首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> nch mosfet

安森美推全球首款TOLL封裝碳化硅MOSFET 尺寸大幅縮小

  • 安森美（onsemi，美國納斯達克股票代號：ON）在PCIM Europe展會發(fā)布全球首款To-Leadless（TOLL）封裝的碳化硅（SiC）MOSFET。該晶體管滿足了對適合高功率密度設計的高性能開關組件迅速增長的需求。直到最近，SiC組件一直采用明顯需要更大空間的D2PAK 7接腳封裝。TOLL封裝的尺寸僅為9.90mm x 11.68mm，比D2PAK封裝的PCB面積節(jié)省30％。而且，它的外形只有2.30mm，比D2PAK封裝的體積小60％。除了更小尺寸之外，TOLL封裝還提供比D2PAK 7接
  • 關鍵字： 安森美  TOLL封裝  碳化硅  MOSFET  

英飛凌推出1200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片，以增強特性進一步提高系統(tǒng)能效

  • 英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了一項全新的CoolSiC?技術(shù)，即CoolSiC? MOSFET 1200 V M1H。這款先進的碳化硅（SiC）芯片用于頗受歡迎的Easy模塊系列，以及采用基于.XT互連技術(shù)的分立式封裝，具有非常廣泛的產(chǎn)品組合。M1H芯片具有很高的靈活性，適用于必須滿足峰值電力需求的太陽能系統(tǒng)，如光伏逆變器。同時，這款芯片也是電動汽車快充、儲能系統(tǒng)和其他工業(yè)應用的理想選擇。CoolSiC技術(shù)取得的最新進展使得柵極驅(qū)動電壓窗口明顯增大，從而降低了既定芯片面積下的導通電阻。與此同時，隨著柵極運行
  • 關鍵字： SiC  太陽能  MOSFET  

場效應管常用的三大作用：放大作用、恒流輸出、開關導通

  • 1、放大電路場效應管具有輸入阻抗高、低噪聲等特點，因此經(jīng)常作為多級放大電流的輸入級，與三極管一樣，根據(jù)輸入、輸出回路公共端選擇不同，將場效應管放電電路分為共源、公漏、共柵三種狀態(tài)，如下圖是場效應管共源放大電路，其中：Rg是柵極電阻，將Rs壓降加至柵極；Rd是漏極電阻，將漏極電流轉(zhuǎn)換成漏極電壓，并影響放大倍數(shù)Au；Rs是源極電阻，為柵極提供偏壓；C3是旁路電容，消除Rs對交流信號的衰減。2、電流源電路恒流源在計量測試應用很廣泛，如下圖是主要是由場效應管組成的恒流源電路，這是可作為磁電式儀表調(diào)標尺工序。由于場
  • 關鍵字： MOSFET  MOS  場效應管  

開關電源MOS管有哪些損耗，如何減少MOS管損耗

  • 一、什么是開關電源開關模式電源（SwitchModePowerSupply，簡稱SMPS），又稱交換式電源、開關變換器，是一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置，是電源供應器的一種。其功能是將一個位準的電壓，透過不同形式的架構(gòu)轉(zhuǎn)換為用戶端所需求的電壓或電流。開關電源的輸入多半是交流電源（例如市電）或是直流電源，而輸出多半是需要直流電源的設備，例如個人電腦，而開關電源就進行兩者之間電壓及電流的轉(zhuǎn)換。二、開關損耗開關損耗包括導通損耗和截止損耗。1、導通損耗指功率管從截止到導通時,所產(chǎn)生的功率損耗。截止損耗指功率管從導通到截止
  • 關鍵字： 開關電源  MOS  MOSFET  

10A電子保險絲可為48 V電源提供緊湊型過流保護

  • 摘要傳統(tǒng)上，過流保護使用的是保險絲。但是，保險絲體積龐大，響應速度慢，跳閘電流公差大，需要在一次或幾次跳閘后更換。本文介紹一種外形緊湊、纖薄、響應速度快的10 A電子保險絲，它沒有上述這些無源保險絲缺點。電子保險絲可在高達48 V的DC電源軌上提供過流保護。簡介為了盡量減少由電氣故障引起的系統(tǒng)停機時間，使用率高的電源或全年無休的系統(tǒng)需要在供電板上增加過載和短路保護。當電源為多個子系統(tǒng)或板（例如RF功率放大器陣列或基于背板的服務器和路由器）供電時，必須為電源提供過流保護。快速斷開發(fā)生故障的子系統(tǒng)與共享電源總
  • 關鍵字： MOSFET  

