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Fairchild新一代PowerTrench MOSFET提供一流性能

  • 　　全球領先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild (NASDAQ: FCS) 在2016年APEC上發(fā)布了新一代100V N溝道Power MOSFET旗艦產(chǎn)品——FDMS86181 100V屏蔽柵極PowerTrench? MOSFET。 FDMS86181是Fairchild新一代PowerTrench MOSFET系列的首款器件，能夠使需要100V MOSFET的電源、電機驅動和其他應用
  • 關鍵字： Fairchild  MOSFET  

怎樣降低MOSFET損耗并提升EMI性能

  • 　　一、引言　　MOSFET作為主要的開關功率器件之一，被大量應用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損耗及其他方面的損耗，反而會引起更嚴重的EMI問題，導致整個系統(tǒng)不能穩(wěn)定工作。所以需要在減少MOSFET的損耗的同時需要兼顧模塊電源的EMI性能?！　《?、開關管MOSFET的功耗分析　　    　　MOSFET的損耗主要有以下部分組成：1.通態(tài)損耗;2.導通損耗;3.關斷損耗;4.驅動
  • 關鍵字： MOSFET  EMI  

【E課堂】MOSFET管驅動電路基礎總結

  • 　　關于MOSFET很多人都不甚理解，這次小編再帶大家仔細梳理一下，也許對于您的知識系統(tǒng)更加全面。下面是對MOSFET及MOSFET驅動電路基礎的一點總結，其中參考了一些資料?！　≡谑褂肕OS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設計也是不允許的?！　?、MOS管種類和結構　　MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N
  • 關鍵字： MOSFET  驅動電路  

同步降壓 MOSFET 電阻比的正確選擇

  • 　　進行這種折中處理可得到一個用于 FET 選擇的非常有用的起始點。通常，作為設計過程的一個組成部分，你會有一套包括了輸入電壓范圍和期望輸出電壓的規(guī)范，并且需要選擇一些 FET。另外，如果你是一名 IC 設計人員，你還會有一定的預算，其規(guī)定了 FET 成本或者封裝尺寸。這兩種輸入會幫助您選擇總 MOSFET 芯片面積。之后，這些輸入可用于對各個 FET 面積進行效率方面的優(yōu)化。 　　   　　圖 1 傳導損耗與 FET 電阻比和占空比相關 　　首先，F(xiàn)ET 電阻與其面積成反比例關系。
  • 關鍵字： MOSFET   

看懂MOSFET數(shù)據(jù)表，第5部分—開關參數(shù)

  • 　　最后，我們來到了這個試圖破解功率MOSFET數(shù)據(jù)表的“看懂MOSFET數(shù)據(jù)表”博客系列的收尾部分。在這個博客中，我們將花時間看一看MOSFET數(shù)據(jù)表中出現(xiàn)的某些其它混合開關參數(shù)，并且檢查它們對于總體器件性能的相關性(或者與器件性能沒什么關系)。 　　另一方面，諸如FET固有體二極管的輸出電荷 (QOSS) 和反向恢復電荷(Qrr) 等開關參數(shù)是造成很多高頻電源應用中大部分FET開關損耗的關鍵因素。不好意思，我說的這些聽起來有點兒前言不搭后語，不過設計人員在根據(jù)這些參數(shù)比較不同
  • 關鍵字： MOSFET  二極管  

估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升——第 2 部分

  • 　　在《估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升——第 1 部分》中，我們討論了如何設計溫升問題的電路類似方法。我們把熱源建模成了電流源。根據(jù)系統(tǒng)組件的物理屬性，計算得到熱阻和熱容。遍及整個網(wǎng)絡的各種電壓代表各個溫度?！　”疚闹校覀儼褕D 1 所示模型的瞬態(tài)響應與圖 3 所示公開刊發(fā)的安全工作區(qū)域(SOA 曲線)部分進行了對比。　　    　　圖 1 將散熱容加到&nb
  • 關鍵字： MOSFET  電路板  

估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升——第 1 部分

  • 　　在本文中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法?！　岵灏坞娐酚糜趯㈦娙葺斎朐O備插入通電的電壓總線時限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設備運行中斷。通過使用一個串聯(lián)組件逐漸延長新連接電容負載的充電時間，熱插拔器件可以完成這項工作。結果，該串聯(lián)組件具有巨大的損耗，并在充電事件發(fā)生期間產(chǎn)生溫升。大多數(shù)熱插拔設備的制造廠商都建議您查閱安全工作區(qū)域 (SOA) 曲線，以便設備免受過應力損害。圖 1 所示 
  • 關鍵字： MOSFET  

看懂MOSFET數(shù)據(jù)表，第2部分—連續(xù)電流額定值

  • 　　今天我們來談一談MOSFET電流額定值，以及它們是如何變得不真實的。好，也許一個比較好的解釋就是這些額定值不是用確定RDS(ON)?和柵極電荷等參數(shù)的方法測量出來的，而是被計算出來的，并且有很多種不同的方法可以獲得這些值?！　±?，大多數(shù)部件中都有FET“封裝電流額定值”，這個值同與周圍環(huán)境無關，并且是硅芯片與塑料封裝之間內(nèi)在連接線的一個函數(shù)。超過這個值不會立即對FET造成損壞，而在這個限值以上長時間使用將開始減少器件的使用壽命。高于這個限值的故障機制包括但不限于線路融合、成型復合材料的熱降
  • 關鍵字： MOSFET  

