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Fairchild推出雙MOSFET解決方案FDMC8200
- 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設計人員帶來業(yè)界領先的雙MOSFET解決方案FDMC8200,可為筆記本電腦、上網(wǎng)本、服務器、電信和其它 DC-DC 設計提供更高的效率和功率密度。該器件在3mm x 3mm MLP模塊中集成了經(jīng)優(yōu)化的控制 (高側(cè)) 和同步 (低側(cè)) 30V N溝道MOSFET,二者均使用的專用先進高性能PowerTrench® 7 MOSFET技術(shù),提供出色的低RDS(ON)、總體柵極電荷(QG)和米勒電荷 (QGD),這些性能最大限度地
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Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件
- Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件,它采用SO8封裝,包含一對互補100V增強式MOSFET,性能可媲美體積更大的獨立封裝器件。ZXMC10A816適用于H橋電路,應用范圍包括直流風扇和逆變器電路、D類放大器輸出級以及其他多種48V應用。 Diodes 亞太區(qū)技術(shù)市場總監(jiān)梁后權(quán)指出:“這個N通道和P通道組合的MOSFET能夠代替采用SOT223及DPak (TO252) 封裝的同等器件,有助減省電路板空間及元件數(shù)目,同時簡化柵極驅(qū)動電路設計。比方說,SO8充分發(fā)揮了
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Diodes推出新型MOSFET 半橋器件
- Diodes 公司推出四款半橋MOSFET 封裝,為空間受限的應用減少了元件數(shù)量和PCB尺寸,極大地簡化了直流風扇和 CCFL 逆變器電路設計。 Diodes 亞太區(qū)技術(shù)市場總監(jiān)梁后權(quán)指出:“ZXMHC 元件為SO8封裝,包含兩對互補N型和P型MOSFET,可取代四個分立式SOT23封裝的MOSFET或兩個SO8 互補MOSFET 封裝。對于現(xiàn)有不同類型的電機或其它感性負載驅(qū)動裝置來說,這意味著可節(jié)省至少一半的PCB占板面積,同時大幅降低整體存貨成本。” ZXM
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Maxim推出低電壓、降壓調(diào)節(jié)器
- Maxim推出內(nèi)置升壓開關(guān)的低電壓、降壓調(diào)節(jié)器MAX17083。該器件專為空間緊張的應用而設計,在微小的16mm² TQFN封裝中集成了雙路n溝道MOSFET功率開關(guān)。內(nèi)部25mΩ、低邊功率MOSFET能夠提供高達5A的持續(xù)負載電流,在保證高效率的同時減少了元件數(shù)量。MAX17083無需外部肖特基二極管以及外部升壓二極管,進一步節(jié)省了空間和成本。這款小型降壓調(diào)節(jié)器理想用于超便攜移動PC (UMPC)、上網(wǎng)本、便攜式游戲機及其它緊湊的低功耗應用。 MAX17083采用電流模式
- 關(guān)鍵字: Maxim 降壓調(diào)節(jié)器 MAX17083 MOSFET
英飛凌推出OptiMOS 3 75V功率MOSFET系列
- 今日在深圳舉辦的中國國際電源展覽會上,英飛凌科技宣布推出OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列。全新推出的這個產(chǎn)品系列具備業(yè)內(nèi)領先的導通電阻(RDS(on))和品質(zhì)因素(FOM, Qg * RDS(on))特性,可在任何負載條件下,降低開關(guān)模式電源(SMPS)、電機控制和快速開關(guān)D類功放等電源產(chǎn)品的功率損耗并改善其整體能效。 OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列,是交流/直流開關(guān)模式電源(譬如面向全球市場的臺式機和計算機服務器裝備的電源)的同步整流的
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 MOSFET OptiMOS SMPS
IR推出AUIRS2003S 200V IC
- 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出AUIRS2003S 200V IC,適用于低、中、高壓汽車應用,包括汽車預電充開關(guān)、步進驅(qū)動器和DC-DC轉(zhuǎn)換器。 AUIRS2003S符合AEC-Q100標準,是一款堅固耐用、靈活的高速功率MOSFET驅(qū)動器,并備有高、低側(cè)參考輸出通道,適用于惡劣的汽車環(huán)境及引擎罩下的應用。這款輸出驅(qū)動器具有高脈沖電流緩沖級,可將驅(qū)動器跨導降至最低,而浮動通道可在最高200V的高側(cè)配置中驅(qū)動一個 N 溝道功率MOSFET。
