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同步整流降壓式DC-DC變換器應怎樣選擇MOSFET?

  • 功率器件MOSFET在很多電路系統(tǒng)的設計中都得到了廣泛的應用,而對于同步整流降壓式的DC-DC變換器來說,怎樣選擇合適的MOSFET則是非常重要的一環(huán),需要研
  • 關鍵字: MOSFET  同步整流  DC-DC  

MOSFET開關損耗分析

  • 摘要:為了有效解決金屬一氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)在通信設備直流-48 V緩啟動應用電路中出現(xiàn)的開關損耗失效問題,通過對MOSFET柵極電荷、極間
  • 關鍵字: MOSFET  帶電插拔  緩啟動  開關損耗  

6種IGBT中的MOS器件隔離驅動入門

  • 由于不間斷電源的興起,IGBT技術得以飛速發(fā)展。IGBT的特點是具有電流拖尾效應,因此在關斷的瞬間對于抗干擾的性能要求非常嚴格,需要負壓驅動進行輔助
  • 關鍵字: MOSFET  IGBT  隔離驅動  

基于大功率開關電源中功率MOSFET的驅動技術

  • 1.MOSFET柵極驅動電平的上升時間和下降時間功率MOSFET具有導通電阻低、負載電流大的優(yōu)點,因而非常適合用作開關電源(switch-mode power supplies,S
  • 關鍵字: MOSFET  筆記本電源  降壓變換器  

大國器重 功率半導體小行業(yè)大機會

  • 在傳統(tǒng)應用領域,功率半導體分立器件引領工業(yè)發(fā)展方式向節(jié)能型轉變,實現(xiàn)家電工業(yè)轉型升級,優(yōu)化產(chǎn)業(yè)結構。而隨著物聯(lián)網(wǎng)、云計算、新能源、節(jié)能環(huán)保等新興產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展,新興領域成為支撐功率半導體分立器件保持較好發(fā)展勢頭的重要市場。
  • 關鍵字: 功率半導體  MOSFET  

功率MOSFET關斷損耗計算攻略

  • 本文介紹了MOSFET管關斷損耗的計算方式,供大家參考。
  • 關鍵字: MOSFET  關斷損耗  

看懂MOSFET數(shù)據(jù)表,第1部分―UIS/雪崩額定值

  • 在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時,你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼,也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷),其它的一些參數(shù)會十分的含糊不清、模
  • 關鍵字: MOSFET  雪崩  

傳中興急單ODM/OEM抬價20%搶貨:MOSFET全年漲價30%

  •   MOSFET漲價已經(jīng)很長一段時間,從今年年初至今,其漲價幅度已經(jīng)達到了5%-10%,相對另外一種被動元器件MLCC,MOSFET漲價幅度還算在可接受范圍之內(nèi)。簡而言之,今年以來MOSFET一直處于供貨吃緊狀態(tài),包括英飛凌、威世、意法半導體、安森美等國際IDM大廠近些年并沒有新增產(chǎn)能?! ∮捎谌ツ晗掳肽暌詠?,汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)、云端計算等新應用加大對MOSFET的需求,導致電腦以及智能手機等3C電子產(chǎn)品用MOSFET供貨嚴重不足,價格已經(jīng)從今年年初上漲至今持續(xù)了3個季度!據(jù)市場表示,今年上半年MOSFET
  • 關鍵字: 中興  ODM  OEM  MOSFET  

汽車級N溝道MOSFET SQJQ480E

  • 功率 MOSFET 是眾多汽車子系統(tǒng)的重要組成部分,其能夠幫助實現(xiàn)各種各樣的功能,包括負載切換、電機控制以及DC/DC轉換等。SQJQ480E 的意義在于它可以處
  • 關鍵字: MOSFET  DC/DC轉換  SQJQ480E  

IGBT掃盲文,IGBT基礎與運用知識學習

  •   IGBT基礎與運用  IGBT, 中文名字為絕緣柵雙極型晶體管,它是由MOSFET(輸入級)和PNP晶體管(輸出級)復合而成的一種器件,既有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快 的特點(控制和響應),又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(功率級較為耐用),頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間,可正常工作于幾十kHz 頻率范圍內(nèi)?! ±硐氲刃щ娐放c實際等效電路如圖所示:  IGBT 的靜態(tài)特性一般用不到,暫時不用考慮,重點考慮動態(tài)特性(開關特性)?! 討B(tài)特性的簡易過程可從下面的表格和圖形中獲取
  • 關鍵字: IGBT,MOSFET  

