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中國電科55所高性能高可靠碳化硅MOSFET成功通過技術(shù)鑒定

  • 近日,中國電科55所牽頭研發(fā)的“高性能高可靠碳化硅MOSFET技術(shù)及應(yīng)用”成功通過技術(shù)鑒定。鑒定委員會(huì)認(rèn)為,該項(xiàng)目技術(shù)難度大,創(chuàng)新性顯著,總體技術(shù)達(dá)到國際先進(jìn)水平。該項(xiàng)目聚焦新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域?qū)Ω咝阅芨呖煽刻蓟鐼OSFET器件自主創(chuàng)新的迫切需求,突破多項(xiàng)關(guān)鍵工藝技術(shù),貫通碳化硅襯底、外延、芯片、模塊全產(chǎn)業(yè)鏈量產(chǎn)平臺(tái),國內(nèi)率先研制出750V/150A和6500V/25A的大電流碳化硅MOSFET器件,實(shí)現(xiàn)新能源汽車、光伏、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域碳化硅MOSFET批量供貨,有力保障碳化硅功率器件供
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SMPD先進(jìn)絕緣封裝充分發(fā)揮SiC MOSFET優(yōu)勢(shì)

  • SMPD可用于標(biāo)準(zhǔn)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),如降壓、升壓、橋臂(phase-leg),甚至是定制的組合。它們可用于各種技術(shù)產(chǎn)品,如Si/SiC MOSFET、IGBT、二極管、晶閘管、三端雙向可控硅,或定制組合,具有從40V到3000V不同電壓等級(jí)。ISOPLUS - SMPD 及其優(yōu)勢(shì)SMPD代表表面安裝功率器件(Surface Mount Power Device),是先進(jìn)的頂部散熱絕緣封裝,由IXYS(現(xiàn)在是Littelfuse公司的一部分)在2012年開發(fā)。SMPD只有硬幣大小,具有幾項(xiàng)關(guān)鍵優(yōu)勢(shì):· 
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安森美與Kempower就電動(dòng)汽車充電樁達(dá)成戰(zhàn)略協(xié)議

  • 2023 年 5 月 16 日—智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者安森美(onsemi,美國納斯達(dá)克上市代號(hào):ON),宣布與Kempower達(dá)成戰(zhàn)略協(xié)議,將為Kempower 提供EliteSiC MOSFET和二極管,用于可擴(kuò)展的電動(dòng)汽車(EV)充電樁。雙方此項(xiàng)合作使得Kempower能采用包括安森美EliteSiC產(chǎn)品在內(nèi)的各種功率半導(dǎo)體技術(shù),開發(fā)電動(dòng)汽車充電方案套件。這些器件將用于有源AC-DC前端以及初級(jí)側(cè)和次級(jí)側(cè)的DC-DC轉(zhuǎn)換器。  安森美為Kempower 的Satellit
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Nexperia首創(chuàng)交互式數(shù)據(jù)手冊(cè),助力工程師隨時(shí)隨地分析MOSFET行為

  • 奈梅亨,2023年5月11日:基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出與功率MOSFET配套使用的新一代交互式數(shù)據(jù)手冊(cè),大幅提升了對(duì)半導(dǎo)體工程師的設(shè)計(jì)支持標(biāo)準(zhǔn)。通過操作數(shù)據(jù)手冊(cè)中的交互式滑塊,用戶可以手動(dòng)調(diào)整其電路應(yīng)用的電壓、電流、溫度和其他條件,并觀察器件的工作點(diǎn)如何動(dòng)態(tài)響應(yīng)這些變化。 這些交互式數(shù)據(jù)手冊(cè)使用Nexperia的高級(jí)電熱模型計(jì)算器件的工作點(diǎn),可有效地為電路仿真器提供一種圖形用戶界面。此外,工程師借助這些交互式數(shù)據(jù)手冊(cè)可以即時(shí)查看柵極電壓、漏極電流、RDS(o
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MOSFET電路不可不知

