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?MOSFET共源放大器的頻率響應(yīng)

  • 在本文中,我們通過(guò)研究MOSFET共源放大器的s域傳遞函數(shù)來(lái)了解其頻率響應(yīng)。之前,我們了解了MOSFET共源放大器的大信號(hào)和小信號(hào)行為。這些分析雖然有用,但僅適用于低頻操作。為了了解共用源(CS)放大器在較高頻率下的功能,我們需要更詳細(xì)地研究其頻率響應(yīng)。在本文中,我們將在考慮MOSFET寄生電容的情況下導(dǎo)出CS放大器的全傳遞函數(shù)。然而,在我們這么做之前,讓我們花點(diǎn)時(shí)間回顧頻域中更為普遍的傳遞函數(shù)(TF)分析。s域傳輸函數(shù)TF是表示如何由線性系統(tǒng)操縱輸入信號(hào)(x)以產(chǎn)生輸出信號(hào)(y)的方程式。其形式為:&n
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輕松了解功率MOSFET的雪崩效應(yīng)

  • 在關(guān)斷狀態(tài)下,功率MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場(chǎng)使得漏極和源極端子之間有大量電流流動(dòng)。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數(shù)量級(jí)。根據(jù)電路條件不同,在雪崩、MOSFET漏極或源極中,電流范圍可從微安到數(shù)百安。  額定擊穿電壓,也可稱之為“BV”,通常是在給定溫度范圍(通常是整個(gè)工作結(jié)溫范圍)內(nèi)定義的MOSFET器件的最小阻斷電壓(例如30V)。數(shù)據(jù)表中的BVdss值是在低雪崩電流(通常為
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Nexperia在APEC 2024上發(fā)布拓寬分立式FET解決方案系列

  • 奈梅亨,2024年2月29日:Nexperia再次在APEC上展示產(chǎn)品創(chuàng)新,今天宣布發(fā)布幾款新型MOSFET,以進(jìn)一步拓寬其分立開(kāi)關(guān)解決方案的范圍,可用于多個(gè)終端市場(chǎng)的各種應(yīng)用。此次發(fā)布的產(chǎn)品包括用于PoE、eFuse和繼電器替代產(chǎn)品的100 V 應(yīng)用專用MOSFET (ASFET),采用DFN2020封裝,體積縮小60%,以及改進(jìn)了電磁兼容性(EMC)的40 ?V NextPowerS3 MOSFETPoE交換機(jī)通常有多達(dá)48個(gè)端口,每個(gè)端口需要2個(gè)MOSFET提供保護(hù)。單個(gè)PCB上有多達(dá)96
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MOSFET共源放大器介紹

  • 在本文中,我們介紹了具有不同負(fù)載類型的MOSFET共源放大器的基本行為。模擬電路隨處可見(jiàn),放大器基本上是每個(gè)模擬電路的一部分。MOSFET能夠制造出卓越的放大器件,這就是為什么有多種基于它們的單級(jí)放大器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的原因。根據(jù)哪個(gè)晶體管端子是輸入端和哪個(gè)晶體管端子是輸出端來(lái)區(qū)分它們。在本文中,我們將討論共用源極(CS)放大器,它使用柵極作為其輸入端子,使用漏極作為其輸出。在交流信號(hào)方面,源端子對(duì)于輸入和輸出都是公共的,因此得名為共源。圖1顯示了具有理想電流源的CS放大器。具有理想電流源負(fù)載的共源放大器。&nb
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?MOSFET共源放大器介紹

  • 在本文中,我們介紹了具有不同負(fù)載類型的MOSFET共源放大器的基本行為。模擬電路隨處可見(jiàn),放大器基本上是每個(gè)模擬電路的一部分。MOSFET能夠制造出卓越的放大器件,這就是為什么有多種基于它們的單級(jí)放大器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的原因。根據(jù)哪個(gè)晶體管端子是輸入端和哪個(gè)晶體管端子是輸出端來(lái)區(qū)分它們。在本文中,我們將討論共用源極(CS)放大器,它使用柵極作為其輸入端子,使用漏極作為其輸出。在交流信號(hào)方面,源端子對(duì)于輸入和輸出都是公共的,因此得名為共源。圖1顯示了具有理想電流源的CS放大器。具有理想電流源負(fù)載的共源放大器。&nb
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內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉(zhuǎn)換器IC,助推工廠智能化

