- 2010年存儲器產業(yè)熱度急速升溫，許多熬過景氣低潮期但口袋空空的存儲器大廠，紛積極募資搶錢，而最直接方式便是向下游存儲器模塊廠借錢，未來再以貨源抵債，近期海力士(Hynix)便獲得金士頓(Kingston)達1億美元金援，未來將以DRAM和NAND Flash貨源償還，形成魚幫水、水幫魚的上下游緊密合作關系。海力士可望以此筆金援將NAND Flash制程大量轉進32奈米，全力從美光(Micron)手上搶回全球NAND Flash三哥寶座，并防止三星電子(Samsung Electronics)和東芝(
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存儲器 DRAM NAND
- 韓國海力士半導體的債轉股股東，將對出售的股份規(guī)模持靈活態(tài)度，這部分股票市值最高達35億美元。這些股東計劃在今年上半年挑選出一買家。
這些股東包括韓國外換銀行和國有的韓國金融公司(Korea Finance Corp)，共同持有海力士半導體28%的股權，將在1月29日前收到初步購買要約。海力士半導體是全球第二大存儲芯片制造商。
韓國金融公司首席執(zhí)行官Ryu Jae-han稱，“談到股票規(guī)模,可能僅會出售15%，不過這取決于股東委員會的決議。”該公司是去年末從韓國產業(yè)銀
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海力士 DRAM
- 晶圓代工12寸高階產能吃緊，加上8寸晶圓廠營運也維持高檔，已傳出上游硅晶圓廠交貨不及，產能無法應付晶圓代工業(yè)者所需，確定2010年第 1季硅晶圓報價將調漲5~10%;加上目前晶圓代工第2季訂單恐不俗，DRAM存儲器晶圓廠也都陸續(xù)恢復產能，第2季可能再接力調漲約10%。
繼大陸太陽能電池生產用硅晶圓傳出調漲之后，晶圓代工廠用硅晶圓也確定漲價，目前2010年第1季漲價幅度介于5~10%之間。由于晶圓代工廠包括臺積電在內高階制程產能滿載，更有吃緊之虞，包括硅晶圓大廠Shin-Etsu與代理商崇越、Su
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DRAM 晶圓代工
- DRAM業(yè)在走出低谷后，2010年前景看好，DRAM廠商積極擴產應對。其中臺塑集團的南科、華亞科最為積極，華亞科全年資本支出更比2009年呈倍數(shù)成長。
南科、華亞科已邁入50納米制程技術階段，南科暫定2010年資本支出約為5.9億美元，比2009年增長逾45%。南科預計，在第二季度時，旗下月產能3萬片的12英寸廠將全部以50納米制程投片，第三季度所有產品都采用50納米制程投片。
看好DDR3將成為2010年主流，南科計劃逐步提升DDR3產品的比重，目標由2009年第四季度的30%-40%提
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Elpida 50納米 DRAM 晶圓
- 編者點評(莫大康 SEMI China顧問)：國際上有許多市場分析公司與機構，如 Gartner，iSuppli，IC Insight，Semico，VLSI及SEMI，SIA，WSTS等。為什么它們的預測值不同，有時差異還不小。據編者的看法任何預測都有三類，即樂觀、中等和悲觀。另外，由于每個市場分析公司其數(shù)據來源及分析的范圍各不同，所以數(shù)據不一樣是正常的。那該如何來觀察與判斷呢?通常要找品牌，即有些公司的數(shù)據相對可靠(經驗值)，如半導體數(shù)據是WSTS，SIA，Gartner，iSuppli，而設備材
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IC NAND DRAM
- 一度缺席全球DRAM產業(yè)50納米制程大戰(zhàn)的爾必達(Elpida)，隨著美光(Micron)2010年加入50納米制程，爾必達狀況更顯得困窘，在經過近1年臥薪嘗膽后，爾必達2010年開春終于宣布，40納米6F2制程技術已于廣島廠順利完成試產，良率水平優(yōu)于預期，確定2010年可一舉進入40納米世代，子公司瑞晶更宣示只要花新臺幣120億元，就可將旗下8萬片12寸晶圓廠全數(shù)轉到40納米制程，與美光及南亞科、華亞科陣營對戰(zhàn)煙硝味濃厚。
DRAM產業(yè)在50納米制程是重要分水嶺，除技術難度外，1臺動輒逾新臺幣
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Elpida DRAM 50納米
- 韓國公平交易委員會(FTC)周三宣布，并未發(fā)現(xiàn)NAND快閃記憶芯片制造商在韓國或其它地區(qū)有操縱市場價格的行為，也宣告終止近3年來對該產業(yè)的反壟斷調查。
反壟斷監(jiān)管單位聲明，針對計算機記憶芯片產業(yè) (包括DRAM芯片、DRAM芯片等) 相關的價格操縱調查已經全部結束。
2007年1月，F(xiàn)TC宣布將針對NAND快閃記憶芯片制造商進行反壟斷調查，偵查是否有操縱價格的事實，之后已針對全球4家企業(yè)進行調查，其中2家位于韓國，另外2家分別在美國和日本，但FTC并未公布詳細的企業(yè)名單。
韓國快閃記
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Hynix DRAM DRAM
