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汽車(chē)電子功率MOSFET

　　過(guò)去15到20年間，汽車(chē)用功率MOSFET已從最初的技術(shù)話(huà)題發(fā)展成為蓬勃的商業(yè)領(lǐng)域。選用功率MOSFET是因?yàn)槠淠軌蚰褪芷?chē)電子系統(tǒng)中常遇到的掉載和系統(tǒng)能量突變等引起的瞬態(tài)高壓現(xiàn)象。且封裝很簡(jiǎn)單，主要采用TO220 和 TO247封裝。電動(dòng)車(chē)窗、燃油噴射、間歇式雨刷和巡航控制等應(yīng)用已逐漸成為大多數(shù)汽車(chē)的標(biāo)配，在設(shè)計(jì)中需要類(lèi)似的功率器件。在這期間，隨著電機(jī)、螺線(xiàn)管和燃油噴射器日益普及，車(chē)用功率MOSFET也不斷發(fā)展壯大。　　今天的汽車(chē)電子系統(tǒng)已開(kāi)創(chuàng)了功率器件的新時(shí)代。本文將介紹和討論幾種推動(dòng)汽車(chē)
關(guān)鍵字：汽車(chē)電子 MOSFET 溝道型功率解決方案

使用功率MOSFET封裝技術(shù)解決計(jì)算應(yīng)用的高功耗問(wèn)題

　　對(duì)于主板設(shè)計(jì)師來(lái)說(shuō)，要設(shè)計(jì)處理器電壓調(diào)節(jié)模塊(VRM)來(lái)滿(mǎn)足計(jì)算機(jī)處理器永無(wú)止境的功率需求實(shí)在是個(gè)大挑戰(zhàn)。Pentium 4處理器要求VRM提供的電流提高了約3倍。英特爾將其VRM指標(biāo)從8.4版本升級(jí)到9.0版本，涵蓋了新的功率要求，以繼續(xù)追隨摩爾(Moore)定律。　　在過(guò)去的10年間，VRM電流要求一直在增加，正如英特爾所公布的，IccMAX從VRM9.0中的60A發(fā)展成驅(qū)動(dòng)高端4核處理器的VRM11.0所要求的150A。與此同時(shí)，電流切換速率要求也有相當(dāng)大的提高；芯片插座處的dI／dT從45
關(guān)鍵字： MOSFET VRM 英特爾低功耗芯片 PWB

瑞薩科技發(fā)布RQA0010和RQA0014高頻功率MOSFET器件

　　2008年5月26日,瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）今天宣布，推出和高頻功MOSFET，以實(shí)現(xiàn)業(yè)界最高功效級(jí)別*1 和IEC61000-4-2的4級(jí)ESD標(biāo)準(zhǔn)*2 的高可靠性。這些器件適用于手持式無(wú)線(xiàn)設(shè)備發(fā)射器的功率放大器。　　這兩種產(chǎn)品可以放大轉(zhuǎn)換為高頻的音頻信號(hào)，以發(fā)射規(guī)定的輸出功率，并將該功率傳送給天線(xiàn)。1 W輸出的RQA0010的將從2008年8月開(kāi)始在日本提供樣品，0.25 W輸出的RQA0014樣品將于9月開(kāi)始提供。　　這兩種產(chǎn)品具有以下特點(diǎn)。
關(guān)鍵字：瑞薩科技 MOSFET 無(wú)線(xiàn)設(shè)備發(fā)射器功率放大器

高效能電源需求催生MOSFET變革創(chuàng)新英飛凌專(zhuān)家詳解提升能效秘笈

　　環(huán)境污染、溫室效應(yīng)、不可再生能源日趨枯竭……這些日益威脅人類(lèi)生存的難題已經(jīng)使全球有識(shí)之士認(rèn)識(shí)到節(jié)能減排提高能效是未來(lái)科學(xué)技術(shù)活動(dòng)一項(xiàng)長(zhǎng)期的任務(wù)。正如英飛凌科技奧地利有限公司全球開(kāi)關(guān)電源高級(jí)市場(chǎng)經(jīng)理Thomas Schmidt所言：“能效不僅是個(gè)時(shí)髦詞匯，更是一個(gè)全球挑戰(zhàn)！”如何應(yīng)對(duì)這項(xiàng)挑戰(zhàn)？各個(gè)半導(dǎo)體紛紛從半導(dǎo)體器件入手，幫助系統(tǒng)公司提升電源效率，這方面，英飛凌近年來(lái)動(dòng)作頻頻，近日，英飛凌公司高調(diào)發(fā)布其最新的OptiMOS 3系列低壓MOSFET，并
關(guān)鍵字：英飛凌半導(dǎo)體 OptiMOS MOSFET 導(dǎo)通電阻 CanPAK封裝 DirectFET封裝電源管理

