鍵字： 索尼  NAND  

閃存將取代磁盤成為新型存儲(chǔ)嗎

  • 　　很多評(píng)論家，包括ESG的分析師都已經(jīng)開始預(yù)測(cè)，在未來短短幾年內(nèi)，閃存將在主存儲(chǔ)中完全取代磁盤，使閃存成為一種新型的磁盤。他們的基本論點(diǎn)是，因?yàn)楣虘B(tài)盤(SSD)是基于集成電路的，所以他們的價(jià)格遵循摩爾定律，然而作為一種不可靠的機(jī)械裝置的硬盤卻并非如此。
  • 關(guān)鍵字： 閃存  磁盤  

閃存將取代磁盤成為新型存儲(chǔ)嗎？

  • 　　很多評(píng)論家，包括ESG的分析師都已經(jīng)開始預(yù)測(cè)，在未來短短幾年內(nèi)，閃存將在主存儲(chǔ)中完全取代磁盤，使閃存成為一種新型的磁盤，磁盤成為新型的磁帶，而磁帶變成老舊的磁帶，甚至是死亡。雖然沒有什么比不再用聽到磁頭劃過盤片的聲音更好的事了，但是我認(rèn)為這些評(píng)論者可能有點(diǎn)樂觀了，就像是時(shí)尚人士預(yù)測(cè)深褐色會(huì)成為一種新的黑顏色一樣。
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三星電子韓國(guó)新NAND廠預(yù)計(jì)9月投產(chǎn)

  • 　　三星電子一家新的存儲(chǔ)半導(dǎo)體制造廠將于9月投入運(yùn)營(yíng)。消息人士說，新廠編號(hào)為“Line-16”，主要生產(chǎn)NAND芯片。 　　2010年5月時(shí)，三星在韓國(guó)京畿道(Gyeonggi Province)華城(Hwaseong)破土動(dòng)工，建立新的工廠。此前三星曾透露說，Line-16工廠月產(chǎn)20萬(wàn)片12寸圓晶。
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東芝和SanDisk日本建第3個(gè)NAND半導(dǎo)體工廠

  • 　　日前東芝和SanDisk在日本建立了第三家半導(dǎo)體工廠，以應(yīng)對(duì)智能手機(jī)和平板電腦的快速發(fā)展而帶來的對(duì)閃存芯片的大量需求。該工廠主要生產(chǎn)300毫米晶片NAND半導(dǎo)體，工廠名稱為“Fab 5”。
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東芝與Sandisk共慶NAND閃存工廠Fab5正式投產(chǎn)

  • 　　東芝株式會(huì)社 與Sandisk公司日前共同慶祝位于日本三重縣四日市東芝生產(chǎn)基地的第三家300mm晶圓NAND生產(chǎn)工廠Fab 5正式投產(chǎn)。
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數(shù)碼產(chǎn)品普及 閃存將引領(lǐng)存儲(chǔ)潮流

  • 　　隨著數(shù)碼產(chǎn)品，如智能手機(jī)和單反數(shù)碼相機(jī)等的高速發(fā)展和普及，人們對(duì)體積小容量大的閃存類產(chǎn)品需求越來越大。在很多時(shí)候，閃存品質(zhì)的好壞甚至直接影響到了數(shù)碼產(chǎn)品性能的發(fā)揮和數(shù)據(jù)的安全。近日，全球閃存領(lǐng)導(dǎo)品牌SanDisk閃迪中國(guó)區(qū)銷售總監(jiān)郭文利先生造訪昆明，記者對(duì)其進(jìn)行了采訪，就閃存市場(chǎng)的發(fā)展和閃迪中國(guó)市場(chǎng)策略進(jìn)行了溝通。
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基于FPGA的NAND Flash ECC校驗(yàn)

  • 摘要 基于Flash存儲(chǔ)器的Hamming編碼原理，在Altera QuartusⅡ7．0開發(fā)環(huán)境下，實(shí)現(xiàn)ECC校驗(yàn)功能。測(cè)試結(jié)果表明，該程序可實(shí)現(xiàn)每256 Byte數(shù)據(jù)生成3 Byte的ECC校驗(yàn)數(shù)據(jù)，能夠檢測(cè)出1 bit錯(cuò)誤和2 bit錯(cuò)誤，對(duì)于1 bit錯(cuò)誤
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蘋果三星風(fēng)波引發(fā)四大半導(dǎo)體廠商主演四角戀大戲

  • 　　最近舉辦的Semicon West2011半導(dǎo)體業(yè)界大會(huì)上，三星與蘋果之間的知識(shí)產(chǎn)權(quán)爭(zhēng)端事件顯然會(huì)是一個(gè)有趣的話題。目前，三星正準(zhǔn)備于8月份開始量產(chǎn)蘋果手機(jī)/平板電腦用 A5 SoC芯片。而且他們最近花費(fèi)36億美元對(duì)奧斯汀芯片廠進(jìn)行了升級(jí)，使其產(chǎn)能能夠在NAND或邏輯芯片產(chǎn)品之間自由切換，不過三星顯然希望能夠在保住蘋果 芯片訂單的前提下繼續(xù)拓展自己的代工業(yè)務(wù)。
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東芝縮小與三星在NAND閃存差距

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，東芝在2011年第一季度NAND閃存市場(chǎng)大有要超過三星之兆，這兩家廠商的市場(chǎng)份額差距從2010年第四季度的1.1個(gè)百分點(diǎn)縮小到只有0.3個(gè)百分點(diǎn)。長(zhǎng)期以來，三星一直是最大的NAND閃存廠商?！　?/li>
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第一季度NAND閃存領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)加劇

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，2011年第一季度NAND閃存領(lǐng)域爭(zhēng)奪頭號(hào)排名的競(jìng)爭(zhēng)加劇，排名第二的東芝接近與三星電子平起平坐。長(zhǎng)期以來，三星一直是最大的NAND閃存廠商?！?/li>
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武漢力源代理銷售Greenliant產(chǎn)品

  • 　　武漢力源信息技術(shù)股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱武漢力源)，日前與節(jié)能、高可靠性和安全性存儲(chǔ)器和固態(tài)存儲(chǔ)產(chǎn)品領(lǐng)域首屈一指供應(yīng)商Greenliant簽署了代理協(xié)議。根據(jù)雙方的協(xié)定,作為Greenliant的授權(quán)目錄分銷商, 武漢力源將在中國(guó)地區(qū)推廣和銷售Greenliant全部的NANDrive嵌入式固態(tài)存儲(chǔ)器(SSD)、NAND閃存控制器和特殊閃存產(chǎn)品。
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nand 閃存介紹

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