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2005年4月21日,瑞薩推出業(yè)界最小、最薄的高頻功率MOSFET

  •   2005年4月21日,瑞薩宣布推出包括5 W輸出RQA0002在內(nèi)的三種高頻功率MOSFET,用于手持式無(wú)線電設(shè)備及類似設(shè)備中的傳輸功率放大,通過(guò)使用新工藝和新封裝,實(shí)現(xiàn)了高效率、并大大減小了封裝的尺寸。
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新型IGBT/MOSFET驅(qū)動(dòng)模塊SKHI22A/B

一種專為IGBT和MOSFET設(shè)計(jì)的驅(qū)動(dòng)器

  • 介紹了一種專為IGBT和功率MOSFET設(shè)計(jì)的電力電子驅(qū)動(dòng)器件――SCALE集成驅(qū)動(dòng)器的性能特點(diǎn)和內(nèi)部結(jié)構(gòu) 。
  • 關(guān)鍵字: 驅(qū)動(dòng)器  設(shè)計(jì)  MOSFET  IGBT  專為  

基于SG3525A的太陽(yáng)能逆變電源設(shè)計(jì)

  • 摘    要:本文主要介紹了SG3525A在研制太陽(yáng)能逆變電源中的應(yīng)用,其脈沖波形隨設(shè)計(jì)線路的不同而產(chǎn)生不同的結(jié)果,從而解決了隨機(jī)燒毀功率管的技術(shù)問題。關(guān)鍵詞:SG3525A;逆變電源;MOSFET-90N10引言本文涉及的是光明工程中一個(gè)課題的具體技術(shù)問題。該課題的基本原理是逆變器由直流蓄電池供電,用太陽(yáng)能為蓄電池充電,然后逆變電源輸出220V、50Hz的交流電供用戶使用。在研制過(guò)程中,有時(shí)隨機(jī)出現(xiàn)燒毀大功率管的現(xiàn)象,本文對(duì)這一現(xiàn)象給出了解決方案。圖1  SG35
  • 關(guān)鍵字: MOSFET-90N10  SG3525A  逆變電源  模擬IC  電源  

2004年6月7日,瑞薩推出HAT1125H P-通道功率MOSFET

  •   2004年6月7日,瑞薩發(fā)布HAT1125H–30V擊穿電壓P溝道功率MOSFET。與瑞薩先前的產(chǎn)品相比,HAT1125H的導(dǎo)通電阻大約減小了25%,是業(yè)界導(dǎo)通電阻最低的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOP-8尺寸小型表面安裝封裝產(chǎn)品。由于其損耗很低,將有助于設(shè)計(jì)小型、節(jié)省空間的系統(tǒng)。
  • 關(guān)鍵字: 瑞薩  MOSFET  Renesas  
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