nand 閃存 文章 進入nand 閃存技術社區(qū)
2011年全球DRAM經(jīng)營慘淡
- 2010年對于全球半導體產(chǎn)業(yè)而言,可說是值得紀念的一年,拓墣產(chǎn)業(yè)研究所研究員陳蘭蘭表示,2010年全球半導體產(chǎn)業(yè)年成長率將高達30%,創(chuàng)下10年以來新高紀錄。然而,受到PC產(chǎn)業(yè)成長趨緩影響,2011年全球半導體產(chǎn)業(yè)僅將成長5%,移動通訊產(chǎn)品反成為支撐整體產(chǎn)業(yè)成長的重要動能。預估2011年移動通訊用產(chǎn)品占總體半導體比重將從2010年的26%提升至30%,Mobile DRAM和NAND Flash的重要性,也將隨著智能手機等移動通訊產(chǎn)品興起而與日俱增。
- 關鍵字: SAMSUNG DRAM NAND
三星半導體16產(chǎn)線將轉(zhuǎn)產(chǎn)閃存
- 三星電子(Samsung Electronics)投入總金額12兆韓元(約108.36億美元)于京畿道華城市增設的半導體廠,決定將先提供閃存(NANDFlash)量產(chǎn)使用。據(jù)南韓電子新聞報導,三星預計于2011年初完工的半導體華城廠16產(chǎn)線,將于2011年下半開始優(yōu)先量產(chǎn)閃存。 2010年5月在三星會長李健熙的參與下,華城廠16產(chǎn)線正式動工。包含建筑物費用等將階段性投入12兆韓元進行建設。三星半導體16產(chǎn)線以12吋晶圓為基準,每月最大產(chǎn)能可達20萬片以上。 三星將優(yōu)先在16產(chǎn)線進行閃存生產(chǎn)
- 關鍵字: 三星 閃存
固態(tài)硬盤備受NAND Flash廠商親賴
- 固態(tài)硬盤一直以來為各家NAND Flash廠商所寄予厚望的產(chǎn)品,主要是固態(tài)硬盤對于NAND Flash的使用量來說是一般內(nèi)建式應用產(chǎn)品、隨身碟與記憶卡的數(shù)倍之多,因此對于固態(tài)硬盤對于NAND Flash消耗量來說有很大的幫助。而從消費者的論點來看,固態(tài)硬盤的傳輸速度為傳統(tǒng)硬盤的兩倍以上,同時也兼具了省電與抗震動的特點,因此,DRAMeXchange認為,在未來高畫質(zhì)影音與大容量檔案傳輸?shù)男枨髮⒋蠓嵘?,對于固態(tài)硬盤的需求若能在價格有效下降至可接受的范圍將會開始提升。
- 關鍵字: 固態(tài)硬盤 NAND
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