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Zetex推出新型整流器控制器

  •   Zetex?Semiconductors(捷特科)推出一款驅(qū)動MOSFET的專用整流器控制器,從而使?50?至?150W?的同步反激式轉(zhuǎn)換器成為完美的二極管。ZXGD3101?可使設(shè)計人員以表面貼裝?MOSFET?取代有損耗的肖特基二極管,以實現(xiàn)更高的效率、更少的發(fā)熱量,縮小電源尺寸和重量,同時簡化整體電路設(shè)計。   ZXGD3101?有“零點檢測器驅(qū)動器”之稱,能準(zhǔn)確檢測達(dá)到零點
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IR全新30V DirectFET MOSFET系列為同步降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計

  • ??????? 2008年5月27日,國際整流器公司 (International Rectifier) 推出專為筆記本電腦、服務(wù)器CPU電源、圖形,以及記憶體穩(wěn)壓器應(yīng)用的同步降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計而優(yōu)化的全新30V DirectFET MOSFET系列。   新器件系列結(jié)合IR最新的30V HEXFET功率MOSFET硅技術(shù)與先進(jìn)的DirectFET封裝技術(shù),比標(biāo)準(zhǔn)SO-8器件的占位面積小40%,而且采用了0.7mm纖薄設(shè)計。新一代30V器
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運用MOSFET實現(xiàn)完美安全系統(tǒng)

  •   車上所使用的燈泡到繼電器、從LED顯示照明到起動馬達(dá),許多組件的多元應(yīng)用,不僅提供了各式各樣的高負(fù)載性、低成本效益的解決方案,另外也必須兼具注重安全性汽車所要求的通訊及診斷能力。因此,為了增加車上電子系統(tǒng)的可靠性及耐久性,除了降低維修成本之外,設(shè)計人員在功率器件中加入故障保護(hù)電路,才能避免組件發(fā)生故障,降低電子系統(tǒng)所造成損害。   另外,在一般汽車行駛的情況下,一旦出現(xiàn)了車上的組件出現(xiàn)故障狀況,將導(dǎo)致汽車上的電路系統(tǒng)發(fā)生短路,或電源無法供電。在遠(yuǎn)程傳感器中采用車用金屬氧化半導(dǎo)體場效晶體管(Metal
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MOSFET開關(guān)軌跡線的示波器重現(xiàn)方法

  • MOSFET的開關(guān)軌跡線是判斷MOSFET開關(guān)過程“軟硬”程度的重要評估指標(biāo),MOSFET的軟硬程度對于開關(guān)電源的性...
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Intersill推出新型大電流MOSFET柵極驅(qū)動器

  •   Intersil公司宣布推出高頻 6A 吸入電流同步(sink synchronous) MOSFET 柵極驅(qū)動器 ISL6615 和 ISL6615A 。這些新器件有助于為系統(tǒng)安全提供更高的效率、靈活性和更多的保護(hù)功能。   Intersil 公司此次推出的新型驅(qū)動器增加了柵極驅(qū)動電流( UGATE 的流出和吸入柵極驅(qū)動電流為 4A ,LGATE 的吸入和流出電流則分別為 6A 和 4A ),可以縮短柵極電壓上升、下降時間。這將最大限度地降低開關(guān)損耗并改善效率,尤其是在每相并聯(lián)功率MOSFET 的
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大功率寬帶射頻脈沖功率放大器設(shè)計

  •   大功率線性射頻放大器模塊廣泛應(yīng)用于電子對抗、雷達(dá)、探測等重要的通訊系統(tǒng)中,其寬頻帶、大功率的產(chǎn)生技術(shù)是無線電子通訊系統(tǒng)中的一項非常關(guān)鍵的技術(shù)。隨著現(xiàn)代無線通訊技術(shù)的發(fā)展,寬頻帶大功率技術(shù)、寬頻帶跳頻、擴(kuò)頻技術(shù)對固態(tài)線性功率放大器設(shè)計提出了更高的要求,即射頻功率放大器頻率寬帶化、輸出功率更大化、整體設(shè)備模塊化。   通常情況下,在HF~VHF頻段設(shè)計的寬帶射頻功放,采用場效應(yīng)管(FET)設(shè)計要比使用常規(guī)功率晶體管設(shè)計方便簡單,正是基于場效應(yīng)管輸入阻抗比較高,且輸入阻抗相對頻率的變化不會有太大的偏差,易
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Zetex推出全新ZXGD3000雙極柵極驅(qū)動器系列

  •   Zetex Semiconductors (捷特科) 推出全新ZXGD3000雙極柵極驅(qū)動器系列,用于開關(guān)電源和電機(jī)驅(qū)動器中的MOSFET及IGBT。低成本的ZXGD3000系列能灌入高達(dá)9A的電流,柵極電容的充、放電速度比柵極驅(qū)動器IC更快,有助于加快開關(guān)時間,提高電路效率。   該系列包含4款高速非反向柵極驅(qū)動器,電源電壓范圍為12V至40V。其快速開關(guān)射極跟隨器配置,實現(xiàn)了小于2ns的傳播延遲和大約10ns的上升/下降時間,有效改善了對MOSFET開關(guān)性能的控制。ZXGD3000還能防止鎖定,
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讀取隔離端數(shù)字狀態(tài)無需附加電源(06-100)

