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IR推出增強(qiáng)型25V及30V MOSFET
- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道溝道 HEXFET 功率 MOSFET 。它們針對同步降壓轉(zhuǎn)換器和電池保護(hù)增強(qiáng)了轉(zhuǎn)換性能,適用于消費(fèi)和網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域的計算應(yīng)用。 新 MOSFET 系列采用了 IR 經(jīng)過驗證的硅技術(shù),可提供基準(zhǔn)通態(tài)電阻 (RDS(on)) ,并且提高了轉(zhuǎn)換性能。新器件的低傳導(dǎo)損耗改善了滿載效率及熱性能,即使在輕負(fù)載條件下,低轉(zhuǎn)換損耗也有助于實現(xiàn)高效率
- 關(guān)鍵字: IR MOSFET 硅技術(shù)
MOSFET封裝節(jié)省占板空間并提高充電器性能
- Diodes公司應(yīng)用的高熱效率、超小型DFN封裝的雙器件組合技術(shù),推出便攜式充電設(shè)備的開關(guān)。 Diodes 亞太區(qū)技術(shù)市場總監(jiān)梁后權(quán)先生指出,DMS2220LFDB和 DMS2120LFWB把一個20V的P溝道增強(qiáng)模式MOSFET與一個配套二極管組合封裝,提供2mm x 2mm DFN2020及3mm x 2mm DFN3020兩種封裝以供選擇。DMP2160UFDB則把兩個相同的MOSFET組合封裝成DFN2020形式。 與傳統(tǒng)便攜式應(yīng)用設(shè)計中常用的體積較大的3mm x 3mm封裝相
- 關(guān)鍵字: Diodes MOSFET DFN封裝
飛兆推出可將導(dǎo)通電阻降低50%的100V MOSFET
- 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為隔離式DC-DC應(yīng)用設(shè)計人員提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101,具有低達(dá)50% 的RDS(ON) 和出色的品質(zhì)因數(shù) (figure of merits, FOM),有效提高電源設(shè)計的效率。FDMS86101是采用5mm x 6mm MLP Power56 封裝的100V MOSFET器件,使用了飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench® 工藝技術(shù),能夠最大限度地減小導(dǎo)通阻抗,同時保持優(yōu)良的開關(guān)性能和穩(wěn)健性
- 關(guān)鍵字: Fairchild MOSFET
IR推出新型邏輯電平溝道MOSFET
- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出新系列邏輯電平柵極驅(qū)動溝道HEXFET功率MOSFET。該器件具有基準(zhǔn)通態(tài)電阻 (RDS(on)) 和高封裝電流額定值,適用于高功率DC電機(jī)和電動工具、工業(yè)電池及電源應(yīng)用。 新系列基準(zhǔn)MOSFET采用了IR最新的溝道技術(shù),可在4.5V Vgs下實現(xiàn)非常低的RDS(on) ,顯著改善了熱效率。此外,這些器件具有更高的電流額定值,多余瞬變可以帶來更多防護(hù)頻帶,并可減少由
- 關(guān)鍵字: IR 溝道 MOSFET
Maxim推出雙通道、Quick-PWM?、降壓控制器
- Maxim推出具有同步整流的雙通道、Quick-PWM降壓控制器MAX17031,用于為電池供電系統(tǒng)產(chǎn)生5V/3.3V電源。器件內(nèi)置100mA線性穩(wěn)壓器,以產(chǎn)生上電或其它低功耗、“常備電路”所需的5V偏置電壓。控制器還包含一路低電流(5mA),“始終開啟”的線性穩(wěn)壓器,當(dāng)筆記本電腦的其它所有調(diào)節(jié)器關(guān)閉時為實時時鐘(RTC)供電。MAX17031能夠為筆記本電腦、便攜式PC及其它便攜式設(shè)備提供完整的、節(jié)省空間的電源方案。 器件采用低邊MOSFET
- 關(guān)鍵字: Maxim MOSFET 控制器
