首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> nch mosfet

碳化硅技術(shù)如何變革汽車車載充電

  • 日趨嚴格的CO2排放標準以及不斷變化的公眾和企業(yè)意見在加速全球電動汽車(EV)的發(fā)展。這為車載充電器(OBC)帶來在未來幾年巨大的增長空間，根據(jù)最近的趨勢，到2024年的復(fù)合年增長率(CAGR(TAM))估計將達到37.6%或更高。對于全球OBC模塊正在設(shè)計中的汽車，提高系統(tǒng)能效或定義一種高度可靠的新拓撲結(jié)構(gòu)已成為迫在眉睫的挑戰(zhàn)。用于單相輸入交流系統(tǒng)的簡單功率因數(shù)校正(PFC)拓撲結(jié)構(gòu)(圖1)是個傳統(tǒng)的單通道升壓轉(zhuǎn)換器。該方案包含一個用于輸入交流整流的二極管全橋和一個PFC控制器，以增加負載的功率因數(shù)，從
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  PFC  

Vishay推出全球領(lǐng)先的汽車級80 V P溝道MOSFET，以提高系統(tǒng)能效和功率密度

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc. 近日推出通過AEC-Q101認證、全球先進的p溝道80 V TrenchFET? MOSFET---SQJA81EP。新型Vishay Siliconix SQJA81EP導(dǎo)通電阻達到80 V p溝道器件優(yōu)異水平，可提高汽車應(yīng)用功率密度和能效。SQJA81EP采用歐翼引線結(jié)構(gòu)5.13 mm x 6.15 mm PowerPAK? SO-8L小型單體封裝，10 V條件下最大導(dǎo)通電阻僅為17.3 mW /典型值為14.3 mW。日前發(fā)布的汽車級M
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  

72V 混合式 DC/DC 方案使中間總線轉(zhuǎn)換器尺寸銳減 50%

  • 背景資訊大多數(shù)中間總線轉(zhuǎn)換器 (IBC) 使用一個體積龐大的電源變壓器來提供從輸入至輸出的隔離。另外，它們一般還需要一個用于輸出濾波的電感器。此類轉(zhuǎn)換器常用于數(shù)據(jù)通信、電信和醫(yī)療分布式電源架構(gòu)。這些 IBC 可由眾多供應(yīng)商提供，而且通?？煞胖糜跇I(yè)界標準的 1/16、1/8 和 1/4 磚占板面積之內(nèi)。典型的 IBC 具有一個 48V 或 54V 的標稱輸入電壓，并產(chǎn)生一個介于 5V 至 12V 之間的較低中間電壓以及從幾百 W 至幾 kW 的輸出功率級別。中間總線電壓用作負載點穩(wěn)壓器的輸入，將負責(zé)給 FP
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  IBC  

意法半導(dǎo)體發(fā)布隔離式柵極驅(qū)動器，可安全控制碳化硅MOSFET

  • STGAP2SiCS能夠產(chǎn)生高達26V的柵極驅(qū)動電壓，將欠壓鎖定(UVLO)閾壓提高到15.5V，滿足SiC MOSFET開關(guān)管正常導(dǎo)通要求。如果電源電壓低引起驅(qū)動電壓太低，UVLO保護機制將確保MOSFET處于關(guān)斷狀態(tài)，以免產(chǎn)生過多的耗散功率。這款驅(qū)動器有雙兩個輸入引腳，讓設(shè)計人員可以定義柵極驅(qū)動信號的極性。STGAP2SiCS在輸入部分和柵極驅(qū)動輸出之間設(shè)計6kV電氣隔離，電隔離有助于確保消費電子和工業(yè)設(shè)備的用電安全。4A吸電流/拉電流驅(qū)動能力使其適用于高端家用電器、工業(yè)驅(qū)動裝置、風(fēng)扇、電磁爐、電焊機
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  UVLO  

電機驅(qū)動系統(tǒng)：新一代功率解決方案提升能效和可靠性

  • 1? ?電機驅(qū)動系統(tǒng)的關(guān)鍵是可靠性和能效電機在現(xiàn)代生活中無處不在， 從氣候控制、電器和商業(yè)制冷到汽車、工廠和基礎(chǔ)設(shè)施。根據(jù)國際能源署 (International Energy Agency) 的數(shù)據(jù)，電機占全球總電力消耗的45％，因此電機驅(qū)動電子設(shè)備的可靠性和能效會對世界各地的舒適、便利和環(huán)境及各種應(yīng)用產(chǎn)生影響。工業(yè)自動化和機器人是電機最重要的應(yīng)用之一，隨著傳統(tǒng)機器人、協(xié)作機器人和自主移動機器人的采用，我們看到工廠和其他設(shè)施變得更加自動化。一種提高電機驅(qū)動系統(tǒng)能效的方法是，以基于三相
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  IPM  202103  

