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Vishay推出性能先進(jìn)的新款40V MOSFET

  • 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用PowerPAK? 10x12封裝的新型40 V TrenchFET? 四代n溝道功率MOSFET---SiJK140E,該器件擁有優(yōu)異的導(dǎo)通電阻,能夠?yàn)楣I(yè)應(yīng)用提供更高的效率和功率密度。與相同占位面積的競(jìng)品器件相比,Vishay Siliconix SiJK140E的導(dǎo)通電阻降低了32 %,同時(shí)比采用TO-263-7L封裝的40 V MOSFET的導(dǎo)通電阻低58 %。日前發(fā)布的這款器件在10 V電壓下的典型導(dǎo)通電阻低至0
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意法半導(dǎo)體推出采用強(qiáng)化版STripFET F8技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)閾壓40V MOSFET

  • 意法半導(dǎo)體推出了標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓 (VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管,新系列產(chǎn)品兼?zhèn)鋸?qiáng)化版溝槽柵技術(shù)的優(yōu)勢(shì)和出色的抗噪能力,適用于非邏輯電平控制的應(yīng)用場(chǎng)景。工業(yè)級(jí)晶體管STL300N4F8和車(chē)規(guī)晶體管STL305N4F8AG的額定漏極電流高于300A,最大導(dǎo)通電阻 RDS(on)為1mΩ,可在高功率應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)出色的能效。動(dòng)態(tài)性能得到了改進(jìn),65nC(典型值)的總柵極電荷和低電容(Ciss, Crss)確保在高開(kāi)關(guān)頻率下電能損耗降至最低。MOSFET體二極管的低正向電壓和快速
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看完這篇,4個(gè)步驟快速完成MOSFET選型

  • 今天教你4個(gè)步驟選擇一個(gè)合適的MOSFET。第一步:選用N溝道還是P溝道  為設(shè)計(jì)選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應(yīng)用中,當(dāng)一個(gè)MOSFET接地,而負(fù)載連接到干線電壓上時(shí),該MOSFET就構(gòu)成了低壓側(cè)開(kāi)關(guān)。在低壓側(cè)開(kāi)關(guān)中,應(yīng)采用N溝道MOSFET,這是出于對(duì)關(guān)閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤]。當(dāng)MOSFET連接到總線及負(fù)載接地時(shí),就要用高壓側(cè)開(kāi)關(guān)。通常會(huì)在這個(gè)拓?fù)渲胁捎肞溝道MOSFET,這也是出于對(duì)電壓驅(qū)動(dòng)的考慮?!∫x擇適合應(yīng)用的器件,必須確定驅(qū)動(dòng)器件所需的電壓,以及
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英飛凌推出OptiMOS? Linear FET 2 MOSFET,賦能先進(jìn)的熱插拔技術(shù)和電池保護(hù)功能

  • 為了滿足AI服務(wù)器和電信領(lǐng)域的安全熱插拔操作要求,MOSFET必須具有穩(wěn)健的線性工作模式和較低的?RDS(on)?。英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出的新型OptiMOS? 5 Linear FET 2解決了這一難題,這款MOSFET專(zhuān)為實(shí)現(xiàn)溝槽?MOSFET的RDS(on)與經(jīng)典平面?MOSFET?的寬安全工作區(qū)(SOA)之間的理想平衡而設(shè)計(jì)。該半導(dǎo)體器件通過(guò)限制高浪涌電流防止對(duì)負(fù)載造成損害,并因其低RDS(on
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強(qiáng)茂SGT MOSFET第一代系列:創(chuàng)新槽溝技術(shù)車(chē)規(guī)級(jí)60 V N通道 突破車(chē)用電子的高效表現(xiàn)

  • 隨著汽車(chē)產(chǎn)業(yè)加速朝向智慧化以及互聯(lián)系統(tǒng)的發(fā)展,強(qiáng)茂推出最新車(chē)規(guī)級(jí)60 V N通道MOSFETs系列,采用屏蔽柵槽溝技術(shù)(SGT)來(lái)支持汽車(chē)電力裝置。此系列產(chǎn)品具備卓越的性能指標(biāo)(FOM)、超低導(dǎo)通電阻(RDS(ON))以及最小化的電容,能有效提升汽車(chē)電子系統(tǒng)的性能與能源效率,降低導(dǎo)通與切換的損耗,提供更卓越的電氣性能。強(qiáng)茂的60 V N通道SGT-MOSFETs提供多種緊密且高效的封裝選擇,包括DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、TO-252AA以及TO-220AB-L,為
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Vishay新款150V MOSFET具備業(yè)界領(lǐng)先的功率損耗性能

  • 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用PowerPAK? SO-8S(QFN 6x5)封裝的全新150 V TrenchFET? Gen V N溝道功率MOSFET---SiRS5700DP,旨在提高通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用領(lǐng)域的效率和功率密度。與上一代采用PowerPAK SO-8封裝的器件相比,Vishay Siliconix SiRS5700DP的總導(dǎo)通電阻降低了68.3 %,導(dǎo)通電阻和柵極電荷乘積(功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET的關(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)(FOM)降低了1
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意法半導(dǎo)體先進(jìn)的電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器STGAP3S為IGBT和SiC MOSFET提供靈活的保護(hù)功能