  • 本文的關(guān)鍵要點(diǎn)各行各業(yè)的工廠都在擴(kuò)大生產(chǎn)線的智能化程度,在生產(chǎn)線上的裝置和設(shè)備旁邊導(dǎo)入先進(jìn)信息通信設(shè)備的工廠越來(lái)越多。要將高壓工業(yè)電源線的電力轉(zhuǎn)換為信息通信設(shè)備用的電力,需要輔助設(shè)備用的高效率電源,而采用內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉(zhuǎn)換器IC可以輕松構(gòu)建這種高效率的輔助電源。各行各業(yè)加速推進(jìn)生產(chǎn)線的智能化如今,從汽車、半導(dǎo)體到食品、藥品和化妝品等眾多行業(yè)的工廠,既需要進(jìn)一步提升生產(chǎn)效率和產(chǎn)品品質(zhì),還需要推進(jìn)無(wú)碳生產(chǎn)(降低功耗和減少溫室氣體排放)。在以往的制造業(yè)中,提高工廠的生產(chǎn)效率和
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2000V 12-100mΩ CoolSiC? MOSFET

  • CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝,規(guī)格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯(lián)技術(shù),CoolSiC?技術(shù)的輸出電流能力強(qiáng),可靠性提高。產(chǎn)品型號(hào):???IMYH200R012M1H???IMYH200R024M1H???IMYH200R050M1H???IMYH200R075M1H???IMYH200R0100M1H產(chǎn)品特點(diǎn)■ VDSS=2000V,可用于最高母線電壓為1500VDC系統(tǒng)■ 開(kāi)關(guān)損
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談?wù)凷iC MOSFET的短路能力

  • 在電力電子的很多應(yīng)用,如電機(jī)驅(qū)動(dòng),有時(shí)會(huì)出現(xiàn)短路的工況。這就要求功率器件有一定的扛短路能力,即在一定的時(shí)間內(nèi)承受住短路電流而不損壞。目前市面上大部分IGBT都會(huì)在數(shù)據(jù)手冊(cè)中標(biāo)出短路能力,大部分在5~10us之間,例如英飛凌IGBT3/4的短路時(shí)間是10us,IGBT7短路時(shí)間是8us。而 大 部 分 的 SiC MOSFET 都 沒(méi) 有 標(biāo) 出 短 路 能 力 , 即 使 有 , 也 比 較 短 , 例 如 英 飛 凌 的CoolSiCTM MOSFET單管封裝器件標(biāo)稱短路時(shí)間是3us,EASY封裝器件標(biāo)
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用于模擬IC設(shè)計(jì)的小信號(hào)MOSFET模型

  • MOSFET的小信號(hào)特性在模擬IC設(shè)計(jì)中起著重要作用。在本文中,我們將學(xué)習(xí)如何對(duì)MOSFET的小信號(hào)行為進(jìn)行建模。正如我們?cè)谏弦黄恼轮兴忉尩哪菢?,MOSFET對(duì)于現(xiàn)代模擬IC設(shè)計(jì)至關(guān)重要。然而,那篇文章主要關(guān)注MOSFET的大信號(hào)行為。模擬IC通常使用MOSFET進(jìn)行小信號(hào)放大和濾波。為了充分理解和分析MOS電路,我們需要定義MOSFET的小信號(hào)行為。什么是小信號(hào)分析?當(dāng)我們說(shuō)“小信號(hào)”時(shí),我們的確切意思是?為了定義這一點(diǎn),讓我們參考圖1,它顯示了逆變器的輸出傳遞特性。逆變器的傳輸特性。 圖
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利用低電平有效輸出驅(qū)動(dòng)高端MOSFET輸入開(kāi)關(guān)以實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)電源循環(huán)

  • 摘要在無(wú)線收發(fā)器等應(yīng)用中,系統(tǒng)一般處于偏遠(yuǎn)地區(qū),通常由電池供電。由于鮮少有人能夠前往現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行干預(yù),此類應(yīng)用必須持續(xù)運(yùn)行。系統(tǒng)持續(xù)無(wú)活動(dòng)或掛起后,需要復(fù)位系統(tǒng)以恢復(fù)操作。為了實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)復(fù)位,可以切斷電源電壓,斷開(kāi)系統(tǒng)電源,然后再次連接電源以重啟系統(tǒng)。 本文將探討使用什么方法和技術(shù)可以監(jiān)控電路的低電平有效輸出來(lái)驅(qū)動(dòng)高端輸入開(kāi)關(guān),從而執(zhí)行系統(tǒng)電源循環(huán)。 簡(jiǎn)介為了提高電子系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)健性,一種方法是實(shí)施能夠檢測(cè)故障并及時(shí)響應(yīng)的保護(hù)機(jī)制。這些機(jī)制就像安全屏障,能夠減輕潛在損害,確保系統(tǒng)正常運(yùn)行
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如何增強(qiáng)系統(tǒng)魯棒性?這三樣法寶請(qǐng)您收下!

