nch mosfet 文章進(jìn)入nch mosfet技術(shù)社區(qū)

MOSFET管并聯(lián)應(yīng)用時(shí)電流分配不均問(wèn)題探究

1 引言
MOSFET管的導(dǎo)通電阻具有正的溫度特性，可自動(dòng)調(diào)節(jié)電流，因而易于并聯(lián)應(yīng)用。但由于器件自身參數(shù)(柵極電路參數(shù)及漏源極電路參數(shù)不一致)原因，并聯(lián)應(yīng)用功率MOSFET管會(huì)產(chǎn)生電流分配不均的問(wèn)題，關(guān)于此問(wèn)題，
關(guān)鍵字： MOSFET 并聯(lián) 電流分配

　　在電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車中，需要一種方法將高壓電池與車輛的其他部分?jǐn)嚅_(kāi)連接。專門(mén)設(shè)計(jì)的大電流繼電器(接觸器)歷來(lái)一直是執(zhí)行此功能的首選方案。此繼電器的設(shè)計(jì)必須支持在負(fù)載下斷開(kāi)連接，而不受損壞。這是通過(guò)使用帶有真空封裝觸點(diǎn)的繼電器來(lái)實(shí)現(xiàn)的。這些接觸器通常充滿惰性氣體，包圍觸點(diǎn)以消除空氣。通常，在高壓電池系統(tǒng)中，需要三個(gè)接觸器：一個(gè)用于兩個(gè)主要電池導(dǎo)體，另一個(gè)更小的版本用于預(yù)充電功能。傳統(tǒng)的電池?cái)嚅_(kāi)電路圖如圖1所示?！　‰妱?dòng)汽車制造商長(zhǎng)期以來(lái)一直希望有一種更小、更輕、更便宜的方案，以解決電池?cái)嚅_(kāi)問(wèn)題。功率半導(dǎo)
關(guān)鍵字： MOSFET，混合動(dòng)力

MOSFET已經(jīng)是是開(kāi)關(guān)電源領(lǐng)域的絕對(duì)主力器件。但在一些實(shí)例中，與MOSFET相比，雙極性結(jié)式晶體管 (BJT.HTM style=margin: 0px; padding: 0px; font-si
關(guān)鍵字：開(kāi)關(guān)電源 BJT MOSFET

在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時(shí)，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼，也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷)，其它的一些參數(shù)會(huì)十分的含糊不清、模棱
關(guān)鍵字： MOSFET 數(shù)據(jù) 電感器連續(xù)電流

本文主要介紹三極管原理最通俗的表達(dá)理解，希望對(duì)您的學(xué)習(xí)有所幫助。對(duì)三極管放大作用的理解，切記一點(diǎn)：能量不會(huì)無(wú)緣無(wú)故的產(chǎn)生，所以，三極管一定不
關(guān)鍵字： MOSFET 電源

在電子電路設(shè)計(jì)中，散熱設(shè)計(jì)是非常重要的一項(xiàng)指標(biāo)。但在很多設(shè)計(jì)環(huán)境下，空間的狹小程度限制了散熱功能設(shè)計(jì)與發(fā)揮。在大功率電源MOSFET當(dāng)中這種情況尤
關(guān)鍵字：大功率電 MOSFET 功率耗散

功率MOSFET目前在一些大中型開(kāi)關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路中得到了廣泛的應(yīng)用，此前我們?cè)?jīng)為大家總結(jié)了幾種MOSFET在驅(qū)動(dòng)電路中的常見(jiàn)應(yīng)用方式，在今天的文章中
關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路電源

功率開(kāi)關(guān)器件MOSFET在驅(qū)動(dòng)電路中的應(yīng)用頻率在最近幾年直線上升，在一些中小功率的開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)品中，利用MOSFET完成驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)不僅省時(shí)省力，還具有
關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

功率器件MOSFET在很多電路系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中都得到了廣泛的應(yīng)用，而對(duì)于同步整流降壓式的DC-DC變換器來(lái)說(shuō)，怎樣選擇合適的MOSFET則是非常重要的一環(huán)，需要研
關(guān)鍵字： MOSFET 同步整流 DC-DC

由于不間斷電源的興起，IGBT技術(shù)得以飛速發(fā)展。IGBT的特點(diǎn)是具有電流拖尾效應(yīng)，因此在關(guān)斷的瞬間對(duì)于抗干擾的性能要求非常嚴(yán)格，需要負(fù)壓驅(qū)動(dòng)進(jìn)行輔助
關(guān)鍵字： MOSFET IGBT 隔離驅(qū)動(dòng)

摘要：為了有效解決金屬一氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)在通信設(shè)備直流-48 V緩啟動(dòng)應(yīng)用電路中出現(xiàn)的開(kāi)關(guān)損耗失效問(wèn)題，通過(guò)對(duì)MOSFET柵極電荷、極間
關(guān)鍵字： MOSFET 帶電插拔緩啟動(dòng) 開(kāi)關(guān)損耗

1.MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電平的上升時(shí)間和下降時(shí)間功率MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、負(fù)載電流大的優(yōu)點(diǎn)，因而非常適合用作開(kāi)關(guān)電源(switch-mode power supplies，S
關(guān)鍵字： MOSFET 筆記本電源降壓變換器

在傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體分立器件引領(lǐng)工業(yè)發(fā)展方式向節(jié)能型轉(zhuǎn)變，實(shí)現(xiàn)家電工業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)，優(yōu)化產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。而隨著物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、新能源、節(jié)能環(huán)保等新興產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展，新興領(lǐng)域成為支撐功率半導(dǎo)體分立器件保持較好發(fā)展勢(shì)頭的重要市場(chǎng)。
關(guān)鍵字：功率半導(dǎo)體 MOSFET