  • 意法半導(dǎo)體的STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率開(kāi)關(guān)柵極驅(qū)動(dòng)器集成了意法半導(dǎo)體最新的穩(wěn)健的電隔離技術(shù)、優(yōu)化的去飽和保護(hù)功能和靈活的米勒鉗位架構(gòu)。STGAP3S 在柵極驅(qū)動(dòng)通道與低壓控制和接口電路之間采用增強(qiáng)型電容隔離,瞬態(tài)隔離電壓 (VIOTM)耐壓9.6kV,共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI)達(dá)到 200V/ns。通過(guò)采用這種的先進(jìn)的電隔離技術(shù),STGAP3S提高了空調(diào)、工廠自動(dòng)化、家電等工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置的可靠性。新驅(qū)動(dòng)器還適合電源和能源應(yīng)用,包括充電站、儲(chǔ)能系統(tǒng)、功率因數(shù)校正 (PFC)、
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東芝推出具有低導(dǎo)通電阻和高可靠性的適用于車(chē)載牽引逆變器的最新款1200V SiC MOSFET

  • 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)近日宣布,最新開(kāi)發(fā)出一款用于車(chē)載牽引逆變器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅(SiC)MOSFET“X5M007E120”,其創(chuàng)新的結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻和高可靠性。X5M007E120現(xiàn)已開(kāi)始提供測(cè)試樣品,供客戶(hù)評(píng)估。當(dāng)?shù)湫蚐iC MOSFET的體二極管在反向傳導(dǎo)操作[3]期間雙極通電時(shí),其可靠性會(huì)因?qū)娮柙黾佣档?。東芝SiC MOSFET通過(guò)在MOSFET中嵌入SBD(肖特基勢(shì)壘二極管)以弱化體二極管工作的器件結(jié)構(gòu)來(lái)緩解上述問(wèn)題,但如若將SBD布置在芯片上
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意法半導(dǎo)體第四代碳化硅功率技術(shù)問(wèn)世!為下一代電動(dòng)汽車(chē)電驅(qū)逆變器量身定制

  • 意法半導(dǎo)體(簡(jiǎn)稱(chēng)ST)推出第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)。第四代技術(shù)有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個(gè)方面成為新的市場(chǎng)標(biāo)桿。在滿足汽車(chē)和工業(yè)市場(chǎng)需求的同時(shí),意法半導(dǎo)體還針對(duì)電動(dòng)汽車(chē)電驅(qū)系統(tǒng)的關(guān)鍵部件逆變器特別優(yōu)化了第四代技術(shù)。公司計(jì)劃在2027年前推出更多先進(jìn)的SiC技術(shù)創(chuàng)新成果,履行創(chuàng)新承諾。意法半導(dǎo)體模擬、功率與分立器件、MEMS和傳感器產(chǎn)品部(APMS)總裁Marco Cassis表示:“意法半導(dǎo)體承諾為市場(chǎng)提供尖端的碳化硅技術(shù),推動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)和高能效工業(yè)的未來(lái)發(fā)展。我們將繼續(xù)在器
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【測(cè)試案例分享】 如何評(píng)估熱載流子引導(dǎo)的MOSFET衰退

  • 隨著MOSFET柵極長(zhǎng)度的減小,熱載流子誘發(fā)的退化已成為重要的可靠性問(wèn)題之一。在熱載流子效應(yīng)中,載流子被通道電場(chǎng)加速并被困在氧化物中。這些被捕獲的電荷會(huì)引起測(cè)量器件參數(shù)的時(shí)間相關(guān)位移,例如閾值電壓?(VTH)、跨導(dǎo) (GM)以及線性 (IDLIN) 和飽和 (IDSAT) 漏極電流。隨著時(shí)間的推移,可能會(huì)發(fā)生實(shí)質(zhì)性的器件參數(shù)退化,從而導(dǎo)致器件失效。用于測(cè)量HCI的儀器必須提供以下三個(gè)關(guān)鍵功能:自動(dòng)提取設(shè)備參數(shù)創(chuàng)建具有各種應(yīng)力時(shí)間的應(yīng)力測(cè)量序列輕松導(dǎo)出測(cè)量數(shù)據(jù)進(jìn)行高級(jí)分析本文說(shuō)明描述了如何在Kei
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Littelfuse推出高頻應(yīng)用的IX4341和IX4342雙5安培低壓側(cè)MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 芝加哥,2024年9月19日--Littelfuse公司(NASDAQ:LFUS)是一家工業(yè)技術(shù)制造公司,致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司榮幸地宣布推出IX4341和IX4342雙5安培低壓側(cè)MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器。這些柵極驅(qū)動(dòng)器專(zhuān)為驅(qū)動(dòng)MOSFET而設(shè)計(jì),通過(guò)增加其余兩個(gè)邏輯輸入版本完善了現(xiàn)有的IX434x驅(qū)動(dòng)器系列。IX434x系列現(xiàn)在包括雙路同相、雙路反相以及同相和反相輸入版本,為客戶(hù)提供了全面的選擇。IX4341和IX4342驅(qū)動(dòng)器具有16納秒的短傳播延遲時(shí)間和7納秒的短暫
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高壓柵極驅(qū)動(dòng)器的功率耗散和散熱分析,一文get√

