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Diodes OR'ing控制器提升不間斷電源可靠性

  • 　　Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出40V額定值的動(dòng)態(tài)OR'ing控制器ZXGD3108N8，以提升電信系統(tǒng)、數(shù)據(jù)中心及服務(wù)器不間斷電源的可靠性。新產(chǎn)品旨在全面改善超低導(dǎo)通電阻功率MOSFET，從而替代耗能的肖特基 (Schottky) 阻斷二極管，有效降低工作溫度并加強(qiáng)不間斷電源系統(tǒng)的完整性。 　　新控制器通過以這種方式驅(qū)動(dòng)MOSFET，同時(shí)提升標(biāo)準(zhǔn)12V和24V共軌系統(tǒng)的整體系統(tǒng)效率。與其它同類型器件相比，ZXGD3108N8提供最低的關(guān)斷電壓閾值。器件的電壓少于-
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東芝推出40V電壓功率MOSFET“U-MOSIX-H”系列

  • 　　東芝公司旗下的半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布推出40V電壓功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)“U-MOS IX-H”系列。相比東芝傳統(tǒng)的U-MOS VI-H系列，新系列減少了76%的導(dǎo)通電阻，實(shí)現(xiàn)業(yè)界頂級(jí)的低導(dǎo)通電阻[1]。此外，它還減少了Qoss[2]的增加，從而提高開關(guān)電源的效率。樣品出貨即日起啟動(dòng)。 　　注： 　　·[1]截至2014年11月4日。東芝調(diào)查。 　　·[2]Qoss：輸出電荷。 　　主要特性 　　&m
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IR 推出4×5 PQFN功率模塊封裝的25V IRFH4257D FastIRFET雙功率MOSFET

  • 　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用高性能4×5 PQFN 功率模塊封裝的IRFH4257D FastIRFET 雙功率MOSFET。這項(xiàng)新的封裝拓展了IR的功率模塊系列的功能，使其可用于更低功率的緊湊型設(shè)計(jì)，適合12V輸入DC-DC同步降壓應(yīng)用，包括先進(jìn)的電信和網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備、服務(wù)器、顯示適配器、臺(tái)式電腦、超極本 (Ultrabook) 及筆記本電腦等應(yīng)用。 　　   　
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聯(lián)電明年產(chǎn)能 搶購一空

  • 　　8寸晶圓代工產(chǎn)能卡位戰(zhàn)提前啟動(dòng)，法人指出，聯(lián)電8寸廠能已被指紋辨識(shí)芯片、LCD驅(qū)動(dòng)IC，以及電源管理IC客戶搶購一空，明年將成為8寸晶圓代工大贏家。 　　過往8寸晶圓廠主要生產(chǎn)LCD驅(qū)動(dòng)IC、電源管理芯片等產(chǎn)品，隨著蘋果新機(jī)導(dǎo)入指紋辨識(shí)芯片，非蘋陣營明年全面跟進(jìn)，相關(guān)芯片廠也開始卡位8寸晶圓產(chǎn)能，造就市場榮景。 　　此外，原以6寸生產(chǎn)金屬化合物半導(dǎo)體場效晶體管(MOSFET)也為了提升競爭力，相繼轉(zhuǎn)入8寸廠生產(chǎn)，讓8寸晶圓廠產(chǎn)能更為吃緊。 　　包括指紋辨識(shí)芯片、LCD驅(qū)動(dòng)IC及電源管理芯片三大半
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42V、5A (IOUT)、同步降壓型 Silent Switcher 在 2MHz 提供 95% 效率

  • 　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 5A、42V 輸入同步降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器 LT8640。該器件采用獨(dú)特的 Silent Switcher® 架構(gòu)，整合了擴(kuò)展頻譜調(diào)制，即使開關(guān)頻率超過 2MHz 時(shí)，依然能夠?qū)?EMI / EMC 輻射降低超過 25dB，從而使該器件能夠輕松地滿足汽車 CISPR25 Class 5 峰值限制要求。同步整流在開關(guān)頻率為 2MHz 時(shí)可提供高達(dá) 95% 的效率。其 3.4V 至 42V 輸入電壓范圍使該器件非常適合
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易于符合 MIL-STD-1275D 要求的浪涌抑制器解決方案