基于LCC拓撲的2相輸入300W AC-DC LED電源

  • 近年來，諧振變換器的熱度越來越高，被廣泛用于計算機服務(wù)器、電信設(shè)備、燈具和消費電子等各種應(yīng)用場景。諧振變換器可以很容易地實現(xiàn)高能效，其固有的較寬的軟開關(guān)范圍很容易實現(xiàn)高頻開關(guān)，這是一個關(guān)鍵的吸引人的特性。本文著重介紹一個以半橋LCC諧振變換數(shù)字控制和同步整流為特性的300W電源。圖1所示的STEVAL-LLL009V1是一個數(shù)控300W電源。原邊組件包括PFC級和DC-DC功率級(半橋LCC諧振變換器)，副邊組件包括同步整流電路和STM32F334微控制器，其中STM32F334微控制器對DC-DC功率級
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  IC  

開關(guān)模式電源電流檢測

  • 開關(guān)模式電源有三種常用電流檢測方法是：使用檢測電阻，使用MOSFET RDS(ON)，以及使用電感的直流電阻(DCR)。每種方法都有優(yōu)點和缺點，選擇檢測方法時應(yīng)予以考慮。檢測電阻電流作為電流檢測元件的檢測電阻，產(chǎn)生的檢測誤差最低（通常在1%和5%之間），溫度系數(shù)也非常低，約為100 ppm/°C (0.01%)。在性能方面，它提供精度最高的電源，有助于實現(xiàn)極為精確的電源限流功能，并且在多個電源并聯(lián)時，還有利于實現(xiàn)精密均流。圖1.RSENSE電流檢測另一方面，因為電源設(shè)計中增加了電流檢測電阻，所以電阻也會產(chǎn)
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  DCR  

東芝推出新款碳化硅MOSFET模塊，有助于提升工業(yè)設(shè)備效率和小型化

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，面向工業(yè)應(yīng)用推出一款集成最新開發(fā)的雙通道碳化硅（SiC）MOSFET芯片（具有3300V和800A特征）的模塊---“MG800FXF2YMS3”，該產(chǎn)品將于2021年5月投入量產(chǎn)。為達到175℃的通道溫度，該產(chǎn)品采用具有銀燒結(jié)內(nèi)部鍵合技術(shù)和高貼裝兼容性的iXPLV（智能柔性封裝低電壓）封裝。這款模塊可充分滿足軌道車輛和可再生能源發(fā)電系統(tǒng)等工業(yè)應(yīng)用對高效緊湊設(shè)備的需求。◆? ?應(yīng)用●? ?用于軌道車輛的逆變器和轉(zhuǎn)換
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  

開關(guān)模式電源電流檢測——第二部分

  • 電流檢測電阻的位置連同開關(guān)穩(wěn)壓器架構(gòu)決定了要檢測的電流。檢測的電流包括峰值電感電流、谷值電感電流（連續(xù)導(dǎo)通模式下電感電流的最小值）和平均輸出電流。檢測電阻的位置會影響功率損耗、噪聲計算以及檢測電阻監(jiān)控電路看到的共模電壓。放置在降壓調(diào)節(jié)器高端對于降壓調(diào)節(jié)器，電流檢測電阻有多個位置可以放置。當放置在頂部MOSFET的高端時（如圖1所示），它會在頂部MOSFET導(dǎo)通時檢測峰值電感電流，從而可用于峰值電流模式控制電源。但是，當頂部MOSFET關(guān)斷且底部MOSFET導(dǎo)通時，它不測量電感電流。圖1 帶高端RSENSE
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  

Nexperia擴展LFPAK56D MOSFET產(chǎn)品系列，推出符合AEC-Q101標準的半橋封裝產(chǎn)品

  • 關(guān)鍵半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今天宣布推出一系列采用節(jié)省空間的LFPAK56D封裝技術(shù)的半橋（高端和低端）汽車MOSFET。采用兩個MOSFET的半橋配置是許多汽車應(yīng)用（包括電機驅(qū)動器和DC/DC轉(zhuǎn)換器）的標準構(gòu)建模塊。這種新封裝提供了一種單器件半橋解決方案。與用于三相電機控制拓撲的雙通道MOSFET相比，由于去掉了PCB線路，其占用的PCB面積減少了30%，同時支持在生產(chǎn)過程中進行簡單的自動光學(xué)檢測(AOI)。LFPAK56D半橋產(chǎn)品采用現(xiàn)有的大批量LFPAK56D封裝工藝，并具有成熟的汽車級
  • 關(guān)鍵字： Nexperia  MOSFET  AEC-Q101  

