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EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand 閃存

應用于閃存微控制器的“新閃存”架構(gòu)技術

  • 應用于閃存微控制器的“新閃存”架構(gòu)技術,  簡介  嵌入式微控制器越來越多樣化,可以滿足嵌入式系統(tǒng)市場的應用需求,而主流已經(jīng)從傳統(tǒng)的掩模ROM微控制器轉(zhuǎn)向了內(nèi)置閃存(可擦寫的非易失性只讀存儲器)的閃存微控制器?! ¢W存微控制器目前有兩種主要應用:
  • 關鍵字: 閃存  技術  架構(gòu)  控制器  應用  

用于SD卡的NAND flash控制芯片的設計

  •   O 引言  Flash是一種非易失存儲器,它在掉電條件下仍然能夠長期保持數(shù)據(jù)。由于它具有容量大、速度快、功耗低、抗震性能好等優(yōu)點,近幾年在U盤、SD卡、SSD硬盤等各種移動存儲設備中得到了廣泛的應用。本文給出了
  • 關鍵字: 芯片  設計  控制  flash  SD  NAND  用于  

未來幾年NAND閃存將面臨過剩隱憂

  •   據(jù)iSuppli公司,由于智能手機以及平板電腦的使用量增加,2010年全球NAND閃存營業(yè)收入將達到最高紀錄。   預計2010年NAND閃存營業(yè)收入將達到187億美元,比去年的135億美元勁增38%,部分利益于智能手機和蘋果iPad等消費電子產(chǎn)品的使用量增加。由于今年下半年和明年供需雙雙增長,2011年NAND閃存市場將繼續(xù)增長,盡管不及今年強勁。iSuppli公司的數(shù)據(jù)顯示,預計明年NAND閃存市場上升25%至225億美元。   
  • 關鍵字: NAND  智能手機  

2011年全球DRAM經(jīng)營慘淡

  •   2010年對于全球半導體產(chǎn)業(yè)而言,可說是值得紀念的一年,拓墣產(chǎn)業(yè)研究所研究員陳蘭蘭表示,2010年全球半導體產(chǎn)業(yè)年成長率將高達30%,創(chuàng)下10年以來新高紀錄。然而,受到PC產(chǎn)業(yè)成長趨緩影響,2011年全球半導體產(chǎn)業(yè)僅將成長5%,移動通訊產(chǎn)品反成為支撐整體產(chǎn)業(yè)成長的重要動能。預估2011年移動通訊用產(chǎn)品占總體半導體比重將從2010年的26%提升至30%,Mobile DRAM和NAND Flash的重要性,也將隨著智能手機等移動通訊產(chǎn)品興起而與日俱增。   
  • 關鍵字: SAMSUNG  DRAM  NAND  

NAND Flash的壞塊管理設計

  • NAND Flash的壞塊管理設計,摘要:主要介紹了基于嵌入式Linux的NAND Flash壞塊管理設計和實現(xiàn)方案,詳細闡述了壞塊映射表的建立、維護及其相關算法,同時分析了此壞塊算法在Linux內(nèi)核及Bootloader中的具體應用。測試結(jié)果表明該算法能夠處理NAND
  • 關鍵字: 設計  管理  Flash  NAND  

NAND Flash管理算法的設計及實現(xiàn)

  • 給出了一款基于8051的高性能、低成本的NAND flash控制芯片的設計方法,文中集中研究了其中的軟件部分,探討了管理flash物理塊的算法,提出了塊級和頁級兩級地址映射機制以及映射信息在flash的存儲定義,同時還提出了對flash的分區(qū)方法。
  • 關鍵字: 設計  實現(xiàn)  算法  管理  Flash  NAND  

DRAM市場價格持續(xù)下跌

  •   隨著DRAM和NANDFlash市場價格持續(xù)崩跌,不僅上游DRAM廠營收紛呈現(xiàn)大幅衰退情況,下游存儲器模塊廠亦受到牽累,10月營收亦持續(xù)下滑,其中,威剛10月營收較9月減少達17.1%。威剛表示,預期11月營收將因為產(chǎn)業(yè)景氣進入淡季,而持續(xù)呈現(xiàn)衰退景況,公司因應策略是致力降低庫存水位,將庫存維持在約3~4周水平。   
  • 關鍵字: DRAM  NAND  

DRAM市場價格持續(xù)下跌

  •   隨著DRAM和NANDFlash市場價格持續(xù)崩跌,不僅上游DRAM廠營收紛呈現(xiàn)大幅衰退情況,下游存儲器模塊廠亦受到牽累,10月營收亦持續(xù)下滑,其中,威剛10月營收較9月減少達17.1%。威剛表示,預期11月營收將因為產(chǎn)業(yè)景氣進入淡季,而持續(xù)呈現(xiàn)衰退景況,公司因應策略是致力降低庫存水位,將庫存維持在約3~4周水平。   
  • 關鍵字: 三星  DRAM  NAND  

