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高性能 SiC MOSFET 技術(shù)裝置設(shè)計(jì)理念

合適的設(shè)備概念應(yīng)允許一定的設(shè)計(jì)自由度，以便適應(yīng)各種任務(wù)概況的需求，而無(wú)需對(duì)處理和布局進(jìn)行重大改變。然而，關(guān)鍵性能指標(biāo)仍然是所選器件概念的低面積比電阻，與其他列出的參數(shù)相結(jié)合。圖 1 列出了一些被認(rèn)為必不可少的參數(shù)，還可以添加更多參數(shù)。合適的設(shè)備概念應(yīng)允許一定的設(shè)計(jì)自由度，以便適應(yīng)各種任務(wù)概況的需求，而無(wú)需對(duì)處理和布局進(jìn)行重大改變。然而，關(guān)鍵性能指標(biāo)仍然是所選器件概念的低面積比電阻，與其他列出的參數(shù)相結(jié)合。圖 1 列出了一些被認(rèn)為必不可少的參數(shù)，還可以添加更多參數(shù)。圖 1：必須與 SiC MOSF
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全球SiC爭(zhēng)霸賽，誰(shuí)在豪擲千金？

“能夠優(yōu)先掌握SiC這種領(lǐng)先技術(shù)的國(guó)家，將能夠改變游戲規(guī)則，擁有SiC將對(duì)美國(guó)具有深遠(yuǎn)的影響?！?Alan Mantooth 接受媒體采訪時(shí)坦言道。2021年10月，由Alan Mantooth 領(lǐng)導(dǎo)的工程研究人員從美國(guó)國(guó)家科學(xué)基金（NSF）獲得了1787萬(wàn)美元的資助，用于在阿肯色大學(xué)開(kāi)始建設(shè)一個(gè)國(guó)家級(jí)SiC研究和制造中心。該SiC研究與制造中心一方面為美國(guó)學(xué)生提供SiC相關(guān)技術(shù)的培訓(xùn)和教育，以達(dá)到鼓勵(lì)美國(guó)新一代在該領(lǐng)域發(fā)展的目的，此外其部署的SiC晶圓生產(chǎn)線，能夠讓美國(guó)大學(xué)，企業(yè)以及政府研究人員進(jìn)行長(zhǎng)期
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英飛凌高壓超結(jié)MOSFET系列產(chǎn)品新增工業(yè)級(jí)和車規(guī)級(jí)器件

【2023年7月27日，德國(guó)慕尼黑訊】在靜態(tài)開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，電源設(shè)計(jì)側(cè)重于最大程度地降低導(dǎo)通損耗、優(yōu)化熱性能、實(shí)現(xiàn)緊湊輕便的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，同時(shí)以低成本實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量。為滿足新一代解決方案的需求，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴(kuò)大其CoolMOS? S7 系列高壓超結(jié)（SJ）MOSFET 的產(chǎn)品陣容。該系列器件主要適用于開(kāi)關(guān)電源（SMPS）、太陽(yáng)能系統(tǒng)、電池保護(hù)、固態(tài)繼電器（SSR）、電機(jī)啟動(dòng)器和固態(tài)斷路器以及可編程邏輯控制器（PLC）、照明控制、高壓電子保險(xiǎn)絲/電子斷路器
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如何優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)？這款I(lǐng)C方案推薦給您

在高壓開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用中，相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡(jiǎn)稱“SiC”）MOSFET有明顯的優(yōu)勢(shì)。使用硅MOSFET可以實(shí)現(xiàn)高頻（數(shù)百千赫茲）開(kāi)關(guān)，但它們不能用于非常高的電壓（>1000 V）。而IGBT雖然可以在高壓下使用，但其 "拖尾電流 "和緩慢的關(guān)斷使其僅限于低頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用。SiC MOSFET則兩全其美，可實(shí)現(xiàn)在高壓下的高頻開(kāi)關(guān)。然而，SiC MOSFET的獨(dú)特器件特性意味著它們對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路有特殊的要求。了解這些特性后，設(shè)計(jì)人員就可以選擇能夠提高器件可靠性
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ROHM開(kāi)發(fā)出EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”，助力減少服務(wù)器和AC適配器等的損耗和體積！