  • 　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出符合 MIL-STD-1275D 要求的浪涌抑制器解決方案，并展示在評(píng)估電路板 DC2150A 上。MIL-STD-1275D 是美國國防部制定的標(biāo)準(zhǔn)，規(guī)定了地面軍用車輛所用 28V DC 電源的穩(wěn)態(tài)和瞬態(tài)電壓特性。當(dāng)面對(duì) MIL-STD-1275D 中嚴(yán)格規(guī)定的浪涌、尖峰和紋波波形時(shí)，DC2150A 可將輸出電壓限制到安全的 44V。就大多數(shù)應(yīng)用而言，要滿足該標(biāo)準(zhǔn)就是簡單地將 DC2150A 電路放置到容限為 44V
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IR的電池保護(hù)MOSFET系列為移動(dòng)應(yīng)用提供具有成本效益的靈活解決方案

  • 　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日針對(duì)鋰離子電池保護(hù)應(yīng)用推出配備IR最新低壓MOSFET硅技術(shù)的一系列器件，包括IRL6297SD雙N通道DirectFET MOSFET。 　　   　　全新功率MOSFET具有極低的導(dǎo)通電阻，可大幅減少導(dǎo)通損耗。產(chǎn)品可作為N通道及P通道配置的20V和30V器件，最高柵極驅(qū)動(dòng)從12 Vgs起，非常適合包含了兩個(gè)串聯(lián)電池的電池保護(hù)電路。IRL6297SD
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意法半導(dǎo)體(ST)的新650V超結(jié)MOSFET提升能效和安全系數(shù)

  • 　　意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)的最新超結(jié) (super-junction) 功率MOSFET滿足家電、低能源照明系統(tǒng)以及太陽能微逆變器廠商對(duì)電源能效的要求，同時(shí)提供更高可靠性的最新且滿足高功率密度的封裝。 　　MDmesh M2系列產(chǎn)品擁有最新最先進(jìn)的超結(jié)晶體管技術(shù)，取得了比上一代產(chǎn)品更低的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))，以及更低的柵電荷量 (QGD) 和輸入/輸出電容 (Ciss/Coss)。此外，這些產(chǎn)品更進(jìn)一步降低了能耗和熱耗散 (heat dissipation)
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意法半導(dǎo)體(ST)慶祝羅塞塔號(hào)彗星探測器成功登陸彗星

  • 　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)慶祝羅塞塔號(hào)彗星探測器(Rosetta)及其菲萊號(hào)登陸器(Philae)成功登陸彗星。羅塞塔號(hào)和菲萊號(hào)內(nèi)有10,000余顆意法半導(dǎo)體研制的高可靠性抗輻射芯片。 　　在歷經(jīng)10多年，長達(dá)60億公里的漫長太空之旅后，羅塞塔號(hào)彗星探測器終于抵達(dá)并成功釋放菲萊號(hào)登陸器登上67P/楚留莫夫-格拉希門克(67P Churyumov-Gerasimenko)彗星，菲萊號(hào)登陸器將完成拍攝彗星表面的圖片，并分析彗星
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單相正弦波逆變電源

  • 　　摘要：本系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)輸入直流電壓15V，輸出交流電壓有效值10V，額定功率10W，交流電壓頻率在20至100Hz可步進(jìn)調(diào)整。以MSP430單片機(jī)為控制核心，產(chǎn)生SPWM波控制全橋電路，然后經(jīng)過LC濾波電路得到失真度小于0.5%的正弦波。采用PID算法反饋控制使輸出交流電壓負(fù)載調(diào)整率低于1%，采用開關(guān)電源作為輔助電源、合理選用MOSFET等使系統(tǒng)效率達(dá)到90%，采用輸入電流前饋法來估計(jì)輸出電流以實(shí)現(xiàn)過流保護(hù)以及自恢復(fù)功能。 　　引言 　　本次競賽為全封閉式，不準(zhǔn)利用網(wǎng)上資源，要求參賽隊(duì)在兩天時(shí)間內(nèi)完成題
  • 關(guān)鍵字： 正弦波  MSP430  單片機(jī)  SPWM  MOSFET  201412  

基于FAN7710V的新型高性能節(jié)能燈鎮(zhèn)流器電路設(shè)計(jì)