  • MOSFET已成為最常用的三端器件,給電子電路界帶來了一場革命。沒有MOSFET,現(xiàn)在集成電路的設(shè)計(jì)似乎是不可能的。它們非常小,制造過程非常簡單。由于MOSFET的特性,模擬電路和數(shù)字電路都成功地實(shí)現(xiàn)了集成電路,MOSFET電路可以從大信號(hào)模型小信號(hào)模型兩種方式進(jìn)行分析。大信號(hào)模型是非線性的。它用于求解器件電流和電壓的de值。小信號(hào)模型可以在大信號(hào)模型線性化的基礎(chǔ)上推導(dǎo)出來。截止區(qū)、三極管區(qū)和飽和區(qū)是MOSFET的三個(gè)工作區(qū)。當(dāng)柵源電壓(VGS)小于閾值電壓(Vtn)時(shí),器件處于截止區(qū)。當(dāng)MOSFET用作
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SiC MOSFET的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)——如何平衡性能與可靠性

  • 碳化硅(SiC)的性能潛力是毋庸置疑的,但設(shè)計(jì)者必須掌握一個(gè)關(guān)鍵的挑戰(zhàn):確定哪種設(shè)計(jì)方法能夠在其應(yīng)用中取得最大的成功。先進(jìn)的器件設(shè)計(jì)都會(huì)非常關(guān)注導(dǎo)通電阻,將其作為特定技術(shù)的主要基準(zhǔn)參數(shù)。然而,工程師們必須在主要性能指標(biāo)(如電阻和開關(guān)損耗),與實(shí)際應(yīng)用需考慮的其他因素(如足夠的可靠性)之間找到適當(dāng)?shù)钠胶?。?yōu)秀的器件應(yīng)該允許一定的設(shè)計(jì)自由度,以便在不對(duì)工藝和版圖進(jìn)行重大改變的情況下適應(yīng)各種工況的需要。然而,關(guān)鍵的性能指標(biāo)仍然是盡可能低的比電阻,并結(jié)合其他重要的參數(shù)。圖1顯示了我們認(rèn)為必不可少的幾個(gè)標(biāo)準(zhǔn),或許還
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功率半導(dǎo)體“放量年”,IGBT、MOSFET與SIC的思考

  • 4月24日,東芝電子元器件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社宣布,在石川縣能美市的加賀東芝電子公司舉行了一座可處理300毫米晶圓的新功率半導(dǎo)體制造工廠的奠基儀式。該工廠是其主要的分立半導(dǎo)體生產(chǎn)基地。施工將分兩個(gè)階段進(jìn)行,第一階段的生產(chǎn)計(jì)劃在2024財(cái)年內(nèi)開始。東芝還將在新工廠附近建造一座辦公樓,以應(yīng)對(duì)人員的增加。此外,今年2月下旬,日經(jīng)亞洲報(bào)道,東芝計(jì)劃到2024年將碳化硅功率半導(dǎo)體的產(chǎn)量增加3倍以上,到2026年增加10倍。而據(jù)日媒3月16日最新消息,東芝又宣布要增加SiC外延片生產(chǎn)環(huán)節(jié),布局完成后將形成:外延設(shè)備+外
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優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)

  • 在高壓開關(guān)電源應(yīng)用中,相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT,碳化硅(以下簡稱“SiC”)MOSFET 有明顯的優(yōu)勢(shì)。使用硅MOSFET可以實(shí)現(xiàn)高頻(數(shù)百千赫茲)開關(guān),但它們不能用于非常高的電壓(>1 000 V)。而IGBT 雖然可以在高壓下使用,但其 “拖尾電流 “和緩慢的關(guān)斷使其僅限于低頻開關(guān)應(yīng)用。SiC MOSFET則兩全其美,可實(shí)現(xiàn)在高壓下的高頻開關(guān)。然而,SiC MOSFET 的獨(dú)特器件特性意味著它們對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路有特殊的要求。了解這些特性后,設(shè)計(jì)人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關(guān)性
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ROHM開發(fā)出超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET

  • 新推出40V~150V耐壓的共13款產(chǎn)品,非常適用于工業(yè)設(shè)備電源和各種電機(jī)驅(qū)動(dòng)全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1產(chǎn)品(40V/60V/80V/100V/150V),這些產(chǎn)品非常適合驅(qū)動(dòng)以24V、36V、48V級(jí)電源供電的應(yīng)用,例如基站和服務(wù)器用的電源、工業(yè)和消費(fèi)電子設(shè)備用的電機(jī)等。近年來,全球電力需求量持續(xù)增長,如何有效利用電力已成為迫在眉睫的課題,這就要求不斷提高各種電機(jī)和基站、服務(wù)器等工業(yè)設(shè)備的工作
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Diodes 公司推出功率密度更高的工業(yè)級(jí)碳化硅 MOSFET

