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電源設(shè)計(jì)小貼士 42：可替代集成MOSFET的分立器件

  • 分立器件可以幫助您節(jié)約成本。價(jià)值大約 0.04 美元的分立器件可以將驅(qū)動(dòng)器 IC 成本降低 10 倍。分立驅(qū)動(dòng)器可提供超過2A 的電流并且可以使您從控制 IC 中獲得電力。此外，該器件還可去除控制 IC 中的高開關(guān)電流，從而提高穩(wěn)壓和噪聲性能。
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MOSFET安全工作區(qū)對實(shí)現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應(yīng)用的意義所在

  • 即使是在插入和拔出電路板和卡進(jìn)行維修或者調(diào)整容量時(shí)，任務(wù)關(guān)鍵的伺服器和通信設(shè)備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過軟啟動(dòng)電源，支持從正在工作的系統(tǒng)中插入或移除電路板，從而避免了出現(xiàn)連接火花、背板供電干擾和電路板卡復(fù)位等問題?？刂破?IC 驅(qū)動(dòng)與插入電路板之電源相串聯(lián)的功率 MOSFET 開關(guān) (圖 1)。電路板插入后，MOSFE
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電源設(shè)計(jì)小貼士31：同步降壓MOSFET電阻比的正確選擇

電源設(shè)計(jì)小貼士 29：估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升

  • 在本《電源設(shè)計(jì)小貼士》中，我們將最終對一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法進(jìn)行研究。在《電源設(shè)計(jì)小貼士28》中，我們討論了如何設(shè)計(jì)溫升問題的電路類似方法。我們把熱源建模成了電流源。根據(jù)系統(tǒng)組件的物理屬性，計(jì)算得到熱阻和熱容。遍及整個(gè)網(wǎng)絡(luò)的各種電壓代表各個(gè)溫度。
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意法半導(dǎo)體推出5x6mm雙面散熱微型封裝汽車級功率MOSFET管

  • 　　意法半導(dǎo)體推出了采用先進(jìn)的PowerFLATTM 5x6雙面散熱(DSC)封裝的MOSFET晶體管，新產(chǎn)品可提高汽車系統(tǒng)電控單元(ECU)的功率密度，已被為全球所有的汽車廠商提供先進(jìn)技術(shù)的汽車零配件大廠電裝株式會(huì)社選用?！　TLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG是40V功率晶體管，可用于汽車電機(jī)控制、電池極性接反保護(hù)和高性能功率開關(guān)。厚度0.8mm的PowerFLATTM 5x6 DSC封裝保留了標(biāo)準(zhǔn)封裝的尺寸和高散熱效率的底部設(shè)計(jì)，同時(shí)將頂部的源極曝露在
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全新高壓MOSFET高效支持大小功率應(yīng)用

  • 　　英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)壯大現(xiàn)有的CoolMOS?技術(shù)產(chǎn)品陣容，推出600 V CoolMOS? P7和600 V CoolMOS? C7 Gold (G7)系列。這兩個(gè)產(chǎn)品系列的擊穿電壓高達(dá)600 V，具備更出色的超結(jié)MOSFET性能。它們可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)非常出色的功率密度。　　600 V CoolMOS&
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東芝面向風(fēng)扇電機(jī)推出600V／500V小型封裝高壓智能功率器件

  • 　　東芝公司旗下存儲(chǔ)與電子元器件解決方案公司今日宣布推出新系列小型封裝高壓智能功率器件(IPD)，這些產(chǎn)品用于空調(diào)、空氣凈化器和空氣泵等各類風(fēng)扇電機(jī)。該新系列包括600V/2.5A “TPD4204F"和500V/2.5A “TPD4206F2"兩款產(chǎn)品，產(chǎn)品出貨即日啟動(dòng)?！　±脰|芝最新的MOSFET技術(shù)，新系列IPD在新開發(fā)的小型表面貼裝“SOP30”封裝中實(shí)現(xiàn)高壓和低功率損耗，該封裝尺寸僅為20.0mm x 14.2mm。其封裝空間僅約為東
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東芝推出EMI性能更佳的600V/650V超結(jié)N溝道功率MOSFET

  • 　　東芝公司旗下存儲(chǔ)與電子元器件解決方案公司今日宣布推出EMI性能更佳的600V/650V超結(jié)N溝道功率MOSFET，該產(chǎn)品適用于工業(yè)和辦公設(shè)備。該新“DTMOS V系列”最初將提供12款產(chǎn)品。樣品發(fā)貨即日啟動(dòng)，批量生產(chǎn)發(fā)貨計(jì)劃于3月中旬啟動(dòng)?！　≡撔孪盗袚碛信c東芝當(dāng)前的“DTMOS IV系列”相同水平的低導(dǎo)通電阻、高速開關(guān)性能，同時(shí)，其優(yōu)化的設(shè)計(jì)流程使EMI性能提升約3至5dB[1]。而且，降低的單位面積導(dǎo)通電阻(RON x A)性能使新的650v 0.
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意法半導(dǎo)體(ST)同級領(lǐng)先的900V MOSFET管，提升反激式轉(zhuǎn)換器的輸出功率和能效

