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飛兆增添功率鏈分立式器件功率損耗和效率分析工具

  • 飛兆半導(dǎo)體公司(紐約證券交易所代號: FCS),全球領(lǐng)先的高性能功率和移動半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商,最近將Power Supply WebDesigner (PSW) – 一款在線設(shè)計和模擬工具,可在一分鐘內(nèi)提供完整的設(shè)計–進一步強化,引入傳動系分立式(MOSFET/IGBT/整流器)器件功率損耗和效率分析工具。
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以較高的開關(guān)頻率在負(fù)載點 (POL) 應(yīng)用中工作

  • 摘要: Power Clip 33 封裝十分新穎,旨在增加同步整流 (SR) 降壓應(yīng)用中的功率密度,同時使用與傳統(tǒng)分立式 Power 56 封裝相比明顯較小的 PCB 面積。 本文詳細分析飛兆 Power Clip 3.3x3.3 Dual 是如何實現(xiàn)這一性能的。
  • 關(guān)鍵字: 飛兆  Power  POL  MOSFET  晶圓  

影響MOSFET性能的一些因素

  • 在追求不斷提高能效的過程中,MOSFET的芯片和封裝也在不斷改進。盡管四十多年來我們對這種器件有了很多了...
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IR推出25V FastIRFET創(chuàng)新功率MOSFET系列

  • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出25V FastIRFET創(chuàng)新功率MOSFET系列,適用于先進的電信和網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備、服務(wù)器、顯卡、臺式電腦、超極本 (Ultrabook) 和筆記本電腦等DC-DC同步降壓應(yīng)用。
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從原理到具體電路,深入剖析MOSFET的工作方式

  • 1.概述MOSFET的原意是:MOS(MetalOxideSemiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),F(xiàn)ET(FieldEffectTransistor場...
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分立器件 一款可替代集成MOSFET驅(qū)動器的卓越解決方案

  • 在電源設(shè)計小貼士#42中,我們討論了MOSFET柵極驅(qū)動電路中使用的發(fā)射器跟蹤器,并且了解到利用小型SOT-23...
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LTC4366高壓浪涌抑制器實例應(yīng)用講解(獨家)

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字: LTC4366  浪涌抑制器  MOSFET  

Vishay的TrenchFET Gen III P溝道功率MOSFET具有極低導(dǎo)通電阻

  • 2013 年 9 月5 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,擴充其采用超小PowerPAK? SC-70封裝的TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET。
  • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  導(dǎo)通電阻  

一款功率穩(wěn)壓逆變電源的設(shè)計與制作

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LTC4366高壓浪涌抑制器應(yīng)用深入講解(獨家收錄)

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LTC4366浪涌抑制器工作原理詳解

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LTC4366浪涌抑制器入門簡介

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內(nèi)置MOSFET降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器NJW1933

飛兆汽車級高速、低邊驅(qū)動器系列可提高效率、簡化設(shè)計

  • 使用功率MOSFET的汽車應(yīng)用要求柵極驅(qū)動器具備高峰值驅(qū)動電流和低輸出阻抗。來自飛兆半導(dǎo)體的 FAN31xx_F085 和FAN32xx_F085* 系列高速、低端汽車合格柵極驅(qū)動器(紐約證券交易所代碼: FCS)為電源和其他高效MOSFET開關(guān)應(yīng)用帶來了靈活性,可提供大量功能和性能組合選擇以創(chuàng)建緊湊、高效和可靠的設(shè)計。
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東芝針對移動設(shè)備的高電流充電電路將推出超緊湊型MOSFET

  • 東京—東芝公司(TOKYO:6502)日前宣布,該公司已經(jīng)為智能手機和平板電腦等移動設(shè)備的高電流充電電路的開關(guān)推出了超緊湊型MOSFET,包括兩種電池。
  • 關(guān)鍵字: 東芝  MOSFET  智能手機  移動設(shè)備  
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