  • 【2023 年 4 月 13 日美國德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq:DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新產(chǎn)品:DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。這款裝置可以滿足工業(yè)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、太陽能逆變器、數(shù)據(jù)中心及電信電源供應(yīng)、直流對(duì)直流 (DC-DC) 轉(zhuǎn)換器和電動(dòng)車 (EV) 電池充電器等應(yīng)用,對(duì)更高效率與更高功率密度的需求。?DMWS120H100SM4 在高電壓 (1200V) 和汲極電流 (可達(dá) 37A) 的條件下運(yùn)作,同時(shí)維持低導(dǎo)
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基于Infineon S7 MOSFET 主動(dòng)式電源整流方案

  • 因應(yīng)日趨嚴(yán)苛的能源效率規(guī)范,特別是像server power的應(yīng)用,從白金效率甚至是鈦金效率。Infineon推出全新S7系列MOSFET,提供在靜態(tài)切換的應(yīng)用場合,減少功率損耗以提升效率,特別是針對(duì)高輸出功率的產(chǎn)品設(shè)計(jì)。S7系列MOSFET應(yīng)用在active bridge目的在取代原有bridge diode以提升系統(tǒng)效率,與傳統(tǒng)bridge diode相比,在230Vac輸入時(shí)在50% load約可提高0.5%,而115Vac輸入時(shí)在50% load約可提高1%。利用JRC NJ393C OP比較器搭
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同時(shí)實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)出色低噪聲特性和超快反向恢復(fù)時(shí)間的600V耐壓Super Junction MOSFET“R60xxRNx系列”

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)在其600V耐壓Super Junction MOSFET*1 “PrestoMOS?”產(chǎn)品陣容中,又新增“R60xxRNx系列”3款新產(chǎn)品,非常適用于冰箱和換氣扇等對(duì)低噪聲特性要求很高的小型電機(jī)驅(qū)動(dòng)。近年來,全球電力供應(yīng)日趨緊張,這就要求設(shè)備要更加節(jié)能。據(jù)了解,電機(jī)所需的電力占全球電力總需求的50%左右。因此,在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中擔(dān)負(fù)功率轉(zhuǎn)換工作的逆變電路,越來越多地開始采用高效率MOSFET。另一方面,針對(duì)使用MOSFET時(shí)所產(chǎn)生的噪聲,主要通過添加部件和改變
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SiC MOSFET的短溝道效應(yīng)

  • Si IGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異,Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET 這篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比較明顯的短溝道效應(yīng)、Vth滯回效應(yīng)、短路特性以及體二極管的魯棒性。直接翻譯不免晦澀難懂,不如加入自己的理解,重新梳理一遍,希望能給大家?guī)砀嘤袃r(jià)值的信息。今天我們著重看下第一部分——短溝道效應(yīng)。Si IGBT/MOSFET與SiC MOSFET,盡
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正確選擇MOSFET以優(yōu)化電源效率

  • 優(yōu)化電源設(shè)計(jì)以提高效率十分重要。提高效率不僅可以節(jié)省能源,減少熱量產(chǎn)生,還可以縮小電源尺寸。本文將討論如何平衡上管 MOSFET (HS-FET) 和下管MOSFET (LS-FET) 的數(shù)量比,以提高電源設(shè)計(jì)的效率。圖 1 顯示了一個(gè)具有 HS-FET 和 LS-FET 的簡化電路。圖 1:具有 HS-FET 和 LS-FET 的電路選擇 MOSFET 時(shí),如何恰當(dāng)分配 HS-FET 和 LS-FET 的內(nèi)阻以獲得最佳效率,這對(duì)電源工程師來說是一項(xiàng)挑戰(zhàn)。 MOSFET的結(jié)構(gòu)和損耗組成MOSFE
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ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)的SiC MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管(以下簡稱“SiC SBD”)已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商Apex Microtechnology的功率模塊系列產(chǎn)品。該電源模塊系列包括驅(qū)動(dòng)器模塊“SA310”(非常適用于高耐壓三相直流電機(jī)驅(qū)動(dòng))和半橋模塊“SA110”“SA111”(非常適用于眾多高電壓應(yīng)用)兩種產(chǎn)品。ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的,采用ROHM的
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