  • 　　引言 　　在照明技術(shù)中，電子節(jié)能燈已經(jīng)日益成為人們的首選，因?yàn)槠鋺?yīng)用范圍廣，節(jié)能環(huán)保性能好，是政府和企業(yè)節(jié)能減排的重要舉措之一。在近幾年中，我國為了推廣電子節(jié)能燈的應(yīng)用，采取了財(cái)政補(bǔ)貼政策，就像家電下鄉(xiāng)一樣，惠及全國百姓和消費(fèi)者。 　　所謂電子節(jié)能燈，主要是指采用電子鎮(zhèn)流器的緊湊型熒光燈(CFL)。鎮(zhèn)流器和節(jié)能燈是一體化的，安裝和更換像白熾燈燈泡一樣方便。電子節(jié)能燈對(duì)鎮(zhèn)流器的基本要求是：電路盡可能簡單，元件數(shù)量少，成本低，性能穩(wěn)定，安全可靠，使用壽命長。本文以飛兆半導(dǎo)體推出的FAN7710V新型鎮(zhèn)
  • 關(guān)鍵字： FAN7710V  電子鎮(zhèn)流器  MOSFET  

大功率寬帶射頻脈沖功率放大器設(shè)計(jì)

  • 　　大功率寬頻帶線性射頻放大器模塊廣泛應(yīng)用于電子對(duì)抗、雷達(dá)、探測等重要的通訊系統(tǒng)中，其寬頻帶、大功率的產(chǎn)生技術(shù)是無線電子通訊系統(tǒng)中的一項(xiàng)非常關(guān)鍵的技術(shù)。隨著現(xiàn)代無線通訊技術(shù)的發(fā)展，寬頻帶大功率技術(shù)、寬頻帶跳頻、擴(kuò)頻技術(shù)對(duì)固態(tài)線性功率放大器設(shè)計(jì)提出了更高的要求，即射頻功率放大器頻率寬帶化、輸出功率更大化、整體設(shè)備模塊化。 　　通常情況下，在HF~VHF頻段設(shè)計(jì)的寬帶射頻功放，采用場效應(yīng)管(FET)設(shè)計(jì)要比使用常規(guī)功率晶體管設(shè)計(jì)方便簡單，正是基于場效應(yīng)管輸入阻抗比較高，且輸入阻抗相對(duì)頻率的變化不會(huì)有太大的偏
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同步整流技術(shù)DC-DC模塊電源

  • 　　1、 概述 　　   　　2、 基本同步整流電路 　　如圖1所示電路，其副邊為基本同步整流電路，關(guān)鍵波形見圖2。當(dāng)原邊主開關(guān)管Q1開通時(shí)，通過變壓器T1向副邊傳輸能量，副邊工作在整流狀態(tài)，此時(shí)SR1的Vgs電壓為變壓器副邊繞組電壓，極性為正，SR2的Vgs電壓為零，因而SR1導(dǎo)通，SR2關(guān)斷;當(dāng)原邊主開關(guān)管Q1關(guān)斷時(shí)，變壓器T1原邊繞組的勵(lì)磁電流和負(fù)載電流流經(jīng)C1，C1上的電壓開始上升，當(dāng)C1電壓升至Vin時(shí)，原邊繞組中的負(fù)載電流下降為0，在勵(lì)磁電流的作用下原邊勵(lì)磁電感Lm與電容
  • 關(guān)鍵字： DC-DC  整流  MOSFET  

你造嗎？ 四大MOSFET實(shí)用技巧

  • 　　MOSFET是一個(gè)時(shí)代產(chǎn)物,隨著MOSFET技術(shù)的進(jìn)展，特別是大電流、小封裝、低功耗的單芯片MOSFET出現(xiàn)，它的開關(guān)速度快/輸入阻抗大/熱穩(wěn)定性好等等優(yōu)點(diǎn),已經(jīng)成為工程師們的首選。 　　在EEPW論壇呆久了，看了好多網(wǎng)友問起MOS管的事情，有很多童靴對(duì)MOS管的使用不是很熟悉，今天有空給大家說幾個(gè)關(guān)于MOSFET的技巧的幾個(gè)實(shí)用技巧的事情。 　　為了把問題說的明白些，還是有必要把MOS管的身世先介紹一下。 　　MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  MOS  
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