  • 　　意法半導(dǎo)體最新的900V MDmesh? K5超結(jié)MOSFET管讓電源設(shè)計(jì)人員能夠滿足更高功率和更高能效的系統(tǒng)需求，具有同級最好的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和動(dòng)態(tài)特性?！　?00V擊穿電壓確保高總線電壓系統(tǒng)具有更高的安全系數(shù)。新系列產(chǎn)品含有首個(gè)RDS(ON)導(dǎo)通電阻低于100m?的900V MOSFET管，是RDS(ON) 電阻最低的DPAK產(chǎn)品。業(yè)內(nèi)最低的柵電荷(Qg)確保開關(guān)速度更快，在需要寬輸入電壓的應(yīng)用領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)更大的配置靈活性。這些特性確保標(biāo)準(zhǔn)準(zhǔn)諧振電
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同步整流開關(guān)的功率MOSFET關(guān)鍵特性有哪些

  • 高性能轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中的同步整流對于低電壓、高電流應(yīng)用（比如服務(wù)器和電信電源）至關(guān)重要，這是因?yàn)檫^將肖特 基二極管整流替換為同步整流 MOSFET 能夠顯著提高效率和 功率密度。同步整流 MOSFET 的很多關(guān)鍵參數(shù)甚至器件和印 制電路板的寄生元件都會(huì)直接影響同步整流的系統(tǒng)效率。同步整流 MOSFET 的主要要求為：同步整流中的功率損耗(1)導(dǎo)通損耗 二極管整流器的導(dǎo)通損耗占了電源總功耗的很大一部圖1 ?75 V MOSFET 和 600 V MOSFET 中 RDS(ON)的相對比例 ?
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為計(jì)算應(yīng)用中的功率因數(shù)校正電路選擇MOSFET(上)

  •      功率因數(shù)校正 (PFC) 是輸入功率不低于75 W的AC-DC轉(zhuǎn)換器的一項(xiàng)強(qiáng)制要求。在某些消費(fèi)應(yīng)用（如LED照明） 中，要求在低至5 W的功率下進(jìn)行某些形式的PFC。在低功 率下，可使用為控制線路頻率而設(shè)計(jì)的無源元件實(shí)現(xiàn)校正目 的。但在高功率下，無源解決方案會(huì)變得相當(dāng)“笨重”而昂 貴；使用高開關(guān)頻率有源器件可減小所需無源元件的尺寸。 有源PFC的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)現(xiàn)方式是輸入整流器后跟升壓轉(zhuǎn)換 器。盡管新式拓?fù)湔饾u獲得接受，但升壓PFC仍然是主要解決方案，本文將對其進(jìn)行進(jìn)一步
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東芝推出具備改進(jìn)的低導(dǎo)通電阻、高速開關(guān)的800V超級結(jié)N溝道功率MOSFET

  • 　　東芝公司旗下存儲(chǔ)與電子元器件解決方案公司今日宣布面向高效電源推出具備改進(jìn)的低導(dǎo)通電阻、高速開關(guān)的800V超級結(jié)N溝道功率MOSFET?！癉TMOS?IV系列”的八款新MOSFET利用超結(jié)結(jié)構(gòu)，與東芝之前的“π-MOSVIII系列”相比，其可將其單位面積導(dǎo)通電阻(RON?x?A)降低近79%。?該系列產(chǎn)品改進(jìn)的高速開關(guān)還有助于提高使用該系列產(chǎn)品的芯片組的電源效率。這些MOSFET適用于工業(yè)電源，服務(wù)器、筆記本電腦適配器和充電器以及移動(dòng)設(shè)備的備用電源以及LED照明燈
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東芝面向快速充電器推出支持4.5V邏輯電平驅(qū)動(dòng)的100V N溝道功率MOSFET

  • 　　東芝公司旗下存儲(chǔ)與電子元器件解決方案公司今日宣布面向快速充電器推出支持4.5V邏輯電平驅(qū)動(dòng)的100V?N溝道功率MOSFET，以此擴(kuò)大其低電壓N溝道功率MOSFET的產(chǎn)品陣容?！癠-MOS?VIII-H系列”的兩款新MOSFET分別是“TPH4R10ANL”和“TPH6R30ANL”，產(chǎn)品出貨即日啟動(dòng)?！　‰S著快速充電器的普及和發(fā)展，市場需要更高性能的用于次級側(cè)整流器的功率MOSFET。這些新的MOSFET利用東芝低電壓溝槽結(jié)構(gòu)工藝，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的[1]低導(dǎo)通電阻和高速性能。該結(jié)
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采用ST F7 LV MOSFET技術(shù)的單片肖特基二極管:提高應(yīng)用性能

  • 　　摘要–當(dāng)一個(gè)功率MOSFET管被用在電橋拓?fù)浠蛴米麟娫炊蝹?cè)同步整流管時(shí)，體漏二極管的特性以及品質(zhì)因數(shù)將變得非常重要。當(dāng)需要Qrr 數(shù)值很低的軟反向恢復(fù)時(shí)，集成肖特基二極管的新60V ST “F7”功率MOSFET管確保能效和換向性能更加出色?！　.前言　　在同步整流和電橋結(jié)構(gòu)中，RDSon 和 Qg 兩個(gè)參數(shù)并不是對功率MOSFET管的唯一要求，實(shí)際上，本征體漏二極管的動(dòng)態(tài)特性對MOSFET整體性能影響很大。體漏二極管的正向壓降(VF,d
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