  •   電子系統(tǒng)常常要求其輸入電路或輸出電路必須與主控回路的進(jìn)行隔離,比如在醫(yī)療產(chǎn)品中,基于安全性考慮,連接到病人身上的輸入傳感器或激勵源必須與后級處理電路隔離,當(dāng)然需要隔離的應(yīng)用場合還很多,如采集爆炸現(xiàn)場參數(shù)的電路同樣需要與后級完全隔離,等等。   在這些應(yīng)用中,通常需要采集被隔離電路的數(shù)字線上的一些狀態(tài)參數(shù), 傳統(tǒng)的辦法是采用光耦得以實現(xiàn).然而采用光耦有許多局限性:首先,它要消耗隔離端電路許多電流,其次轉(zhuǎn)換時間長(或動態(tài)響應(yīng)慢),再者,隨著光發(fā)射器老化,其光電轉(zhuǎn)換增益將隨時間減小。   采用圖1所示電
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MOSFET音頻輸出級的自偏壓電路(04-100)

  •   AB類輸出級精度不高可能有下列幾個原因:   ·柵極閾值電壓變化與VGS溫度系數(shù)變化引起的MOSFET與雙極管間相對溫度系數(shù)的失配。   ·輸出器件與檢測器件間耦合的延遲與衰減。   ·驅(qū)動器工作在不同的溫度。   ·調(diào)整單個放大器偏壓時存在誤差。   ·老化引起的閾值電壓長期漂移。   鑒于上述原因,自然想用控制環(huán)來替代VBE放大器,前者基于偏置電流本身的反饋;而后者只是一種誤差反饋。新設(shè)計由下列三部分構(gòu)成;偏置電流檢
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選擇適用于POL架構(gòu)中功率轉(zhuǎn)換的 MOSFET

  •   對于電路需要 3.3V 及更低電壓的應(yīng)用,負(fù)載點 (POL) 轉(zhuǎn)換器已發(fā)展成為面向這些應(yīng)用的廣受歡迎的解決方案。對此類電壓水平的需求源自對更低內(nèi)核電壓的要求,這樣即使功率保持相同, 對這些轉(zhuǎn)換器的電流要求將會很明顯地增加。   自引入 POL 理念以來已建議并使用了許多不同的配置,當(dāng)前尚沒有將高壓(例如 48V)逐步降低到 0.9V 低壓的確定策略。過去使用傳統(tǒng)分布式功率架構(gòu) (DPAs) 從單個“前端轉(zhuǎn)換器”(圖1)提供所有所需的電壓水平。在固定電信應(yīng)用中,48V 的輸
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PDP顯示器電源管理架構(gòu)分析

NXP推出的高性能小信號MOSFET SOT883

  • 恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)發(fā)布了全新的小信號MOSFET器件系列,新產(chǎn)品采用了全球最小封裝之一的SOT883進(jìn)行封裝。恩智浦SOT883 MOSFET面積超小,僅為1.0 x 0.6毫米,與SOT23相比,功耗和性能不相上下,卻只需占據(jù)14%的印刷電路板空間。SOT883 MOSFET針對眾多應(yīng)用而設(shè)計,包括DC/DC電源轉(zhuǎn)換器模塊、液晶電視電源以及手機(jī)和其他便攜設(shè)備的負(fù)載開關(guān)。SOT883 MOSFET具有超小的面積、0.5毫米的超薄厚度、最佳的開關(guān)速度和非常低的Rds(on)
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什么是MOSFET

  • “MOSFET”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的縮寫,譯成中文是“金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導(dǎo)體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能輸出較大的工作電流(幾安到幾十安),用于功率輸出級的器件。   MOSFET共有三個腳,一般為G、D、S,通過G、S間加控制信號時可以改變D、S間的導(dǎo)通和截止。功率MO
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可降低油耗的汽車電子系統(tǒng)

  •   我們?nèi)绾尾拍苁蛊囻{駛室具備更多的功能,使發(fā)動機(jī)具有更大的功率,同時還能夠符合各國政府對每加侖行駛距離的要求?只有采用新一代的低導(dǎo)通電阻功率 MOSFET將汽車中傳統(tǒng)的電力系統(tǒng)和液壓系統(tǒng)改為電子系統(tǒng),這些MOSFET不但可以提高汽車的舒適性和安全性,還能夠提高燃油的行駛距離。   發(fā)動機(jī)不僅僅要讓汽車在路上行駛,還要為整個汽車系統(tǒng)提供動力?,F(xiàn)在人們對汽車的娛樂性、舒適性及安全性的要求越來越高。通過深入分析發(fā)現(xiàn),對于一輛普通的汽車,每加侖的汽油所產(chǎn)生的能量最終用在車輪行駛上的不到15%,而大部分的能量
  • 關(guān)鍵字: MOSFET 油耗  

MOSFET的開關(guān)速度將決定未來POL電源的性能

  •   一個采用directfet mosfet并基于四相同步整流器的vrm能夠于高達(dá)2mhz/相位下工作,并提供120a電流,且滿足負(fù)載點電源的瞬態(tài)響應(yīng)要求。   與十年之前以單元密度和導(dǎo)通電阻作為器件設(shè)計的主要考慮因素相比,功率mosfet技術(shù)在發(fā)展方向上正經(jīng)歷著一場重大的變革。如今,并在可以預(yù)見的未來,開關(guān)速度正在逐步成為負(fù)載點(pol)電源應(yīng)用的決定性因素。對于工作電壓為1v或以下且對時鐘速度和電流需求更高的下一代微處理器而言,開關(guān)速度是滿足其供電要求的關(guān)鍵因素。電源的性能將取決于功率mosfet能
  • 關(guān)鍵字: MOSFET  POL  電源  放大器  
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