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基于Infineon S7 MOSFET 主動(dòng)式電源整流方案

因應(yīng)日趨嚴(yán)苛的能源效率規(guī)范，特別是像server power的應(yīng)用，從白金效率甚至是鈦金效率。Infineon推出全新S7系列MOSFET，提供在靜態(tài)切換的應(yīng)用場(chǎng)合，減少功率損耗以提升效率，特別是針對(duì)高輸出功率的產(chǎn)品設(shè)計(jì)。S7系列MOSFET應(yīng)用在active bridge目的在取代原有bridge diode以提升系統(tǒng)效率，與傳統(tǒng)bridge diode相比，在230Vac輸入時(shí)在50% load約可提高0.5%，而115Vac輸入時(shí)在50% load約可提高1%。利用JRC NJ393C OP比較器搭
關(guān)鍵字： Infineon S7 MOSFET 電源整流

同時(shí)實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)出色低噪聲特性和超快反向恢復(fù)時(shí)間的600V耐壓Super Junction MOSFET“R60xxRNx系列”

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）在其600V耐壓Super Junction MOSFET*1 “PrestoMOS?”產(chǎn)品陣容中，又新增“R60xxRNx系列”3款新產(chǎn)品，非常適用于冰箱和換氣扇等對(duì)低噪聲特性要求很高的小型電機(jī)驅(qū)動(dòng)。近年來(lái)，全球電力供應(yīng)日趨緊張，這就要求設(shè)備要更加節(jié)能。據(jù)了解，電機(jī)所需的電力占全球電力總需求的50%左右。因此，在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中擔(dān)負(fù)功率轉(zhuǎn)換工作的逆變電路，越來(lái)越多地開(kāi)始采用高效率MOSFET。另一方面，針對(duì)使用MOSFET時(shí)所產(chǎn)生的噪聲，主要通過(guò)添加部件和改變
關(guān)鍵字：超快反向恢復(fù)時(shí)間 Super Junction MOSFET MOSFET

SiC MOSFET的短溝道效應(yīng)

Si IGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異，Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET 這篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比較明顯的短溝道效應(yīng)、Vth滯回效應(yīng)、短路特性以及體二極管的魯棒性。直接翻譯不免晦澀難懂，不如加入自己的理解，重新梳理一遍，希望能給大家?guī)?lái)更多有價(jià)值的信息。今天我們著重看下第一部分——短溝道效應(yīng)。Si IGBT/MOSFET與SiC MOSFET，盡
關(guān)鍵字：英飛凌 MOSFET

正確選擇MOSFET以?xún)?yōu)化電源效率

優(yōu)化電源設(shè)計(jì)以提高效率十分重要。提高效率不僅可以節(jié)省能源，減少熱量產(chǎn)生，還可以縮小電源尺寸。本文將討論如何平衡上管 MOSFET (HS-FET) 和下管MOSFET (LS-FET) 的數(shù)量比，以提高電源設(shè)計(jì)的效率。圖 1 顯示了一個(gè)具有 HS-FET 和 LS-FET 的簡(jiǎn)化電路。圖 1：具有 HS-FET 和 LS-FET 的電路選擇 MOSFET 時(shí)，如何恰當(dāng)分配 HS-FET 和 LS-FET 的內(nèi)阻以獲得最佳效率，這對(duì)電源工程師來(lái)說(shuō)是一項(xiàng)挑戰(zhàn)。 MOSFET的結(jié)構(gòu)和損耗組成MOSFE
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ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SiC SBD”）已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商Apex Microtechnology的功率模塊系列產(chǎn)品。該電源模塊系列包括驅(qū)動(dòng)器模塊“SA310”（非常適用于高耐壓三相直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)）和半橋模塊“SA110”“SA111”（非常適用于眾多高電壓應(yīng)用）兩種產(chǎn)品。ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的
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Nexperia首款采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專(zhuān)用MOSFET

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今日宣布推出首批80 V和100 V熱插拔專(zhuān)用MOSFET(ASFET)，該系列產(chǎn)品采用緊湊型8x8 mm LFPAK88封裝，且具有增強(qiáng)安全工作區(qū)(SOA)的特性。這些新型ASFET針對(duì)要求嚴(yán)格的熱插拔和軟啟動(dòng)應(yīng)用進(jìn)行了全面優(yōu)化，可在175°C下工作，適用于先進(jìn)的電信和計(jì)算設(shè)備。憑借數(shù)十年開(kāi)發(fā)先進(jìn)晶圓和封裝解決方案所積累的專(zhuān)業(yè)知識(shí)，Nexperia推出的這款PSMN2R3-100SSE（100 V，2.3 m N溝道ASFET）作為其產(chǎn)品組合中的首選，
關(guān)鍵字： Nexperia SMD 銅夾片 LFPAK88 MOSFET

[向?qū)捊麕а葸M(jìn)]:您能跟上寬禁帶測(cè)試要求的步伐嗎?