  • 高頻率開(kāi)關(guān)的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器,可能會(huì)產(chǎn)生大量的耗散功率。因此,需要確認(rèn)驅(qū)動(dòng)器功率耗散和由此產(chǎn)生的結(jié)溫,確保器件在可接受的溫度范圍內(nèi)工作。高壓柵極驅(qū)動(dòng)集成電路(HVIC)是專(zhuān)為半橋開(kāi)關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)的高邊和低邊柵極驅(qū)動(dòng)集成電路,驅(qū)動(dòng)高壓、高速M(fèi)OSFET 而設(shè)計(jì)?!陡邏簴艠O驅(qū)動(dòng)器的功率耗散和散熱分析》白皮書(shū)從靜態(tài)功率損耗分析、動(dòng)態(tài)功率損耗分析、柵極驅(qū)動(dòng)損耗分析等方面進(jìn)行了全面介紹。圖 1 顯示了 HVIC 的典型內(nèi)部框圖。主要功能模塊包括輸入級(jí)、欠壓鎖定保護(hù)、電平轉(zhuǎn)換器和輸出驅(qū)動(dòng)級(jí)。柵極驅(qū)動(dòng)器損耗
  • 關(guān)鍵字: MOSFET  IGBT  柵極驅(qū)動(dòng)器  功率耗散  

我國(guó)首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術(shù)

  • 9 月 3 日消息,“南京發(fā)布”官方公眾號(hào)于 9 月 1 日發(fā)布博文,報(bào)道稱(chēng)國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心(南京)歷時(shí) 4 年自主研發(fā),成功攻關(guān)溝槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造關(guān)鍵技術(shù),打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”,實(shí)現(xiàn)我國(guó)在該領(lǐng)域的首次突破。項(xiàng)目背景碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的主要代表之一,具有寬禁帶、高臨界擊穿電場(chǎng)、高電子飽和遷移速率和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性。碳化硅 MOS 主要有平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)兩種結(jié)構(gòu),目前業(yè)內(nèi)應(yīng)用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片為主。平面碳化硅 MOS
  • 關(guān)鍵字: 碳化硅  mosfet  第三代半導(dǎo)體  寬禁帶  

國(guó)家隊(duì)加持,芯片制造關(guān)鍵技術(shù)首次突破

  • 據(jù)南京發(fā)布近日消息,國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心(南京)歷時(shí)4年自主研發(fā),成功攻關(guān)溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造關(guān)鍵技術(shù),打破平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。據(jù)悉這是我國(guó)在這一領(lǐng)域的首次突破。公開(kāi)資料顯示,碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的主要代表之一,具有寬禁帶、高臨界擊穿電場(chǎng)、高電子飽和遷移速率和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性。碳化硅MOS主要有平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)兩種結(jié)構(gòu)。目前業(yè)內(nèi)應(yīng)用主要以平面型碳化硅MOSFET芯片為主。平面碳化硅MOS結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是工藝簡(jiǎn)單,元胞一致性較好、雪崩能量比較高;缺點(diǎn)是當(dāng)電流被
  • 關(guān)鍵字: 碳化硅  溝槽型碳化硅  MOSFET  

羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量應(yīng)用于吉利集團(tuán)電動(dòng)汽車(chē)品牌“極氪”3種主力車(chē)型

  • 8月29日上午,備受矚目的2024年武漢鐵人三項(xiàng)亞洲杯賽、2024年武漢全國(guó)鐵人三項(xiàng)冠軍杯系列賽暨U系列冠軍杯賽、2024年中國(guó)·武漢鐵人三項(xiàng)公開(kāi)賽新聞發(fā)布會(huì)成功召開(kāi)。發(fā)布會(huì)上,賽事組委會(huì)發(fā)布了賽事宣傳片、賽事分組、競(jìng)賽距離、競(jìng)賽日程、公開(kāi)賽標(biāo)志、賽事獎(jiǎng)牌等相關(guān)內(nèi)容。武漢市體育局黨組成員、副局長(zhǎng)洪旭艷,江夏區(qū)人民政府黨組成員、副區(qū)長(zhǎng)梁爽出席此次發(fā)布會(huì);武漢市社會(huì)體育指導(dǎo)中心副主任邱海防代表武漢市體育局發(fā)布賽事信息;江夏區(qū)文化和旅游局(體育局)局長(zhǎng)繆璐進(jìn)行江夏區(qū)文旅推介,向社會(huì)各界發(fā)出“跟著賽事游江夏”的邀
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