飛兆半導(dǎo)體推出具有業(yè)界最低RDS(ON) 的20V MicroFET? MOSFET
- 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 為便攜應(yīng)用的設(shè)計人員帶來具有業(yè)界最低RDS(ON) 的20V 2mm x 2mm x 0.55mm 薄型MicroFET MOSFET器件。FDMA6023PZT是采用緊湊、薄型封裝的雙P溝道MOSFET,能夠滿足便攜設(shè)計的嚴(yán)苛要求,采用延長電池壽命的技術(shù),實現(xiàn)更薄、更小的應(yīng)用。FDMA6023PZT采用超薄的微型引線框架的MicroFET 封裝,相比傳統(tǒng)的MOSFET,它具有出色的熱阻,能提供超卓的功率耗散,并可減少傳導(dǎo)損耗。該器件采
- 關(guān)鍵字: Fairchild MOSFET
選擇一款節(jié)能、高效的MOSFET
- 前不久,能源之星發(fā)布了2.0版外部電源能效規(guī)范。新規(guī)范大幅提高了工作頻率要求,同時進(jìn)一步降低待機(jī)功耗要求。例如,為了滿足新規(guī)范,2.5W(5V,0.5A)外部電源的最低效率必須達(dá)到72.3%,新規(guī)范要求空載功耗應(yīng)低于300mW,這些都比目前使用的規(guī)范有了大幅提高。不僅是外部電源,很多手持式產(chǎn)品及家電產(chǎn)品,同樣面臨著低功耗的考驗。以手機(jī)為例,隨著智能手機(jī)的功能越來越多,低功耗設(shè)計已經(jīng)成為一個越來越迫切的問題。
- 關(guān)鍵字: MOSFET 節(jié)能
Diodes 推出全新OR'ing 控制器
- Diodes 公司推出有源OR'ing控制器芯片ZXGD3102,使共享式電源系統(tǒng)的設(shè)計人員能以高效MOSFET取代散熱阻流二極管,從而在對正常運(yùn)行時間要求苛刻的電信、服務(wù)器及大型機(jī)應(yīng)用中,實現(xiàn)更低溫度的運(yùn)行、更少的維護(hù)和更可靠的操作。 Diodes 亞太區(qū)技術(shù)市場總監(jiān)梁后權(quán)表示,傳統(tǒng)上用于電源故障保護(hù)的肖特基阻流二極管的熱耗散很高,這與其很強(qiáng)的0. 5V 正向壓降有直接關(guān)系。如果用典型正向電壓低于100mV的導(dǎo)通電阻較低的MOSFET替代二極管,功耗將明顯減少。ZXGD3102正是為了控
- 關(guān)鍵字: Diodes MOSFET
飛兆半導(dǎo)體的柵極驅(qū)動器提高汽車的燃油效率
- 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設(shè)計人員提供一系列能夠提升汽車應(yīng)用功耗、噪聲免疫能力和瞬態(tài)電壓性能的柵極驅(qū)動器FAN7080x系列,讓工程師開發(fā)出在所有操作條件下更準(zhǔn)確、精密的燃油噴射控制系統(tǒng),從而提高燃油效率。這些柵極驅(qū)動器在高邊和橋驅(qū)動器應(yīng)用中驅(qū)動 MOSFET 和 IGBT,如直接燃油噴射系統(tǒng)和電機(jī)控制。與市場上同類器件相比,它們的靜態(tài)功耗減少一半以上 (靜態(tài)電流100µA對比240µA),容許設(shè)計人員優(yōu)化系統(tǒng)和擴(kuò)大工作范圍。這些產(chǎn)品
- 關(guān)鍵字: Fairchild 柵極驅(qū)動器 MOSFET IGBT
高幅度任意波形/函數(shù)發(fā)生器簡化汽車、半導(dǎo)體、科學(xué)和工業(yè)應(yīng)用中的測量
- 許多電子設(shè)計應(yīng)用要求的激勵源幅度超出了當(dāng)前市場上大多數(shù)任意波形/函數(shù)發(fā)生器的能力,包括電源半導(dǎo)體應(yīng)用,如汽車電子系統(tǒng)和開關(guān)電源中廣泛使用的MOSFETs和IGBTs,氣相色譜和質(zhì)譜檢測器使用的放大器,以及科學(xué)和工業(yè)應(yīng)用中使用的其它設(shè)備。本文描述了使用外部放大器生成高幅度信號的傳統(tǒng)方法,然后討論了典型應(yīng)用,說明了使用集成高幅度階段的新型任意波形/ 函數(shù)發(fā)生器的各種優(yōu)勢。
- 關(guān)鍵字: 泰克 MOSFET IGBT 200903
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