IR推出全新30V DirectFET MOSFET系列

　　國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) ，推出專(zhuān)為筆記本電腦、服務(wù)器CPU電源、圖形，以及記憶體穩(wěn)壓器應(yīng)用的同步降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)而優(yōu)化的全新30V DirectFET MOSFET系列。　　新器件系列結(jié)合IR最新的30V HEXFET功率MOSFET硅技術(shù)與先進(jìn)的DirectFET封裝技術(shù)，比標(biāo)準(zhǔn)SO-8器件的占位面積小40%，而且采用了0.7mm纖薄設(shè)計(jì)。新一代30V器件的導(dǎo)通電阻 (
關(guān)鍵字： IR 同步降壓轉(zhuǎn)換器 MOSFET

Zetex推出新型整流器控制器

　　Zetex?Semiconductors（捷特科）推出一款驅(qū)動(dòng)MOSFET的專(zhuān)用整流器控制器，從而使?50?至?150W?的同步反激式轉(zhuǎn)換器成為完美的二極管。ZXGD3101?可使設(shè)計(jì)人員以表面貼裝?MOSFET?取代有損耗的肖特基二極管，以實(shí)現(xiàn)更高的效率、更少的發(fā)熱量，縮小電源尺寸和重量，同時(shí)簡(jiǎn)化整體電路設(shè)計(jì)。　　ZXGD3101?有“零點(diǎn)檢測(cè)器驅(qū)動(dòng)器”之稱(chēng)，能準(zhǔn)確檢測(cè)達(dá)到零點(diǎn)
關(guān)鍵字： Zetex 捷特科 MOSFET 整流器控制器

IR全新30V DirectFET MOSFET系列為同步降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)

??????? 2008年5月27日，國(guó)際整流器公司 (International Rectifier) 推出專(zhuān)為筆記本電腦、服務(wù)器CPU電源、圖形，以及記憶體穩(wěn)壓器應(yīng)用的同步降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)而優(yōu)化的全新30V DirectFET MOSFET系列。　　新器件系列結(jié)合IR最新的30V HEXFET功率MOSFET硅技術(shù)與先進(jìn)的DirectFET封裝技術(shù)，比標(biāo)準(zhǔn)SO-8器件的占位面積小40%，而且采用了0.7mm纖薄設(shè)計(jì)。新一代30V器
關(guān)鍵字：國(guó)際整流器同步降壓轉(zhuǎn)換器 MOSFET

運(yùn)用MOSFET實(shí)現(xiàn)完美安全系統(tǒng)

　　車(chē)上所使用的燈泡到繼電器、從LED顯示照明到起動(dòng)馬達(dá)，許多組件的多元應(yīng)用，不僅提供了各式各樣的高負(fù)載性、低成本效益的解決方案，另外也必須兼具注重安全性汽車(chē)所要求的通訊及診斷能力。因此，為了增加車(chē)上電子系統(tǒng)的可靠性及耐久性，除了降低維修成本之外，設(shè)計(jì)人員在功率器件中加入故障保護(hù)電路，才能避免組件發(fā)生故障，降低電子系統(tǒng)所造成損害。　　另外，在一般汽車(chē)行駛的情況下，一旦出現(xiàn)了車(chē)上的組件出現(xiàn)故障狀況，將導(dǎo)致汽車(chē)上的電路系統(tǒng)發(fā)生短路，或電源無(wú)法供電。在遠(yuǎn)程傳感器中采用車(chē)用金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管（Metal
關(guān)鍵字： MOSFET 安全系統(tǒng)

MOSFET開(kāi)關(guān)軌跡線(xiàn)的示波器重現(xiàn)方法

MOSFET的開(kāi)關(guān)軌跡線(xiàn)是判斷MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程“軟硬”程度的重要評(píng)估指標(biāo)，MOSFET的軟硬程度對(duì)于開(kāi)關(guān)電源的性...
關(guān)鍵字： MOSFET 損耗開(kāi)關(guān) 動(dòng)態(tài) 截至飽和

Intersill推出新型大電流MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器

　　Intersil公司宣布推出高頻 6A 吸入電流同步（sink synchronous） MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器 ISL6615 和 ISL6615A 。這些新器件有助于為系統(tǒng)安全提供更高的效率、靈活性和更多的保護(hù)功能。　　Intersil 公司此次推出的新型驅(qū)動(dòng)器增加了柵極驅(qū)動(dòng)電流（ UGATE 的流出和吸入柵極驅(qū)動(dòng)電流為 4A ，LGATE 的吸入和流出電流則分別為 6A 和 4A ），可以縮短?hào)艠O電壓上升、下降時(shí)間。這將最大限度地降低開(kāi)關(guān)損耗并改善效率，尤其是在每相并聯(lián)功率MOSFET 的
關(guān)鍵字： Intersil MOSFET 驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)電流

大功率寬帶射頻脈沖功率放大器設(shè)計(jì)

