nch mosfet 文章 進入nch mosfet技術社區(qū)
高壓SiC MOSFET研究現(xiàn)狀與展望
- 碳化硅(SiC)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)作為寬禁帶半導體單極型功率 器件,具有頻率高、耐壓高、效率高等優(yōu)勢,在高壓應用領域需求廣泛,具有巨大的研究價值。回顧了高壓 SiC MOSFET 器件的發(fā)展歷程和前沿技術進展,總結了進一步提高器件品質因數的元胞優(yōu)化結構,介紹了針對高壓器件的幾種終端結構及其發(fā)展現(xiàn)狀,對高壓 SiC MOSFET 器件存在的瓶頸和挑戰(zhàn)進行了討論。1 引言電力電子變換已經逐步進入高壓、特高壓領域,高壓功率器件是制約變換器體積、功耗和效率的決定性因素。特高壓交直流輸電、
- 關鍵字: SiC MOSFET
瑞薩電子推出新型柵極驅動IC 用于驅動EV逆變器的IGBT和SiC MOSFET
- 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子(TSE:6723)近日宣布,推出一款全新柵極驅動IC——RAJ2930004AGM,用于驅動電動汽車(EV)逆變器的IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和SiC(碳化硅)MOSFET等高壓功率器件。柵極驅動IC作為電動汽車逆變器的重要組成部分,在逆變器控制MCU,及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。它們在低壓域接收來自MCU的控制信號,并將這些信號傳遞至高壓域,快速開啟和關閉功率器件。為適應電動車輛電池的更高電壓,RAJ2930004AGM內置3.75kV
- 關鍵字: 瑞薩 柵極驅動IC EV逆變器 IGBT SiC MOSFET
簡述功率MOSFET電流額定值和熱設計
- 電氣設備(如斷路器,電機或變壓器)的電流額定值,是指在某個電流下,器件本身達到的溫度可能損害器件可靠性和功能時的電流值。制造商雖然知道器件材料的溫度限值,但是他并不知道使用器件時的環(huán)境溫度。因此,他只能假設環(huán)境溫度。1、什么是電流額定值??電氣設備(如斷路器,電機或變壓器)的電流額定值,是指在某個電流下,器件本身達到的溫度可能損害器件可靠性和功能時的電流值。制造商雖然知道器件材料的溫度限值,但是他并不知道使用器件時的環(huán)境溫度。因此,他只能假設環(huán)境溫度。這就帶來了兩種后果:?? 每個電流
- 關鍵字: MOSFET
羅姆的第 4 代SiC MOSFET成功應用于日立安斯泰莫的純電動汽車逆變器
- 全球知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都市)的第4代SiC MOSFET和柵極驅動器IC已被日本先進的汽車零部件制造商日立安斯泰莫株式會社(以下簡稱“日立安斯泰莫”)用于其純電動汽車(以下簡稱“EV”)的逆變器。在全球實現(xiàn)無碳社會的努力中,汽車的電動化進程加速,在這種背景下,開發(fā)更高效、更小型、更輕量的電動動力總成系統(tǒng)已經成為必經之路。尤其是在EV領域,為了延長續(xù)航里程并減小車載電池的尺寸,提高發(fā)揮驅動核心作用的逆變器的效率已成為一個重要課題,業(yè)內對碳化硅功率元器件寄予厚望。 羅姆自2010年
- 關鍵字: 羅姆 SiC MOSFET 日立安斯泰莫 純電動汽車逆變器
一文讀懂功率半導體
- 功率半導體是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心,主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉換等。凡是在擁有電流電壓以及相位轉換的電路系統(tǒng)中,都會用到功率器件,MOSFET、IGBT主要作用在于將發(fā)電設備產生的電壓和頻率雜亂不一的“粗電”通過一系列的轉換調制變成擁有特定電能參數的“精電”、供給需求不一的用電終端,為電子電力變化裝置的核心器件之一。在分立器件發(fā)展過程中,20世紀50年代,功率二極管、功率三極管面世并應用于工業(yè)和電力系統(tǒng)。20世紀60至70年代,晶閘管等半導體功率器件快速發(fā)展。20世紀70年代
- 關鍵字: 功率半導體 MOSFET IGBT
nch mosfet介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條nch mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對nch mosfet的理解,并與今后在此搜索nch mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對nch mosfet的理解,并與今后在此搜索nch mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網安備11010802012473