3C大廠合力推動UFS實現(xiàn)NAND應用接口標準統(tǒng)一

  •   集邦科技旗下研究機構(gòu) DRAMeXchange 指出,JEDEC Task group 中的一些主要成員如:三星 (Samsung)、諾基亞(Nokia)、美光(Micron)、高通(Qualcomm)、英特爾(Intel)、東芝(Toshiba)、晟碟(SanDisk)、德州儀器(TI)、意法半導體(ST)等國際大廠,近期正在積極推動新的 NAND Flash 應用接口標準 UFS (universal Flash storage)的規(guī)格制定事宜。  
  • 關鍵字: 三星  NAND  UFS  

三星半導體16產(chǎn)線將轉(zhuǎn)產(chǎn)閃存

  •   三星電子(Samsung Electronics)投入總金額12兆韓元(約108.36億美元)于京畿道華城市增設的半導體廠,決定將先提供閃存(NANDFlash)量產(chǎn)使用。據(jù)南韓電子新聞報導,三星預計于2011年初完工的半導體華城廠16產(chǎn)線,將于2011年下半開始優(yōu)先量產(chǎn)閃存。   2010年5月在三星會長李健熙的參與下,華城廠16產(chǎn)線正式動工。包含建筑物費用等將階段性投入12兆韓元進行建設。三星半導體16產(chǎn)線以12吋晶圓為基準,每月最大產(chǎn)能可達20萬片以上。   三星將優(yōu)先在16產(chǎn)線進行閃存生產(chǎn)
  • 關鍵字: 三星  閃存  

三星半導體16產(chǎn)線將轉(zhuǎn)產(chǎn)閃存

  •   三星電子(SamsungElectronics)投入總金額12兆韓元(約108.36億美元)于京畿道華城市增設的半導體廠,決定將先提供閃存(NANDFlash)量產(chǎn)使用。據(jù)南韓電子新聞報導,三星預計于2011年初完工的半導體華城廠16產(chǎn)線,將于2011年下半開始優(yōu)先量產(chǎn)閃存。   
  • 關鍵字: 三星半導體  NAND  

固態(tài)硬盤備受關注

  •   DRAMeXchange 最新發(fā)表的研究報告指出,固態(tài)硬盤(SSD)一直以來為各家 NAND Flash 廠商所寄予厚望的產(chǎn)品,主要是固態(tài)硬盤對于 NAND Flash 的使用量來說是一般內(nèi)建式應用產(chǎn)品、U盤與記憶卡的數(shù)倍之多,因此對于固態(tài)硬盤對于NAND Flash消耗量來說有很大的幫助。   
  • 關鍵字: 固態(tài)硬盤  NAND  

固態(tài)硬盤備受NAND Flash廠商親賴

  •   固態(tài)硬盤一直以來為各家NAND Flash廠商所寄予厚望的產(chǎn)品,主要是固態(tài)硬盤對于NAND Flash的使用量來說是一般內(nèi)建式應用產(chǎn)品、隨身碟與記憶卡的數(shù)倍之多,因此對于固態(tài)硬盤對于NAND Flash消耗量來說有很大的幫助。而從消費者的論點來看,固態(tài)硬盤的傳輸速度為傳統(tǒng)硬盤的兩倍以上,同時也兼具了省電與抗震動的特點,因此,DRAMeXchange認為,在未來高畫質(zhì)影音與大容量檔案傳輸?shù)男枨髮⒋蠓嵘?,對于固態(tài)硬盤的需求若能在價格有效下降至可接受的范圍將會開始提升。   
  • 關鍵字: 固態(tài)硬盤  NAND  

美光 NAND 產(chǎn)品獲 HLDS 全球首款具有板載儲存的混合光驅(qū)采用

  •   美光科技 (Micron Technology Inc.) 宣布,美光獲獎的25nm NAND 已獲日立LG數(shù)據(jù)儲存公司 (Hitachi-LG Data Storage Inc. 簡稱 HLDS) 采用作為其新型混合光驅(qū) (ODD) 的閃存解決方案。此款采用美光 25nm NAND 技術的新型 HLDS Hybrid Drive 提供高容量儲存和可修改功能,是針對個人計算機、DVD 播放器和藍光產(chǎn)品的綜合解決方案。   美光的 25nm NAND 處理技術提供單一設備中8GB 儲存容量,滿足新應用
  • 關鍵字: 美光  NAND  
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nand 閃存介紹

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