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飛兆推出 200V/250V的PowerTrench工藝MOSFET

　　飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新的FDB2614 (200V) 和 FDB2710 (250V) N溝道MOSFET，這兩款產(chǎn)品經(jīng)專門設(shè)計(jì)，可為等離子體顯示板 (PDP) 應(yīng)用提供業(yè)界領(lǐng)先的系統(tǒng)效率和優(yōu)化的占位空間。利用飛兆半導(dǎo)體專利的PowerTrench® 工藝技術(shù)，這些MOSFET比較市場(chǎng)上同類型器件提供最低的導(dǎo)通阻抗RDS(on) (FDB2614的典型值為22.9毫歐；FDB2710的典型值為36.3 毫歐)。超低的RDS(on) 加上極低
關(guān)鍵字： MOSFET 單片機(jī) 飛兆嵌入式系統(tǒng)

RF功率MOSFET產(chǎn)品及其工藝開(kāi)發(fā)

摘要：本文簡(jiǎn)述了RF 功率 MOSFET器件的應(yīng)用，分析了以LDMOSFET工藝為基礎(chǔ)的RF 功率 MOSFET的功能特性、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和制造工藝特點(diǎn)。文中結(jié)合6寸芯片生產(chǎn)線，設(shè)計(jì)了產(chǎn)品的制造工藝流程，分析了制造工藝的難點(diǎn)，并提出了解決方案。關(guān)鍵詞：RF 功率 MOSFET；LDMOSFET；器件結(jié)構(gòu)；制造工藝引言RF 功率 MOSFET的最大應(yīng)用是無(wú)線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀(jì)90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET
關(guān)鍵字： LDMOSFET MOSFET RF RF專題電源技術(shù) 功率模擬技術(shù) 器件結(jié)構(gòu) 制造工藝

擁有線性穩(wěn)壓器特性的下一代移動(dòng)DC-to-DC轉(zhuǎn)換器

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： LDO IC MOSFET

Zetex新型MOSFET適用于超低柵極驅(qū)動(dòng)操作

　　模擬信號(hào)處理及功率管理解決方案供應(yīng)商 Zetex Semiconductors 近日推出三款為有限驅(qū)動(dòng)電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)的N 溝道增強(qiáng)模式 MOSFET。　　這三款新產(chǎn)品分別為 20V 的ZXMN2B03E6 （SOT236封裝）、ZXMN2B14FH和ZXMN2B01F（兩者均為SOT23封裝）。這些器件均具有1.8VGS條件下的低損耗開(kāi)關(guān)功能，可以使用兩個(gè)1.2V 電池或一個(gè)鋰離子電池驅(qū)動(dòng)。其超低柵極驅(qū)動(dòng)意味著可
關(guān)鍵字： MOSFET Zetex 超低柵極驅(qū)動(dòng) 電源技術(shù) 模擬技術(shù)

飛兆半導(dǎo)體推出光隔離 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器

能夠驅(qū)動(dòng)工業(yè)應(yīng)用中高達(dá) 30A/1200V 的 MOSFET FOD3180/FOD3181與飛兆半導(dǎo)體領(lǐng)先業(yè)界的功率產(chǎn)品系列相輔相成，為設(shè)計(jì)人員提供由毫瓦至千瓦的完整功率解決方案飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 領(lǐng)先業(yè)界的功率產(chǎn)品系列又添新成員，宣布推出高頻光隔離MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器系列的全新產(chǎn)品，能夠在工業(yè)應(yīng)用中驅(qū)動(dòng)高達(dá)30A/1200V的MOSFET。FOD3180 (2A) 和F
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常用MOSFET技術(shù)參數(shù)

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關(guān)鍵字： MOSFET

利用MCU的內(nèi)部振蕩器為電源增加智能控制,

傳統(tǒng)上，開(kāi)關(guān)電源（SMPS）是用一個(gè)基本的模擬控制環(huán)路來(lái)實(shí)現(xiàn)的，但數(shù)字信號(hào)控制器（DSC）技術(shù)的最新發(fā)展使得采用全數(shù)字...
關(guān)鍵字：反饋 MOSFET 驅(qū)動(dòng)

智能功率IGBT和MOSFET讓汽車更加舒適環(huán)保

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英飛凌推出新一代MOSFET節(jié)能器件

英飛凌推出新一代MOSFET節(jié)能器件，助力電源制造商實(shí)現(xiàn)能效目標(biāo) 英飛凌科技股份公司（FSE/NYSE：IFX）日前發(fā)布應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、電信設(shè)備和消費(fèi)電子產(chǎn)品的直流/直流變換器的新一代功率半導(dǎo)體產(chǎn)品家族。全新的OptiMOS® 3 30V N溝道MOSFET家族可使標(biāo)準(zhǔn)電源產(chǎn)品的可靠性和能源效率提高1%至1.3%，并在導(dǎo)通電阻、功率密度和門極電荷等主要功率轉(zhuǎn)換指標(biāo)上達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先水平。許多電源產(chǎn)品，如用于服務(wù)器、筆記本電腦、等離子或液晶電視以及游戲機(jī)的電源產(chǎn)
關(guān)鍵字： MOSFET 電源技術(shù) 節(jié)能器件模擬技術(shù) 英飛凌