宜特跨攻MOSFET晶圓后端處理集成服務

  •   隨著電子產(chǎn)品功能愈來愈多元,對于低功耗的要求也愈來愈高, MOSFET成為車用電子、電動車勢不可擋的必備功率組件,而在目前市面上產(chǎn)能不足,客戶龐大需求下,電子產(chǎn)品驗證服務龍頭-iST宜特科技今宣布,正式跨入「MOSFET晶圓后端處理集成服務」,目前已有20多家海內(nèi)外廠商,包括全球知名晶圓廠、IDM廠商、IC設計企業(yè)已于今年第一季底,前來宜特進行工程試樣,并于第二季初開始進行小量產(chǎn),并在下半年正式量產(chǎn)。  宜特董事長 余維斌指出,在車用可靠度驗證分析本業(yè)上,已做到亞洲龍頭,然而在服務客戶的同時,發(fā)現(xiàn)了此
  • 關鍵字: MOSFET  晶圓  

意法半導體推出離線轉換器 提高5-30V電源的雪崩耐量、能效和靈活性

  •   意法半導體的VIPer11離線轉換器內(nèi)置800V耐雪崩MOSFET,可幫助設備制造商設計更耐用的輔助電源和電源適配器,其26Vdc漏極啟動電壓允許超寬的線路輸入電壓,并提高諸多消費和工業(yè)電源的靈活性?! ∵壿嫾壴匨OSFET讓VIPer11能夠在4.5V至30V的寬電源電壓范圍內(nèi)工作,可用于設計高效的5V輸出開關電源。結合內(nèi)部高壓啟動、誤差放大器和降低EMI干擾的抖動振蕩器等功能,這種優(yōu)勢可簡化設計,節(jié)省空間和物料清單成本。  VIPer11高壓轉換器可實現(xiàn)由整流的AC線或其它直流電源直接供電的反激
  • 關鍵字: 意法半導體,MOSFET  

工業(yè)設備輔助電源驅動用的SiC電源解決方案

  •   前言  包括光伏逆變器、電氣驅動裝置、UPS及HVDC在內(nèi)的功率轉換系統(tǒng),需要柵極驅動器、微控制器、顯示器、傳感器及風扇來使系統(tǒng)正常運行。這類產(chǎn)品需要能夠提供12V或24V低電壓電源的輔助電源。輔助電源則需要輸入通常工業(yè)設備所使用的三相400/480V AC電源、或太陽能光伏逆變器所使用的高電壓DC電源才能工作。本文將介紹融入了ROHM的SiC技術優(yōu)勢且設計簡單、性價比高的電源解決方案。  小型輔助電源用SiC MOSFET  圖1是輔助電源所用的普通電路。在某些輸入電壓條件下,MOSFET的最高耐壓
  • 關鍵字: SiC,MOSFET  

計算MOSFET非線性電容

  •   最初為高壓器件開發(fā)的超級結MOSFET,電荷平衡現(xiàn)在正向低壓器件擴展。雖然這極大地降低了RDS(ON) 和結電容,但電荷平衡使后者非線性進一步加大。MOSFET有效儲存電荷和能量減少,而且顯著減少,但計算或比較不同MOSFET參數(shù)以獲得最佳性能變得更加復雜?! OSFET三個相關電容不能作為VDS的函數(shù)直接測量,其中有的需要在這個過程中短接或懸空。數(shù)據(jù)手冊最終測量給出的三個值定義如下:  CiSS = CGS + CGD COSS = CDS + CDG CRSS = CGD  三者中,輸入電容CG
  • 關鍵字: MOSFET  非線性電容  

電源設計經(jīng)驗之MOS管驅動電路篇

  •   MOSFET因導通內(nèi)阻低、開關速度快等優(yōu)點被廣泛應用于開關電源中。MOSFET的驅動常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關電源的驅動電路?! ≡谑褂肕OSFET設計開關電源時,大部分人都會考慮MOSFET的導通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時候也僅僅考慮了這些因素,這樣的電路也許可以正常工作,但并不是一個好的設計方案。更細致的,MOSFET還應考慮本身寄生的參數(shù)。對一個確定的MOSFET,其驅動電路,驅動腳輸出的峰值電流,上升速率等,都會影響MOSFET的
  • 關鍵字: MOSFET  電源IC  
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