_____碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的新一代寬禁帶(WBG)材料的使用度正變得越來(lái)越高。在電氣方面，這些物質(zhì)比硅和其他典型半導(dǎo)體材料更接近絕緣體。這些物質(zhì)的采用旨在克服硅的局限性，而這些局限性源自其是一種窄禁帶材料，所以會(huì)引發(fā)不良的導(dǎo)電性泄漏，且會(huì)隨著溫度、電壓或頻率的提高而變得更加明顯。這種泄漏的邏輯極限是不可控的導(dǎo)電率，相當(dāng)于半導(dǎo)體運(yùn)行失效。在這兩種寬禁帶材料中，GaN主要適合中低檔功率實(shí)現(xiàn)方案，大約在1 kV和100 A以下。GaN的一個(gè)顯著增長(zhǎng)領(lǐng)域是它在LED照明中的應(yīng)用，而且在汽車(chē)
關(guān)鍵字： MOSFET IGBT

碳化硅MOSFET加速應(yīng)用于光伏領(lǐng)域增量市場(chǎng)需求望爆發(fā)

據(jù)報(bào)道，近年來(lái)，光伏逆變器制造商采用SiC MOSFET的速度越來(lái)越快。最近，又有兩家廠商在逆變器中采用了SiC MOSFET。1月30日，德國(guó)KATEK集團(tuán)宣布，其Steca太陽(yáng)能逆變器coolcept fleX系列已采用納微半導(dǎo)體的GeneSiC系列功率半導(dǎo)體，以提高效率，同時(shí)減少尺寸、重量和成本。GeneSiC功率器件是基于溝槽輔助平面柵極SiC MOSFET技術(shù)，可以在高溫和高速下運(yùn)行，壽命最多可延長(zhǎng)3倍，適用于大功率和快速上市的應(yīng)用。1月13日，美國(guó)制造商Brek Electronics開(kāi)發(fā)了采
關(guān)鍵字： SiC MOSFET

使用集成MOSFET限制電流的簡(jiǎn)單方法

電子電路中的電流通常必須受到限制。例如在USB端口中，必須防止電流過(guò)大，以便為電路提供可靠的保護(hù)。同樣在充電寶中，必須防止電池放電。放電電流過(guò)高會(huì)導(dǎo)致電池的壓降太大和下游設(shè)備的供電電壓不足。因此，通常需要將電流限制在一個(gè)特定值。大多數(shù)功率轉(zhuǎn)換器都有過(guò)流限制器，以保護(hù)其免受額外電流造成的損壞。在一些DC-DC轉(zhuǎn)換器中，甚至可以調(diào)整閾值。圖1. 每個(gè)端口輸出電流為1 A的充電寶中的電流限制。在圖1中，還可以使用具有內(nèi)置甚至可調(diào)節(jié)限流器的DC-DC升壓轉(zhuǎn)換器。在這種情況下，無(wú)需額外的限流器模塊。不過(guò)，也有許多應(yīng)
關(guān)鍵字： ADI MOSFET

Ameya360：平面MOSFET與超級(jí)結(jié)MOSFET區(qū)別

今天,Ameya360給大家介紹近年來(lái)MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級(jí)結(jié)MOSFET。功率晶體管的特征與定位首先來(lái)看近年來(lái)的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率范圍。因?yàn)榻酉聛?lái)的幾篇將談超級(jí)結(jié)MOSFET相關(guān)的話(huà)題，因此希望在理解Si-MOSFET的定位的基礎(chǔ)上，根據(jù)其特征和特性對(duì)使用區(qū)分有個(gè)初步印象。下圖表示處理各功率晶體管的功率與頻率范圍。可以看出，Si-MOSFET在這個(gè)比較中，導(dǎo)通電阻與耐壓略遜于IGBT和SiC-MOSFET，但在低～中功率條件
關(guān)鍵字： MOSFET 超級(jí)結(jié)MOSFET

FPGA 和功率 MOSFET 缺貨現(xiàn)象下半年將持續(xù)