功率半導體的創(chuàng)新驅(qū)動下一代能源網(wǎng)絡建設，構(gòu)建可持續(xù)發(fā)展的未來

  • 全球變暖是人類面臨的最大挑戰(zhàn)。全球科學家已達成共識，必須將溫室氣體排放足跡減少到 2000 年的水平，將全球氣溫上升限制在 1.5oC 以下，才能擁有一個可持續(xù)發(fā)展的未來。要實現(xiàn)面向未來的可持續(xù)能源網(wǎng)絡，綠色轉(zhuǎn)型勢在必行，下一代能源基礎設施必須對環(huán)境有利。安森美認為下一代能源網(wǎng)絡將主要基于太陽能和風能等可再生能源，并結(jié)合能源儲存的能力。此外，我們認為能耗必須向電動汽車 (EV) 等高效和零排放的負載遷移，以實現(xiàn)可行且可持續(xù)的能源網(wǎng)絡。圖1 21世紀能源網(wǎng)絡無論是太陽能、風能和儲能等可再生能源，還是電動汽車
  • 關鍵字： MOSFET  

健康催生可穿戴多功能需求 東芝多款器件直面新機遇

  • 可穿戴設備廣泛用于娛樂、運動和醫(yī)療健康等領域，作為把多媒體、傳感器和無線通信等技術(shù)嵌入人們的衣著或配件的設備，可支持手勢和眼動操作等多種交互方式。作為消費電子業(yè)面臨的又一個新發(fā)展機遇，可穿戴設備經(jīng)歷了前些年從概念火爆到實際產(chǎn)品大量普及的過程之后，行業(yè)前景一直穩(wěn)步成長。據(jù)統(tǒng)計，2019年全球可穿戴技術(shù)產(chǎn)品市場的規(guī)模超過了500億美元，是2014年的2倍以上，可以說可穿戴設備已成為過去5年來消費電子領域最成功的市場之一。1? ?市場需求持續(xù)爆發(fā)雖然2020年全球經(jīng)歷了嚴重的新冠疫情影響，部
  • 關鍵字： 202009  MOSFET  

如何用無橋圖騰柱功率因數(shù)校正控制器實現(xiàn)出色的AC-DC功率轉(zhuǎn)換效率

  • 電網(wǎng)提供的電能是交流電，但我們使用的大多數(shù)設備都需要直流電，這意味著進行這種轉(zhuǎn)換的交流/ 直流電源是能源網(wǎng)上最常見的負載之一。隨著世界關注能效以保護環(huán)境并管理運營成本，這些電源的高效運行變得越來越重要。效率作為輸入功率與供給負載的功率之間的比率衡量，很容易理解。但是，輸入功率因數(shù)也有很大的影響。功率因數(shù)(PF) 描述了任何交流電設備（包括電源）消耗的有用（真實）功率與總（視在）功率(kVA) 之間的比值。PF 衡量消耗的電能轉(zhuǎn)換為有用功輸出的有效性。如果負載是純阻性負載，PF 將等于1，但任何負載內(nèi)的無功
  • 關鍵字： 202204  MOSFET  無橋圖騰柱  功率因數(shù)校正控制器  

貿(mào)澤電子開售英飛凌XENSIV PAS CO2傳感器

  • 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨英飛凌的XENSIV? PAS CO2二氧化碳傳感器。該產(chǎn)品基于光聲光譜學 (PAS) 原理，采用高靈敏度MEMS麥克風檢測傳感器腔內(nèi)CO2分子產(chǎn)生的壓力變化。這種檢測方式可以顯著減小CO2傳感器的尺寸，與市面上其他CO2傳感器相比，可以在最終產(chǎn)品中節(jié)省超過75%的空間。貿(mào)澤電子分銷的英飛凌XENSIV PAS CO2傳感器集成了光聲傳感器（包含檢測器、紅外源和光學濾波器）、用
  • 關鍵字： 貿(mào)澤電子  英飛凌  XENSIV PAS  CO2傳感器  MOSFET  