采用 23mm x 16.5mm 封裝的 170W 倍壓器

  • 設(shè)計要點 DN571 - 引言對于高電壓輸入/輸出應(yīng)用，無電感型開關(guān)電容器轉(zhuǎn)換器 (充電泵) 相比基于電感器的傳統(tǒng)降壓或升壓拓撲可顯著地改善效率和縮減解決方案尺寸。通過采用充電泵取代電感器，一個 “跨接電容器” 可用于存儲能量和把能量從輸入傳遞至輸出。電容器的能量密度遠高于電感器，因而采用充電泵可使功率密度提高 10 倍。但是，由于在啟動、保護、柵極驅(qū)動和穩(wěn)壓方面面臨挑戰(zhàn)，所以充電泵傳統(tǒng)上一直局限于低功率應(yīng)用。ADI公司的LTC7820 克服了這些問題，可實現(xiàn)高功率密度、高效率 (達 99%) 的解決方案
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  

在可再生能源應(yīng)用的逆變器設(shè)計中使用SPWM發(fā)生器

  • 可再生能源仍然是世界范圍內(nèi)的大趨勢。隨著捕獲風(fēng)能、太陽能和其他形式的可再生能源的方法不斷發(fā)展，可再生能源系統(tǒng)的成本和效率對公司和消費者都越來越有吸引力。實際上，2016年，全球?qū)稍偕茉吹馁Y本投資跌到了多年來最低水平，但是卻創(chuàng)下了一年內(nèi)可再生能源設(shè)備安裝數(shù)量最多的記錄。在用于可再生能源系統(tǒng)的組件中，逆變器是一項尤其關(guān)鍵的系統(tǒng)組件。由于大多數(shù)可再生能源都是通過直流電（DC）產(chǎn)生的，因此逆變器在將直流電（DC）轉(zhuǎn)換為交流電（AC）以有效整合到現(xiàn)有電網(wǎng)中起著關(guān)鍵作用。在混合了不同可再生能源的混合動力系統(tǒng)和微電
  • 關(guān)鍵字： PWM  AC  DC  MOSFET  SPWM  

采用具有驅(qū)動器源極引腳的低電感表貼封裝的SiC MOSFET

  • 引言人們普遍認為，SiC MOSFET可以實現(xiàn)非常快的開關(guān)速度，有助于顯著降低電力電子領(lǐng)域功率轉(zhuǎn)換過程中的能量損耗。然而，由于傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體封裝的限制，在實際應(yīng)用中并不總是能發(fā)揮SiC元器件的全部潛力。在本文中，我們首先討論傳統(tǒng)封裝的一些局限性，然后介紹采用更好的封裝形式所帶來的好處。最后，展示對使用了圖騰柱（Totem-Pole）拓撲的3.7kW單相PFC進行封裝改進后獲得的改善效果。功率元器件傳統(tǒng)封裝形式帶來的開關(guān)性能限制TO-247N（圖1）是應(yīng)用最廣泛的功率晶體管傳統(tǒng)封裝形式之一。如圖1左側(cè)所示，
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  

Vishay贊助的同濟大學(xué)電動方程式車隊勇奪冠軍，支持培養(yǎng)下一代汽車設(shè)計師

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布，其贊助的同濟大學(xué)大學(xué)生電動方程式車隊---DIAN Racing首次榮獲中國大學(xué)生電動方程式汽車大賽（FSEC）總冠軍。DIAN Racing車隊由100多名成員組成，致力于提高汽車速度和能效，同時為國際清潔能源的發(fā)展做出貢獻。每年，車隊設(shè)計制造一款先進的電動賽車，參加包括FSEC在內(nèi)的國際大學(xué)生方程式汽車賽。在2020年襄陽站的角逐中，DIAN Racing車隊以設(shè)計報告和直線加速賽第一，8字繞環(huán)第二，耐久性第三的優(yōu)異成績獲得本屆比
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  

Vishay贊助的同濟大學(xué)電動方程式車隊勇奪冠軍，支持培養(yǎng)下一代汽車設(shè)計師

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布，其贊助的同濟大學(xué)大學(xué)生電動方程式車隊---DIAN Racing首次榮獲中國大學(xué)生電動方程式汽車大賽（FSEC）總冠軍。DIAN Racing車隊由100多名成員組成，致力于提高汽車速度和能效，同時為國際清潔能源的發(fā)展做出貢獻。每年，車隊設(shè)計制造一款先進的電動賽車，參加包括FSEC在內(nèi)的國際大學(xué)生方程式汽車賽。在2020年襄陽站的角逐中，DIAN Racing車隊以設(shè)計報告和直線加速賽第一，8字繞環(huán)第二，耐久性第三的優(yōu)異成績獲得本屆比
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  
共1257條 20/84 |‹ « 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 » ›|

nch mosfet介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條nch mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對nch mosfet的理解，并與今后在此搜索nch mosfet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473