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IR推出100V集成MOSFET解決方案

  • 為PoE應(yīng)用節(jié)省80%的占位空間 國(guó)際整流器公司近日推出IRF4000型100V器件。該器件將4個(gè)HEXFET  MOSFET集成在一個(gè)功率MLP封裝內(nèi)，可滿足以太網(wǎng)供電（Power-over-Ethernet，簡(jiǎn)稱PoE）應(yīng)用的需求。這款新器件符合針對(duì)網(wǎng)絡(luò)和通信基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)的IEEE802.3af標(biāo)準(zhǔn)，例如以太網(wǎng)交換器、路由器和集線器等，可提供每端口15W的功率，并能取代4個(gè)獨(dú)立SOT-223封裝的MOSFET。其減少的占位面積相當(dāng)于節(jié)省了80%的空間，或相當(dāng)于典型48端口電路板中3
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MOSFET的開關(guān)速度將決定未來(lái)POL電源的性能

  • 　　一個(gè)采用DirectFET MOSFET并基于四相同步整流器的VRM能夠于高達(dá)2MHz/相位下工作，并提供120A電流，且滿足負(fù)載點(diǎn)電源的瞬態(tài)響應(yīng)要求。 　　與十年之前以單元密度和導(dǎo)通電阻作為器件設(shè)計(jì)的主要考慮因素相比，功率MOSFET技術(shù)在發(fā)展方向上正經(jīng)歷著一場(chǎng)重大的變革。如今，并在可以預(yù)見(jiàn)的未來(lái)，開關(guān)速度正在逐步成為負(fù)載點(diǎn)（POL）電源應(yīng)用的決定性因素。對(duì)于工作電壓為1V或以下且對(duì)時(shí)鐘速度和電流需求更高的下一代微處理器而言，開關(guān)速度是滿足其供電要求的關(guān)鍵因素。電源的性能將取決于功率MOSFET
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功率MOSFET并聯(lián)均流問(wèn)題研究

  • 對(duì)頻率為MHz級(jí)情況下功率MOSFET并聯(lián)均流問(wèn)題進(jìn)行了研究，詳細(xì)分析了影響功率MOSFET并聯(lián)均流諸因素。通過(guò)Q軌跡把器件參數(shù)和外圍電路聯(lián)系起來(lái)，得出較大的Q值和適當(dāng)?shù)腖s/Lx有利于并聯(lián)均流。大量的仿真和小功率實(shí)驗(yàn)結(jié)果均表明該方法的正確性。
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提高穩(wěn)壓器過(guò)流保護(hù)能力的 MOSFET

  • 經(jīng)典的 LM317型可調(diào)輸出線性穩(wěn)壓器具有相當(dāng)大的電流承受能力。此外，LM317還具有限流和過(guò)熱保護(hù)功能。
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  能力  保護(hù)  穩(wěn)壓器  提高  

起直流穩(wěn)壓(流)電子負(fù)載核心作用的功率 MOSFET

  • 設(shè)計(jì)人員都用直流電子負(fù)載來(lái)測(cè)試電源，如太陽(yáng)能陣列或電池，但商用直流電子負(fù)載很昂貴。你只要將功率 MOSFET在其線性區(qū)內(nèi)使用，就可制作出自己的直流電子負(fù)載（圖 1）。
  • 關(guān)鍵字： 作用  功率  MOSFET  核心  負(fù)載  穩(wěn)壓  電子  直流  

2005年4月21日，瑞薩推出業(yè)界最小、最薄的高頻功率MOSFET

  • 　　2005年4月21日，瑞薩宣布推出包括5 W輸出RQA0002在內(nèi)的三種高頻功率MOSFET，用于手持式無(wú)線電設(shè)備及類似設(shè)備中的傳輸功率放大，通過(guò)使用新工藝和新封裝，實(shí)現(xiàn)了高效率、并大大減小了封裝的尺寸。
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新型IGBT/MOSFET驅(qū)動(dòng)模塊SKHI22A/B

一種專為IGBT和MOSFET設(shè)計(jì)的驅(qū)動(dòng)器

  • 介紹了一種專為IGBT和功率MOSFET設(shè)計(jì)的電力電子驅(qū)動(dòng)器件――SCALE集成驅(qū)動(dòng)器的性能特點(diǎn)和內(nèi)部結(jié)構(gòu) 。
  • 關(guān)鍵字： 驅(qū)動(dòng)器  設(shè)計(jì)  MOSFET  IGBT  專為  

基于SG3525A的太陽(yáng)能逆變電源設(shè)計(jì)

  • 摘    要：本文主要介紹了SG3525A在研制太陽(yáng)能逆變電源中的應(yīng)用，其脈沖波形隨設(shè)計(jì)線路的不同而產(chǎn)生不同的結(jié)果，從而解決了隨機(jī)燒毀功率管的技術(shù)問(wèn)題。關(guān)鍵詞：SG3525A；逆變電源；MOSFET-90N10引言本文涉及的是光明工程中一個(gè)課題的具體技術(shù)問(wèn)題。該課題的基本原理是逆變器由直流蓄電池供電，用太陽(yáng)能為蓄電池充電，然后逆變電源輸出220V、50Hz的交流電供用戶使用。在研制過(guò)程中，有時(shí)隨機(jī)出現(xiàn)燒毀大功率管的現(xiàn)象，本文對(duì)這一現(xiàn)象給出了解決方案。圖1  SG35
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2004年6月7日，瑞薩推出HAT1125H P-通道功率MOSFET

  • 　　2004年6月7日，瑞薩發(fā)布HAT1125H–30V擊穿電壓P溝道功率MOSFET。與瑞薩先前的產(chǎn)品相比，HAT1125H的導(dǎo)通電阻大約減小了25%，是業(yè)界導(dǎo)通電阻最低的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOP-8尺寸小型表面安裝封裝產(chǎn)品。由于其損耗很低，將有助于設(shè)計(jì)小型、節(jié)省空間的系統(tǒng)。
  • 關(guān)鍵字： 瑞薩  MOSFET  Renesas  
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