揚杰科技推出N80V-N85V系列MOSFET產(chǎn)品，采用SGT工藝

  • 4月8日消息，揚杰科技最新推出N80V-N85V系列MOSFET產(chǎn)品，采用先進的SGT (Shield  Gate  Trench  MOSFET) 制程工藝，針對電機驅(qū)動、BMS等應用設計，優(yōu)化BVdss、Rdson、Qg等參數(shù)性能同時，提升MOSFET抗沖擊電流能力。N80V-N85V系列MOSFET產(chǎn)品具有TO-220、TO-263、TO-252、PDFN5060等多種封裝形式可以選擇。廣泛應用于電池管理系統(tǒng)、儲能系統(tǒng)、逆變電源系統(tǒng)、電機驅(qū)動系統(tǒng)、電源管理系統(tǒng)等，是其核
  • 關鍵字： MOSFET  楊杰科技  

板子上的MOSFET莫名炸機，多半是這個原因！

  • MOSFET、IGBT是開關電源最核心也是最容易燒壞的器件！其原因大多是過壓或過流導致功耗大增，從而使器件損壞，甚至可能會伴隨爆炸。而SOA安全工作區(qū)測試，就是保障其安全工作的重要測試項目！
  • 關鍵字： MOSFET  ZLG  

瑞森 SGT MOSFET 介紹及應用

  • 最近，瑞森研發(fā)部對功率MOSFET的技術(shù)進行了更新?lián)Q代，這種技術(shù)改變了MOSFET內(nèi)部電場的形態(tài)，將傳統(tǒng)的三角形電場進一步的變更為類似壓縮的梯形電場，可以進一步減小EPI層的厚度，降低導通電阻Rds(on)。
  • 關鍵字： MOSFET  瑞森  

如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導通?

  • 該文描述了引起功率MOSFET發(fā)生寄生導通的機制，并進一步指出為了避免寄生導通，在選取MOSFET時應遵循什么準則。
  • 關鍵字： MOSFET  英飛凌  

你的MOSFET為什么發(fā)熱那么嚴重？

  • 在開關電源電路中，MOSFET作為最核心的器件，卻也是最容易發(fā)熱燒毀的，那么MOSFET到底承受了什么導致發(fā)熱呢？本文來帶你具體分析。MOSFET工作原理什么是MOSFET？MOSFET是全稱為Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，即金屬氧化物半導體場效應晶體管的半導體。它可分為NPN型和PNP型。NPN型通常稱為N溝道型，PNP型通常稱P溝道型。如圖1所示，對于N溝道型的場效應管其源極和漏極接在N型半導體上，同樣對于P溝道的場效應管，如圖2所
  • 關鍵字： MOSFET  ZLG  

最全！20V到1700V全覆蓋的國產(chǎn)MOSFET功率器件，工溫最高175℃

  • 中國半導體功率器件十強企業(yè)：揚杰科技(YANGJIE)· 主要產(chǎn)品：中低壓MOSFET（VDSS：20V-150V）和高壓MOSFET（VDSS：500V-900V）· 廠牌優(yōu)勢：專注于功率半導體芯片及器件制造、集成電路封裝測試等領域的產(chǎn)業(yè)發(fā)展，，通過了ISO9001，ISO14001，IATF16949等認證，連續(xù)數(shù)年評為中國半導體功率器件十強企業(yè)。國內(nèi)領先的的分立器件研發(fā)企業(yè)：長晶科技（JSCJ）· 主要產(chǎn)品：覆蓋了12V~700V的功率型MOSFET· 廠牌優(yōu)勢：專注于功率器件、分立器件、頻率器件、
  • 關鍵字： MOSFET  楊杰科技  長晶科技  
共1265條 13/85 |‹ « 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 » ›|

nch mosfet介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條nch mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對nch mosfet的理解，并與今后在此搜索nch mosfet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473