場效應管（MOSFET）檢測方法與經(jīng)驗

  • 　　本文總結了場效應管(MOSFET)檢測方法與經(jīng)驗　　一、用指針式萬用表對場效應管進行判別　　(1)用測電阻法判別結型場效應管的電極　　根據(jù)場效應管的PN結正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象，可以判別出結型場效應管的三個電極。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上，任選兩個電極，分別測出其正、反向電阻值。當某兩個電極的正、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時，則該兩個電極分別是漏極D和源極S。因為對結型場效應管而言，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極G。也可以將萬用表的黑表筆(紅表筆也行)任意接觸一個電極，另一只表筆
  • 關鍵字： 場效應管  MOSFET  

看懂MOSFET數(shù)據(jù)表，第1部分—UIS/雪崩額定值

  • 　　在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼，也一目了然，其它的一些參數(shù)會十分的含糊不清、模棱兩可，而其它的某些參數(shù)自始至終就毫無用處(比如說：開關時間)。在這個即將開始的博文系列中，我們將試著破解FET數(shù)據(jù)表，這樣的話，讀者就能夠很輕松地找到和辨別那些對于他們的應用來說，是最常見的數(shù)據(jù)，而不會被不同的生產(chǎn)商為了使他們的產(chǎn)品看起來更吸引人而玩兒的文字游戲所糊弄。 　　自從20世紀80年代中期在MOSFET 數(shù)據(jù)表中廣泛使用的以來，無鉗位電感開關 (UIS) 額定值就已經(jīng)被
  • 關鍵字： MOSFET  UIS  

一種寬范圍可調的小型DC-DC降壓變換器

  • 提出了一種小型可調壓DC-DC降壓變換器的結構。主電路由MOSFET管、電感器及濾波電容器構成。通過PWM波控制，由于PWM波的驅動能力較差，設計驅動電路通過與PWM發(fā)生器一同控制MOSFET管的通斷。通過改變PWM波的占空比來改變輸出電壓以達到可調壓的目的。該降壓變換器設計簡單、經(jīng)濟適用、體積較小，輸出電壓可調。主要由主電路和驅動電路組成。該變換器適用于較低壓工作場合，輸入電壓在5V至20V之間，輸出電壓在3V至18V之間。對電路的工作原理和結構進行了深入分析，并通過實物制作驗證其可行性。
  • 關鍵字： DC-DC降壓  PWM  MOSFET  驅動電路  201601  

意法半導體（ST）推出新款功率MOSFET，實現(xiàn)更小、更環(huán)保的汽車電源

  • 　　意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)針對汽車市場推出了新系列高壓N溝道功率MOSFET。新產(chǎn)品通過AEC-Q101汽車測試認證，采用意法半導體最先進、內(nèi)置快速恢復二極管的MDmeshTM DM2超結制造工藝，擊穿電壓范圍為400V至650V，可提供D2PAK、TO-220及TO-247三種封裝?！　?00V和500V兩款新產(chǎn)品是市場上同級產(chǎn)品中首個獲得AEC-Q101認證的功率MOSFET，而600V和650V產(chǎn)品性能則高于現(xiàn)有競爭產(chǎn)品。全
  • 關鍵字： 意法半導體  MOSFET  

如何通過配置負載點轉換器提供負電壓或隔離輸出電壓

  • 　　在溫度高達 210 攝氏度或需要耐輻射解決方案的惡劣環(huán)境應用中，集成型降壓解決方案可充分滿足系統(tǒng)需求。有許多應用需要負輸出電壓或諸如 +12V 或 +15V 等隔離輸出電壓為 MOSFET 柵極驅動器電路供電或者為運算放大器實現(xiàn)偏置。我們將在本文中探討如何使用 TPS50x01 配置降壓轉換器，提供負輸出電壓。此外，我們還將討論如何通過提供高于輸入壓的電壓來滿足應用需求。　　TPS50601-SP和TPS50301-HT都是專為耐輻射、地質、重工業(yè)以及油氣應用等惡劣環(huán)境開發(fā)的集成型同步降壓轉換器解決方
  • 關鍵字： MOSFET  TPS50601-SP  電壓隔離  

意法半導體（ST）推出新款電源芯片，將大幅降低家電、照明及工業(yè)設備中的待機功耗

  • 　　橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)推出符合國際零待機功耗標準的新電源管理芯片，率先為白色家電(white good)、照明及工業(yè)設備提供喚醒功能智能管理方式。這也代表著電能吸血鬼(裝置在被關掉或處于閑置狀態(tài)時仍在消耗電能)將不復存在。 　　最大限度降低用電設備的待機耗電量(也稱：電能吸血鬼)是設計人員長期努力的目標，這也推動了全世界啟用IEA[1]等國際組織提出的節(jié)能建議，即在2010年和2013年前將電器待機功耗分別降至1W和0
  • 關鍵字： 意法半導體  MOSFET  

意法半導體（ST）推出世界首款1500V超結功率MOSFET，實現(xiàn)更環(huán)保、更安全的電源應用

  • 　　意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)的新系列功率MOSFET讓電源設計人員實現(xiàn)產(chǎn)品效能最大化，同時提升工作穩(wěn)健性和安全系數(shù)。MDmeshTM K5產(chǎn)品是世界首款兼?zhèn)涑Y技術優(yōu)點與1500V漏源(drain-to-source)擊穿電壓(breakdown voltage)的晶體管，并已贏得亞洲及歐美主要客戶用于其重要設計中。 　　新產(chǎn)品瞄準計算機服務器及工業(yè)自動化市場。服務器要求更高的輔助開關式電源輸出功率，同時電源穩(wěn)健性是最大限度減少斷電停機時間的關鍵要素，電焊、工廠自
  • 關鍵字： 意法半導體  MOSFET  
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