單芯片大電流同步降壓方案助力簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)

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關(guān)鍵字： MOSFET

MOSFET熱模擬工具現(xiàn)提供免費(fèi)下載！

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簡(jiǎn)易鋰電池保護(hù)IC測(cè)試電路的設(shè)計(jì)

由于鋰電池的體積密度、能量密度高，并有高達(dá)4.2V的單節(jié)電池電壓，因此在手機(jī)、PDA和數(shù)碼相機(jī)等便攜式電子產(chǎn)品中獲得了廣泛的應(yīng)用。為了確保使用的安全性，鋰電池在應(yīng)用中必須有相應(yīng)的電池管理電路來(lái)防止電池的過(guò)充電、過(guò)放電和過(guò)電流。鋰電池保護(hù)IC超小的封裝和很少的外部器件需求使它在單節(jié)鋰電池保護(hù)電路的設(shè)計(jì)中被廣泛采用。然而，目前無(wú)論是正向（獨(dú)立開(kāi)發(fā)）還是反向（模仿開(kāi)發(fā)）設(shè)計(jì)的國(guó)產(chǎn)鋰電池保護(hù)IC由于技術(shù)、工藝的原因，實(shí)際參數(shù)通常都與標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)有較大差別，在正向設(shè)計(jì)的IC中尤為突出，因此，測(cè)試鋰電池保護(hù)IC的實(shí)
關(guān)鍵字： MOSFET 電源技術(shù) 鋰電池模擬技術(shù) 消費(fèi)電子消費(fèi)電子

TOPSwitch-GX開(kāi)關(guān)電源在牙科X光機(jī)中的應(yīng)用

1 引言 TPS54350是德州儀器(TI)新推出的一款內(nèi)置MOSFET的高效DC／DC變換器．采用小型16引腳HISSOP封裝．連續(xù)輸出電流為3 A時(shí)，輸入電壓范圍為4．5 V~20 V。該變換器極大地簡(jiǎn)化了負(fù)載電源管理的設(shè)計(jì)，使得設(shè)計(jì)人員可直接通過(guò)中壓總線(而不依賴額外的低電壓總線)為數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)、現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)及微處理器供電。TPS554350 SWIFT(采用集成FET技術(shù)的開(kāi)關(guān))DC／DC變換器的效率高達(dá)90％以上，非常適用于低功耗工業(yè)與商用電源、帶液晶顯示屏(LC
關(guān)鍵字： MOSFET 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 信號(hào)處理模擬IC 電源

Vishay提供免費(fèi)在線MOSFET熱模擬工具

Vishay推出一款網(wǎng)上工具，可供設(shè)計(jì)人員詳細(xì)模擬在各種應(yīng)用中Vishay Siliconix MOSFET 在運(yùn)行時(shí)的熱效應(yīng)情況及其受鄰近元件的影響如何。 Vishay 新推出的 ThermaSim™（可從 http://www.vishay.
關(guān)鍵字： MOSFET Vishay 電源技術(shù) 工具免費(fèi) 模擬技術(shù) 熱模擬在線

ST高效功率MOSFET晶體管提高照明應(yīng)用性能

意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：STM)推出了新系列功率MOSFET產(chǎn)品的第一款產(chǎn)品。通態(tài)電阻極低，動(dòng)態(tài)特性和雪崩特性非常優(yōu)異，新系列產(chǎn)品為客戶大幅度降低照明應(yīng)用的傳導(dǎo)損耗、全面提升效率和可靠性帶來(lái)了機(jī)會(huì)。商用照明應(yīng)用市場(chǎng)對(duì)更高的功率密度和更低的成本的日益增長(zhǎng)的需求激勵(lì)半導(dǎo)體制造商挑戰(zhàn)器件優(yōu)化的極限。新產(chǎn)品STD11NM60N就是一個(gè)這樣的挑戰(zhàn)半導(dǎo)體器件技術(shù)極限的實(shí)例，該產(chǎn)品采用ST自主開(kāi)發(fā)的第二代 MDmeshTM 技術(shù)，最大通態(tài)電阻 RDS&nb
關(guān)鍵字： MOSFET ST 電源技術(shù) 晶體管模擬技術(shù) 消費(fèi)電子意法半導(dǎo)體照明消費(fèi)電子