　　大功率線(xiàn)性射頻放大器模塊廣泛應(yīng)用于電子對(duì)抗、雷達(dá)、探測(cè)等重要的通訊系統(tǒng)中，其寬頻帶、大功率的產(chǎn)生技術(shù)是無(wú)線(xiàn)電子通訊系統(tǒng)中的一項(xiàng)非常關(guān)鍵的技術(shù)。隨著現(xiàn)代無(wú)線(xiàn)通訊技術(shù)的發(fā)展，寬頻帶大功率技術(shù)、寬頻帶跳頻、擴(kuò)頻技術(shù)對(duì)固態(tài)線(xiàn)性功率放大器設(shè)計(jì)提出了更高的要求，即射頻功率放大器頻率寬帶化、輸出功率更大化、整體設(shè)備模塊化。　　通常情況下，在HF~VHF頻段設(shè)計(jì)的寬帶射頻功放，采用場(chǎng)效應(yīng)管(FET)設(shè)計(jì)要比使用常規(guī)功率晶體管設(shè)計(jì)方便簡(jiǎn)單，正是基于場(chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗比較高，且輸入阻抗相對(duì)頻率的變化不會(huì)有太大的偏差，易
關(guān)鍵字：放大器寬帶射頻 MOSFET

Zetex推出全新ZXGD3000雙極柵極驅(qū)動(dòng)器系列

　　Zetex Semiconductors (捷特科) 推出全新ZXGD3000雙極柵極驅(qū)動(dòng)器系列，用于開(kāi)關(guān)電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的MOSFET及IGBT。低成本的ZXGD3000系列能灌入高達(dá)9A的電流，柵極電容的充、放電速度比柵極驅(qū)動(dòng)器IC更快，有助于加快開(kāi)關(guān)時(shí)間，提高電路效率。　　該系列包含4款高速非反向柵極驅(qū)動(dòng)器，電源電壓范圍為12V至40V。其快速開(kāi)關(guān)射極跟隨器配置，實(shí)現(xiàn)了小于2ns的傳播延遲和大約10ns的上升/下降時(shí)間，有效改善了對(duì)MOSFET開(kāi)關(guān)性能的控制。ZXGD3000還能防止鎖定，
關(guān)鍵字： Zetex ZXGD3000 MOSFET IGBT

讀取隔離端數(shù)字狀態(tài)無(wú)需附加電源(06-100)

　　電子系統(tǒng)常常要求其輸入電路或輸出電路必須與主控回路的進(jìn)行隔離,比如在醫(yī)療產(chǎn)品中，基于安全性考慮，連接到病人身上的輸入傳感器或激勵(lì)源必須與后級(jí)處理電路隔離,當(dāng)然需要隔離的應(yīng)用場(chǎng)合還很多，如采集爆炸現(xiàn)場(chǎng)參數(shù)的電路同樣需要與后級(jí)完全隔離，等等。　　在這些應(yīng)用中,通常需要采集被隔離電路的數(shù)字線(xiàn)上的一些狀態(tài)參數(shù), 傳統(tǒng)的辦法是采用光耦得以實(shí)現(xiàn).然而采用光耦有許多局限性:首先,它要消耗隔離端電路許多電流,其次轉(zhuǎn)換時(shí)間長(zhǎng)(或動(dòng)態(tài)響應(yīng)慢)，再者,隨著光發(fā)射器老化，其光電轉(zhuǎn)換增益將隨時(shí)間減小。　　采用圖1所示電
關(guān)鍵字： Maxim MOSFET RC DATA_IN

MOSFET音頻輸出級(jí)的自偏壓電路(04-100)

　　AB類(lèi)輸出級(jí)精度不高可能有下列幾個(gè)原因：　　·柵極閾值電壓變化與VGS溫度系數(shù)變化引起的MOSFET與雙極管間相對(duì)溫度系數(shù)的失配。　　·輸出器件與檢測(cè)器件間耦合的延遲與衰減。　　·驅(qū)動(dòng)器工作在不同的溫度。　　·調(diào)整單個(gè)放大器偏壓時(shí)存在誤差。　　·老化引起的閾值電壓長(zhǎng)期漂移。　　鑒于上述原因，自然想用控制環(huán)來(lái)替代VBE放大器，前者基于偏置電流本身的反饋；而后者只是一種誤差反饋。新設(shè)計(jì)由下列三部分構(gòu)成；偏置電流檢
關(guān)鍵字： MOSFET 自偏壓電路

選擇適用于POL架構(gòu)中功率轉(zhuǎn)換的 MOSFET

　　對(duì)于電路需要 3.3V 及更低電壓的應(yīng)用，負(fù)載點(diǎn) (POL) 轉(zhuǎn)換器已發(fā)展成為面向這些應(yīng)用的廣受歡迎的解決方案。對(duì)此類(lèi)電壓水平的需求源自對(duì)更低內(nèi)核電壓的要求，這樣即使功率保持相同, 對(duì)這些轉(zhuǎn)換器的電流要求將會(huì)很明顯地增加。　　自引入 POL 理念以來(lái)已建議并使用了許多不同的配置，當(dāng)前尚沒(méi)有將高壓(例如 48V)逐步降低到 0.9V 低壓的確定策略。過(guò)去使用傳統(tǒng)分布式功率架構(gòu) (DPAs) 從單個(gè)“前端轉(zhuǎn)換器”(圖1)提供所有所需的電壓水平。在固定電信應(yīng)用中，48V 的輸
關(guān)鍵字： POL MOSFET