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IR推出增強型25V及30V MOSFET
- 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道溝道 HEXFET 功率 MOSFET 。它們針對同步降壓轉(zhuǎn)換器和電池保護增強了轉(zhuǎn)換性能,適用于消費和網(wǎng)絡領域的計算應用。 新 MOSFET 系列采用了 IR 經(jīng)過驗證的硅技術(shù),可提供基準通態(tài)電阻 (RDS(on)) ,并且提高了轉(zhuǎn)換性能。新器件的低傳導損耗改善了滿載效率及熱性能,即使在輕負載條件下,低轉(zhuǎn)換損耗也有助于實現(xiàn)高效率
- 關(guān)鍵字: IR MOSFET 硅技術(shù)
MOSFET封裝節(jié)省占板空間并提高充電器性能
- Diodes公司應用的高熱效率、超小型DFN封裝的雙器件組合技術(shù),推出便攜式充電設備的開關(guān)。 Diodes 亞太區(qū)技術(shù)市場總監(jiān)梁后權(quán)先生指出,DMS2220LFDB和 DMS2120LFWB把一個20V的P溝道增強模式MOSFET與一個配套二極管組合封裝,提供2mm x 2mm DFN2020及3mm x 2mm DFN3020兩種封裝以供選擇。DMP2160UFDB則把兩個相同的MOSFET組合封裝成DFN2020形式。 與傳統(tǒng)便攜式應用設計中常用的體積較大的3mm x 3mm封裝相
- 關(guān)鍵字: Diodes MOSFET DFN封裝
飛兆推出可將導通電阻降低50%的100V MOSFET
- 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為隔離式DC-DC應用設計人員提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101,具有低達50% 的RDS(ON) 和出色的品質(zhì)因數(shù) (figure of merits, FOM),有效提高電源設計的效率。FDMS86101是采用5mm x 6mm MLP Power56 封裝的100V MOSFET器件,使用了飛兆半導體先進的PowerTrench® 工藝技術(shù),能夠最大限度地減小導通阻抗,同時保持優(yōu)良的開關(guān)性能和穩(wěn)健性
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Maxim推出雙通道、Quick-PWM?、降壓控制器
- Maxim推出具有同步整流的雙通道、Quick-PWM降壓控制器MAX17031,用于為電池供電系統(tǒng)產(chǎn)生5V/3.3V電源。器件內(nèi)置100mA線性穩(wěn)壓器,以產(chǎn)生上電或其它低功耗、“常備電路”所需的5V偏置電壓??刂破鬟€包含一路低電流(5mA),“始終開啟”的線性穩(wěn)壓器,當筆記本電腦的其它所有調(diào)節(jié)器關(guān)閉時為實時時鐘(RTC)供電。MAX17031能夠為筆記本電腦、便攜式PC及其它便攜式設備提供完整的、節(jié)省空間的電源方案。 器件采用低邊MOSFET
- 關(guān)鍵字: Maxim MOSFET 控制器
飛兆半導體推出具有業(yè)界最低RDS(ON) 的20V MicroFET? MOSFET
- 飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 為便攜應用的設計人員帶來具有業(yè)界最低RDS(ON) 的20V 2mm x 2mm x 0.55mm 薄型MicroFET MOSFET器件。FDMA6023PZT是采用緊湊、薄型封裝的雙P溝道MOSFET,能夠滿足便攜設計的嚴苛要求,采用延長電池壽命的技術(shù),實現(xiàn)更薄、更小的應用。FDMA6023PZT采用超薄的微型引線框架的MicroFET 封裝,相比傳統(tǒng)的MOSFET,它具有出色的熱阻,能提供超卓的功率耗散,并可減少傳導損耗。該器件采
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Diodes 推出全新OR'ing 控制器
- Diodes 公司推出有源OR'ing控制器芯片ZXGD3102,使共享式電源系統(tǒng)的設計人員能以高效MOSFET取代散熱阻流二極管,從而在對正常運行時間要求苛刻的電信、服務器及大型機應用中,實現(xiàn)更低溫度的運行、更少的維護和更可靠的操作。 Diodes 亞太區(qū)技術(shù)市場總監(jiān)梁后權(quán)表示,傳統(tǒng)上用于電源故障保護的肖特基阻流二極管的熱耗散很高,這與其很強的0. 5V 正向壓降有直接關(guān)系。如果用典型正向電壓低于100mV的導通電阻較低的MOSFET替代二極管,功耗將明顯減少。ZXGD3102正是為了控
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