  • 本文研究具有背靠背MOSFET的理想二極管以及其他更先進(jìn)的器件。文中還介紹了一種集成多種功能以提供整體系統(tǒng)保護(hù)的理想二極管解決方案。二極管是非常有用的器件,對(duì)許多應(yīng)用都很重要。標(biāo)準(zhǔn)硅二極管的壓降為0.6 V至0.7 V。肖特基二極管的壓降為0.3 V。一般來(lái)說(shuō),壓降不是問(wèn)題,但在高電流應(yīng)用中,各個(gè)壓降會(huì)產(chǎn)生顯著的功率損耗。理想二極管是此類應(yīng)用的理想器件。幸運(yùn)的是,MOSFET可以取代標(biāo)準(zhǔn)硅二極管,并提供意想不到的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)。簡(jiǎn)介理想二極管使用低導(dǎo)通電阻功率開(kāi)關(guān)(通常為MOSFET)來(lái)模擬二極管的單向
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SiC MOSFET用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的優(yōu)勢(shì)

  • 低電感電機(jī)有許多不同應(yīng)用,包括大氣隙電機(jī)、無(wú)槽電機(jī)和低泄露感應(yīng)電機(jī)。它們也可被用在使用PCB定子而非繞組定子的新電機(jī)類型中。這些電機(jī)需要高開(kāi)關(guān)頻率(50-100kHz)來(lái)維持所需的紋波電流。然而,對(duì)于50kHz以上的調(diào)制頻率使用絕緣柵雙極晶體管(IGBT)無(wú)法滿足這些需求,如果是380V系統(tǒng),硅MOSFET耐壓又不夠,這就為寬禁帶器件開(kāi)創(chuàng)了新的機(jī)會(huì)。在我們的傳統(tǒng)印象中,電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)往往采用IGBT作為開(kāi)關(guān)器件,而SiC MOSFET作為高速器件往往與光伏和電動(dòng)汽車充電等需要高頻變換的應(yīng)用相關(guān)聯(lián)。但在特定的
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NMOS和PMOS詳解

  • 一、簡(jiǎn)介MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。其中,G是柵極,S是源極,D是漏極。二、nmos和pmos的原理與區(qū)別NMOSNMOS英文全稱為N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體,而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MO
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ROHM開(kāi)發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝的600V耐壓Super Junction MOSFET

  • ~產(chǎn)品陣容新增具有低噪聲、高速開(kāi)關(guān)和超短反向恢復(fù)時(shí)間特點(diǎn)的5款新產(chǎn)品~全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開(kāi)發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐壓Super Junction MOSFET*1“R6004END4?/ R6003KND4?/ R6006KND4?/ R6002JND4?/ R6003JND4”,新產(chǎn)品非常適用于照明用小型電源、電泵和電機(jī)等應(yīng)用。?近年來(lái),隨著照明用的小型電源
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英飛凌推出首款采用OptiMOS? 7技術(shù)15 V PQFN封裝的溝槽功率MOSFET

  • 數(shù)據(jù)中心和計(jì)算應(yīng)用對(duì)電源的需求日益增長(zhǎng),需要提高電源的效率并設(shè)計(jì)緊湊的電源。英飛凌科技股份公司順應(yīng)系統(tǒng)層面的發(fā)展趨勢(shì),推出業(yè)界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務(wù)器、計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和人工智能應(yīng)用上提升DC-DC轉(zhuǎn)換率。該半導(dǎo)體產(chǎn)品組合包含最新的PQFN 3.3 x 3.3 mm2源極底置(Source-Down)封裝,標(biāo)準(zhǔn)門級(jí)和門級(jí)居中引腳排列形式均提供底部冷卻型和雙面冷卻型以供選擇;此外,該產(chǎn)品組合還包含穩(wěn)定可靠的超小型的PQFN
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