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向數(shù)據(jù)服務(wù)器等工業(yè)設(shè)備和AC適配器等消費(fèi)電子設(shè)備的一次側(cè)電源*1，開(kāi)發(fā)出集650V GaN HEMT*2和柵極驅(qū)動(dòng)用驅(qū)動(dòng)器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。近年來(lái)，為了實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的社會(huì)，對(duì)消費(fèi)電子和工業(yè)設(shè)備的電源提出了更高的節(jié)能要求。針對(duì)這種需求，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率和實(shí)現(xiàn)器件小型化的器件被寄予厚望。然而，與Si MOSFET相
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耗盡型功率MOSFET：被忽略的MOS產(chǎn)品

功率MOSFET最常用于開(kāi)關(guān)型應(yīng)用中，發(fā)揮著開(kāi)關(guān)的作用。然而，在諸如SMPS的啟動(dòng)電路、浪涌和高壓保護(hù)、防反接保護(hù)或固態(tài)繼電器等應(yīng)用中，當(dāng)柵極到源極的電壓VGS為零時(shí)，功率MOSFET需要作為?！伴_(kāi)”開(kāi)關(guān)運(yùn)行。在VGS=0V時(shí)作為常 "開(kāi) "開(kāi)關(guān)的功率MOSFET，稱為耗盡型(depletion-mode ) MOSFET。功率MOSFET最常用于開(kāi)關(guān)型應(yīng)用中，發(fā)揮著開(kāi)關(guān)的作用。然而，在諸如SMPS的啟動(dòng)電路、浪涌和高壓保護(hù)、防反接保護(hù)或固態(tài)繼電器等應(yīng)用中，當(dāng)柵極到源極的電壓VGS為零
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安森美 M3S EliteSiC MOSFET 讓車載充電器升級(jí)到 800V 電池架構(gòu)

自電動(dòng)汽車 (EV) 在汽車市場(chǎng)站穩(wěn)腳跟以來(lái)，電動(dòng)汽車制造商一直在追求更高功率的傳動(dòng)系統(tǒng)、更大的電池容量和更短的充電時(shí)間。為滿足客戶需求和延長(zhǎng)行駛里程，電動(dòng)汽車制造商不斷增加車輛的電池容量。然而，電池越大，意味著充電的時(shí)間就越長(zhǎng)。最常見(jiàn)的充電方法是在家充一整夜或白天到工作場(chǎng)所充電。這兩種情況對(duì)電動(dòng)汽車的功率水平提出了不同的要求。使用家中的住宅電源插座可能無(wú)法在一整夜后就為電動(dòng)汽車充滿電。工作場(chǎng)所提供的可能是中等功率的交流充電樁，如果汽車配備的是較低功率的車載充電器 (OBC)，那么充電樁使用時(shí)間可能會(huì)成為
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安森美(onsemi)M3S EliteSiC MOSFET讓車載充電器升級(jí)到800V電池架構(gòu)

自電動(dòng)汽車 (EV) 在汽車市場(chǎng)站穩(wěn)腳跟以來(lái)，電動(dòng)汽車制造商一直在追求更高功率的傳動(dòng)系統(tǒng)、更大的電池容量和更短的充電時(shí)間。為滿足客戶需求和延長(zhǎng)行駛里程，電動(dòng)汽車制造商不斷增加車輛的電池容量。然而，電池越大，意味著充電的時(shí)間就越長(zhǎng)。最常見(jiàn)的充電方法是在家充一整夜或白天到工作場(chǎng)所充電。這兩種情況對(duì)電動(dòng)汽車的功率水平提出了不同的要求。使用家中的住宅電源插座可能無(wú)法在一整夜后就為電動(dòng)汽車充滿電。工作場(chǎng)所提供的可能是中等功率的交流充電樁，如果汽車配備的是較低功率的車載充電器 (OBC)，那么充電樁使用時(shí)間可能會(huì)成為
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用于SiC MOSFET的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器使用指南

SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中正迅速普及，因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥?wèn)題已得到解決，并且價(jià)位已達(dá)到非常有吸引力的水平。隨著市場(chǎng)上的器件越來(lái)越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅(qū)動(dòng)條件對(duì)它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分，還將提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器）的使用指南。本文為第三部分，將重點(diǎn)介紹NCP517
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Nexperia擴(kuò)充NextPower 80/100 V MOSFET產(chǎn)品組合的封裝系列

