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EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand 閃存

今年 Q1 NAND閃存市調(diào)報告出爐 三星東芝占據(jù)大半江山

  •   據(jù)iSuppli市調(diào)公司2010年第一季度的NAND閃存市場調(diào)查報告顯示,三星與東芝公司兩家占據(jù)了NAND閃存市場的絕大部分份額,其中三星的營收 份額最高,達到了38.5%,東芝則位居第二為33.8%,兩者合在一起占據(jù)了72.3%的NAND閃存市場營收份額。按美元計算,今年第一季度NAND 閃存的市場總值達到43.6億美元,比去年第四季度NAND閃存市場總值43.3億美元提升了0.6%。由于季節(jié)性因素的影響,每年的第一季度閃存市場一 般都會比上一年最后一季度有所萎縮,而今年則反其道而行,iSuppli
  • 關鍵字: 三星  NAND  閃存  

Intel 開始出貨25nm 8GB 閃存芯片

  •   英特爾今天開始出貨25納米NAND閃存,容量為8GB,新款芯片外型上比原有的34nm版本更小,但存儲能力卻增加了一倍,這種芯片主要面向智能手機和多媒體播放器。   同時英特爾還暗示600GB的固態(tài)硬盤產(chǎn)品將在今年年末出現(xiàn),使用的應該也就是這款閃存芯片。
  • 關鍵字: 英特爾  25納米  NAND  

三星第一季度NAND Flash市占逼近40%大關

  •   2010年第1季全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)市占率中,仍以三星電子(Samsung Electronics)位居龍頭,根據(jù)集邦統(tǒng)計,三星的市占率高達39.2%,東芝(Toshiba)以34.4%市占率緊追在后,第1季位元成長率較上季增加15%,但平均單價(ASP)小跌5%,全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值規(guī)模約43.63億美元,較上季39.1億元成長11.6%。   NAND Flash產(chǎn)業(yè)2009年率先落底反彈,但2010年表現(xiàn)空間不多,在DRAM、NOR Flash、SDRAM和Mobile
  • 關鍵字: Samsung  NAND  DRAM  

美光12億美元并恒憶 坐擁DRAM、NAND、NOR三大技術

  •   美光科技(Micron Technology Inc.)7日宣布完成收購NOR Flash大廠恒憶(Numonyx B.V.)的所有程序。依據(jù)協(xié)議,美光已發(fā)行大約1.38億股普通股(大約相當于12億美元)給恒憶股東(英特爾、意法半導體、私募股權基金Francisco Partners)。   完成收購恒憶后美光成為同時擁有DRAM、NAND以及NOR技術的記憶體晶片大廠。恒憶去年第4季營收約5.50億美元,自由現(xiàn)金流量達4,200萬美元。交易完成后美光/恒憶將與意法共享位于義大利Agrate的&ld
  • 關鍵字: 美光  DRAM  NAND  NOR  

傳英特爾今年發(fā)布600GB 25nm SSD

  •   Fudzilla消息,英特爾今年將有SSD方面的大計劃,預計在今年第四季度,公司將展示一款160GB-600GB的大容量高速SSD產(chǎn)品。   這種SSD基于25nm MLC NAND Flash打造,取代之前的34nm MLC技術,容量包括160、300和600GB,屬于第二代X25-M產(chǎn)品序列,包含1.8和2.5英寸版本。   其中1.8英寸版本最大容量300GB,將成為供應家庭娛樂和消費電子的主推產(chǎn)品。
  • 關鍵字: 英特爾  SSD  NAND  

海力士:一季度DRAM芯片平均售價季漲3%

  •   以收入計全球第二大電腦記憶芯片制造商海力士半導體公司(Hynix Semiconductor Inc.)22日公布,一季度公司動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)平均售價季比上升3%,09年四季度漲幅為26%。   然而,海力士半導體公司在一份聲明中稱,一季度NAND快閃記憶芯片售價季比下降8%,09年四季度降幅為5%。   該公司補充道,一季度DRAM芯片發(fā)貨量季比上升6%,NAND芯片發(fā)貨量季比持平。   海力士半導體公布,該公司一季度營業(yè)利潤率為28%,09年四季度該公司營業(yè)利潤率為25%。
  • 關鍵字: 海力士  NAND  DRAM  

抓緊景氣回升 IM Flash新加坡廠提前運作

  •   英特爾(Intel)和美系記憶體大廠美光(Micron)所成立的合資企業(yè)IM Flash,為了趕上半導體業(yè)2010年牛氣沖天的景氣,決定讓新加坡廠重啟營運。   2005年英特爾和美光因看好NAND Flash市場,遂于2006年初合資成立IM Flash,由英特爾出錢出力,美光則提供技術,由IM Flash專門為這2家公司生產(chǎn)NAND Flash。但在半導體景氣循環(huán)來到低點,再加上金融海嘯的沖擊下,IM Flash受到嚴重沖擊,在2008年IM Flash裁員800人,花費35億美元打造,本應于2
  • 關鍵字: 三星電子  NAND  Flash  

三星電子全球率先批量生產(chǎn)20納米制程NAND閃存

  •   據(jù)外電報道,三星電子表示,該公司從上周末開始批量生產(chǎn)20納米制程32GB多層單元(MLC)NAND閃存。   20納米制程32GB多層單元NAND閃存的生產(chǎn)性,比30納米制程高50%左右。三星電子在全球半導體行業(yè)率先投入到了量產(chǎn)。   三星電子相關負責人表示,公司同時開發(fā)20納米制程32GB多層單元專用controller,確保了與30納米級NAND閃存相同的穩(wěn)定性。   三星電子的20納米制程NAND閃存將先用于手機存儲卡SD卡。   此外,今年2月公布開發(fā)20納米制程64GB NAND閃存
  • 關鍵字: 三星電子  20納米  NAND  