2023 年，半導(dǎo)體和電子元件價(jià)格正在穩(wěn)定，但仍有部分產(chǎn)品短缺。
關(guān)鍵字： FPGA MOSFET

詳解高效散熱的MOSFET頂部散熱封裝

電源應(yīng)用中的 MOSFET 大多是表面貼裝器件 (SMD)，包括 SO8FL、u8FL 和 LFPAK 等封裝。通常選擇這些 SMD 的原因是它們具有良好的功率能力，同時(shí)尺寸較小，從而有助于實(shí)現(xiàn)更緊湊的解決方案。盡管這些器件具有良好的功率能力，但有時(shí)散熱效果并不理想。由于器件的引線(xiàn)框架（包括裸露漏極焊盤(pán)）直接焊接到覆銅區(qū)，這導(dǎo)致熱量主要通過(guò)PCB進(jìn)行傳播。而器件的其余部分均封閉在塑封料中，僅能通過(guò)空氣對(duì)流來(lái)散熱。因此，熱傳遞效率在很大程度上取決于電路板的特性：覆銅的面積大小、層數(shù)、厚度和布局。無(wú)論電路板是
關(guān)鍵字：安森美 MOSFET

銀河微電：功率MOSFET器件已實(shí)現(xiàn)Clip Bond技術(shù)量產(chǎn)

銀河微電12月20日在互動(dòng)平臺(tái)表示，功率MOSFET器件已實(shí)現(xiàn)Clip Bond技術(shù)的量產(chǎn)；IPM模塊已完成一款封裝的量產(chǎn)，未來(lái)將根據(jù)市場(chǎng)情況逐步系列化；DFN0603無(wú)框架封裝已完成工藝驗(yàn)證，性能指標(biāo)符合開(kāi)發(fā)目標(biāo)要求；CSP0603封裝已完成技術(shù)開(kāi)發(fā)，未來(lái)芯片線(xiàn)改擴(kuò)建時(shí)將進(jìn)行成果轉(zhuǎn)化。
關(guān)鍵字：銀河微電 MOSFET

功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)選型避坑指南

_____“?動(dòng)態(tài)特性是功率器件的重要特性，在器件研發(fā)、系統(tǒng)應(yīng)用和學(xué)術(shù)研究等各個(gè)環(huán)節(jié)都扮演著非常重要的角色。故對(duì)功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)進(jìn)行測(cè)試是相關(guān)工作的必備一環(huán)，主要采用雙脈沖測(cè)試進(jìn)行?！卑凑毡粶y(cè)器件的封裝類(lèi)型，功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)分為針對(duì)分立器件和功率模塊兩大類(lèi)。長(zhǎng)期以來(lái)，針對(duì)功率模塊的測(cè)試系統(tǒng)占據(jù)絕大部分市場(chǎng)份額，針對(duì)分立器件的測(cè)試系統(tǒng)需求較少，選擇也很局限。隨著我國(guó)功率器件國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程加快，功率器件廠商和系統(tǒng)應(yīng)用企業(yè)也越來(lái)越重視功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試，特別是針對(duì)分立器件的測(cè)試系統(tǒng)提出了越來(lái)越多
關(guān)鍵字： MOSFET

功率MOSFET零電壓軟開(kāi)關(guān)ZVS的基礎(chǔ)認(rèn)識(shí)

高頻高效是開(kāi)關(guān)電源及電力電子系統(tǒng)發(fā)展的趨勢(shì)，高頻工作導(dǎo)致功率元件開(kāi)關(guān)損耗增加，因此要使用軟開(kāi)關(guān)技術(shù)，保證在高頻工作狀態(tài)下，減小功率元件開(kāi)關(guān)損耗，提高系統(tǒng)效率。高頻高效是開(kāi)關(guān)電源及電力電子系統(tǒng)發(fā)展的趨勢(shì)，高頻工作導(dǎo)致功率元件開(kāi)關(guān)損耗增加，因此要使用軟開(kāi)關(guān)技術(shù)，保證在高頻工作狀態(tài)下，減小功率元件開(kāi)關(guān)損耗，提高系統(tǒng)效率。功率MOSFET開(kāi)關(guān)損耗有2個(gè)產(chǎn)生因素：1）開(kāi)關(guān)過(guò)程中，穿越線(xiàn)性區(qū)（放大區(qū)）時(shí)，電流和電壓產(chǎn)生交疊，形成開(kāi)關(guān)損耗。其中，米勒電容導(dǎo)致的米勒平臺(tái)時(shí)間，在開(kāi)關(guān)損耗中占主導(dǎo)作用。圖1 功率MOSFET
關(guān)鍵字： MOSFET ZVS