奈梅亨，2023年6月21日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布擴(kuò)充NextPower 80/100 V MOSFET產(chǎn)品組合的封裝系列。此前該產(chǎn)品組合僅提供LFPAK56E封裝，而現(xiàn)在新增了LFPAK56和LFPAK88封裝設(shè)計(jì)。這些器件具備高效率和低尖峰特性，適用于通信、服務(wù)器、工業(yè)、開(kāi)關(guān)電源、快充、USB-PD和電機(jī)控制應(yīng)用。長(zhǎng)期以來(lái)，品質(zhì)因數(shù)Qg*RDSon一直是半導(dǎo)體制造商提高M(jìn)OSFET開(kāi)關(guān)效率的重點(diǎn)。然而，一味地降低該品質(zhì)因數(shù)導(dǎo)致產(chǎn)生了意外后果
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采用SiC MOSFET的高性能逆變焊機(jī)設(shè)計(jì)要點(diǎn)

近年來(lái)，為了更好地實(shí)現(xiàn)自然資源可持續(xù)利用，需要更多節(jié)能產(chǎn)品，因此，關(guān)于焊機(jī)能效的強(qiáng)制性規(guī)定應(yīng)運(yùn)而生。經(jīng)改進(jìn)的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200V采用基于.XT擴(kuò)散焊技術(shù)的TO-247封裝，其非常規(guī)封裝和熱設(shè)計(jì)方法通過(guò)改良設(shè)計(jì)提高了能效和功率密度。逆變焊機(jī)通常是通過(guò)IGBT功率模塊解決方案設(shè)計(jì)來(lái)實(shí)現(xiàn)更高輸出功率，從而幫助降低節(jié)能焊機(jī)的成本、重量和尺寸[1]。在焊機(jī)行業(yè)，諸如提高效率、降低成本和增強(qiáng)便攜性（即，縮小尺寸并減輕重量）等趨勢(shì)一直是促進(jìn)持續(xù)發(fā)展的推動(dòng)力。譬如，多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)法規(guī)已經(jīng)或即將強(qiáng)制規(guī)
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干貨 | MOSFET結(jié)構(gòu)及其工作原理詳解

01?概述MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場(chǎng)的效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體（S）的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管也分為結(jié)型和絕緣柵型,但通常主要指絕緣柵型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,簡(jiǎn)稱功率MOSFET（Power MOSFET）。結(jié)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管一般稱作靜電感應(yīng)晶體管（Sta
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用于車載充電器應(yīng)用的1200 V SiC MOSFET模塊使用指南

隨著電動(dòng)汽車的車載充電器 (OBC) 迅速向更高功率和更高開(kāi)關(guān)頻率發(fā)展，對(duì) SiC MOSFET 的需求也在增長(zhǎng)。許多高壓分立 SiC MOSFET 已經(jīng)上市，工程師也在利用它們的性能優(yōu)勢(shì)設(shè)計(jì) OBC 系統(tǒng)。要注意的是，PFC 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的變化非常顯著。設(shè)計(jì)人員正在采用基于 SiC MOSFET 的無(wú)橋 PFC 拓?fù)?，因?yàn)樗兄吭降拈_(kāi)關(guān)性能和較小的反向恢復(fù)特性。眾所周知，使用 SiC MOSFET 模塊可提供電氣和熱性能以及功率密度方面的優(yōu)勢(shì)。安森美 (onsemi) 在使用 Si MOSFET 技術(shù)的汽
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三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds？

MOSFET和三極管，在ON 狀態(tài)時(shí)，MOSFET通常用Rds，三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過(guò)來(lái)的情況，三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds呢？MOSFET和三極管，在ON 狀態(tài)時(shí)，MOSFET通常用Rds，三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過(guò)來(lái)的情況，三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds呢？三極管ON狀態(tài)時(shí)工作于飽和區(qū)，導(dǎo)通電流Ice主要由Ib與Vce決定，由于三極管的基極驅(qū)動(dòng)電流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能簡(jiǎn)單的僅由Vce來(lái)決定，即不能采用飽和Rc
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如何利用1200 V EliteSiC MOSFET 模塊，打造充電更快的車載充電器？

要能快速高效地為電動(dòng)車更大的電池充電，電動(dòng)車才能在市場(chǎng)普及并發(fā)展。2021 年，市場(chǎng)上排名前 12 位的電動(dòng)汽車的平均電池容量為 80 kW-hr。消費(fèi)者主要在家中使用車輛的車載充電器(OBC) 進(jìn)行充電。為確保合理的車輛充電時(shí)間，OEM 還將 OBC 的功率容量從 6.6 kW 提高到 11 kW，甚至高達(dá) 22 kW。使用 6.6 kW OBC 時(shí)，這些電動(dòng)汽車需要 12.1 小時(shí)才能充滿電。而將 OBC 功率增加到 11 kW 后，充電時(shí)間縮短至 7.3 小時(shí)，而使用 22 kW OBC 時(shí)，只需
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