Nand+Flash存儲管理在DSP系統(tǒng)中的實現(xiàn)

  • Nand+Flash存儲管理在DSP系統(tǒng)中的實現(xiàn), Nand Flash作為一種安全、快速的存儲體,因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù) 據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點,已逐步取代其它半導體存儲元件,成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲的主 要載體。盡管Nand Flash的每個單元塊相互獨
  • 關鍵字: 系統(tǒng)  實現(xiàn)  DSP  管理  Flash  存儲  Nand  

三星第一季營業(yè)利潤38億美元同比猛增7倍

  •   據(jù)國外媒體報道,三星電子今天發(fā)布的財報顯示,受益于PC需求增加以及電視價格上漲,該公司第一季度營業(yè)利潤同比猛增7倍。   利潤增長   三星的初步財報顯示,該公司第一季度營業(yè)利潤約為4.3萬億韓元(約合38億美元),上下浮動區(qū)間為2000億韓元,去年同期調(diào)整后營業(yè)利潤僅為 5900億韓元。根據(jù)彭博社的調(diào)查,15名分析師此前對三星營業(yè)利潤的中位數(shù)預期為4.27萬億韓元。   外界預計,受到存儲芯片以及平板顯示器價格上漲的刺激,三星第一季度將創(chuàng)下今年最好業(yè)績。受此影響,三星股價周一創(chuàng)下歷史新高。分析
  • 關鍵字: 三星電子  NAND  存儲芯片  

分析師認為全球芯片市場仍有支撐點

  •   按Benchmark Euqity研究公司報道, 緊接著2009年未的迅速地復蘇, 進入2010年時全球半導體業(yè)在數(shù)量上仍有15-20%的增長。   按Benchmark的分析師Gary Mobley的看法, 從2009年1月的谷底算起,全球芯片出貨量己經(jīng)增長大於75%。在相同的期間美國費城半導體指數(shù)也增長相近的量。   當大部分工業(yè)分析師都認為今年半導體市場有20%的增長時,Benchmark分析師相信今年非   常可能有22%-24%的增長。   其中某些芯片的庫存包括存儲器,部分模擬電路
  • 關鍵字: 芯片  NAND  智能手機  

嵌入式系統(tǒng)中Nand-Flash的原理及應用

  • 嵌入式系統(tǒng)中Nand-Flash的原理及應用,當前各類嵌入式系統(tǒng)開發(fā)設計中,存儲模塊是不可或缺的重要方面。NOR和NAND是目前市場上兩種主要的非易失閃存技術。Nor-flash存儲器的容量較小、寫入速度較慢,但因其隨機讀取速度快,因此在嵌入式系統(tǒng)中,常應用在程
  • 關鍵字: 應用  原理  Nand-Flash  系統(tǒng)  嵌入式  

09年全球前十大NAND供應商排行榜出爐

  •   市場研究機構Web-Feet Research公布2009年全球NAND閃存供貨商排行榜,三星電子(Samsung Electronics)仍穩(wěn)居市占率第一名位置,其后則是東芝(Toshiba)與SanDisk;SanDisk的表現(xiàn)意外亮眼,領先美光(Micron)、海力士(Hynix)與英特爾(Intel)。   在其它市場研究機構的排行榜中,SanDisk往往并未列名,因為在某些情況下該公司是與合作伙伴東芝視為一體。Web-Feet Research報告中列出了17家閃存制造商的出貨成績,東芝與
  • 關鍵字: 三星電子  NAND  

2009年亞太半導體供應商表現(xiàn)出色

  •   來自調(diào)研公司 iSuppli的統(tǒng)計顯示,2009年半導體產(chǎn)業(yè)整體處于下滑狀態(tài),但總部在亞太地區(qū)的半導體供應商卻實現(xiàn)了逆勢上漲。   亞太區(qū)供應商專注熱門產(chǎn)品   iSuppli調(diào)研結果顯示,2009年總部位于亞太地區(qū)的半導體供應商合計營業(yè)收入實際增長2.3%,從2008年的435億美元上升到445億美元。相比之下,2009年全球半導體營業(yè)收入銳減11.7%,從2008年的2602億美元降至2299億美元。   “去年芯片產(chǎn)業(yè)形勢黯淡,而亞太地區(qū)的供應商卻設法實現(xiàn)了增長,因為他們專注于
  • 關鍵字: 芯片  NAND  

東芝計劃耗資150億日元生產(chǎn)25納米閃存

  •   東芝公司今年計劃耗資150億日元(約合1.6億美元)興建一條試驗生產(chǎn)線,生產(chǎn)小于25納米制程的NAND閃存芯片。   目前東芝生產(chǎn)的NAND閃存是采用32與43納米技術,主要應用于手機及數(shù)字相機等電子消費產(chǎn)品。為生產(chǎn)新的25納米制程以下的芯片,需使用較短光波的極紫外光微影(EUV lithography)技術,因此,東芝也將進行相應的技術升級。目前,東芝已向荷蘭半導體微影系統(tǒng)大廠ASML訂購設備,預計在今年夏天試驗投產(chǎn)。消息一經(jīng)公布,東芝在股市中漲幅達3.5%,遠遠超過同類電氣機器指數(shù)0.8%的漲幅
  • 關鍵字: 東芝  NAND  閃存  
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nand 閃存介紹

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