- 華亞科辦理6.4億股的現(xiàn)金增資，南亞科和美光(Micron)等大股東按原持股比例認購現(xiàn)增額度，但近期傳出美光向臺塑集團攤牌，希望能增加認購比例，爭取華亞科更多股權，惟臺塑集團回決此提議，認為目前「等權共治」策略較佳。內存業(yè)者表示，在瑞晶股權落入爾必達(Elpida)手中后，華亞科主導權亦成為臺、美雙方角力戰(zhàn)場，背后意義在于DRAM產能分配和潛在市占率。不過，針對美光要求提高華亞科持股一事，華亞科與南亞科均不予置評。
2009年臺DRAM產業(yè)整合計劃白忙1年，而茂德與海力士(Hynix)分手，亦使
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華亞科 DRAM DDR3
- 全球DRAM廠商自2006年紛紛投入“擴廠競賽”以來，DRAM市場嚴重供過于求的陰霾就揮之不去，在這樣心理預期下，DRAM價格持續(xù)性下跌也就顯得理所當然。
所幸，金融海嘯的發(fā)生，迫使除三星電子(Samsung Electronics)外的全球DRAM廠商都必須削減資本支出，停止原先擴廠計劃，單就臺灣各家DRAM業(yè)者為例，2008年第4季以來就有5座12吋廠、合計31萬片12吋晶圓月產能的建廠計劃遭到凍結或延后，茂德更為確?，F(xiàn)金，暫時退出標準型DRAM生產行列，轉而投入晶圓
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Samsung DRAM
- 臺灣DRAM產業(yè)成也12吋晶圓廠、敗也12吋晶圓廠!在金融風暴期間，臺灣DRAM產業(yè)身背2,000億元的負債，每天搖旗吶喊希望政府金援，否則整個產業(yè)面臨垮臺的命運，根本原因就是過去幾年間，業(yè)者太容易拿到資本市場的資金，因此盲目蓋了太多的12吋廠，隨著微軟(Microsoft)的Vista換機潮成夢一場，DRAM供需失衡的問題浮出，全球金融風暴成為壓垮駱駝的最后1根稻草，DRAM產業(yè)從此陷入惡夢。
熬過2009年，第1個出局的，反而不是始終為人詬病沒有技術扎根的臺灣DRAM廠，而是奇夢達(Qimo
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奇夢達 DRAM 晶圓
- 隨著2010年寒假及春節(jié)的臨近，電子賣場即將迎來新一輪的銷售高潮。記者在走訪中關村電子賣場時了解到，步入2010年，多數(shù)型號內存價格已有小幅上漲，或已計劃漲價。銷售人員向記者介紹道，從2009年中旬至今，內存價格一路上揚，其主要原因在于金融危機對中國市場的影響逐漸消逝，而各廠家的出貨量沒有迅速提高，導致部分廠家、型號的內存出現(xiàn)短時間缺貨。
據商家預計，2010年內存價格仍會緩慢上漲，寒假銷售情況被普遍看好。
據國外專業(yè)分析機構DRAMeXchange報道，受2010年PC銷量看漲以及OEM
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奇夢達 DRAM DDR3 內存
- 韓國公平交易委員會(FTC)周三宣布，并未發(fā)現(xiàn)NAND快閃記憶芯片制造商在韓國或其它地區(qū)有操縱市場價格的行為，也宣告終止近3年來對該產業(yè)的反壟斷調查。
反壟斷監(jiān)管單位聲明，針對計算機記憶芯片產業(yè) (包括DRAM芯片、NAND芯片等) 相關的價格操縱調查已經全部結束。
2007年1月，F(xiàn)TC宣布將針對NAND快閃記憶芯片制造商進行反壟斷調查，偵查是否有操縱價格的事實，之后已針對全球4家企業(yè)進行調查，其中2家位于韓國，另外2家分別在美國和日本，但FTC并未公布詳細的企業(yè)名單。
韓國快閃記
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海力士 NAND DRAM
- 2010年DRAM產業(yè)前景看好，臺系DRAM廠忙著搶錢擴大產能，華亞科日前宣布辦理現(xiàn)金增資，預計再募資超過新臺幣百億元，日前已正式獲得證期局的同意。華亞科預計2010年資本支出上看450億元，與同為臺塑集團的南亞科合計資本支出高達640億元，2家DRAM廠雙雙展開搶錢大作戰(zhàn)，一同轉進50奈米制程世代，且同時增加DDR3新產品的出貨比重，屆時生產成本可持續(xù)降低。
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華亞科 DRAM 晶圓
- 據華爾街日報(WSJ)報導，韓國公平貿易委員會(FTC)并未發(fā)現(xiàn)NAND Flash存儲器大廠有任何操控價格的證據，將結束為期將近3年的調查。此外，韓國FTC表示，至目前為止所有和存儲器市場相關的操控價格調查皆已完成，包括DRAM、SRAM及NAND Flash市場。
韓國FTC自2007年1月開始調查存儲器產業(yè)是否存在操控價格的不法行為，并調查4家全球存儲器大廠，包括兩家韓國廠商、1家日本及1家美國廠商，然FTC并未透露遭調查的廠商名稱。
存儲器產業(yè)近年來遭數(shù)個國家調查是否存在柯斷，近期
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Samsung DRAM 存儲器芯片 NAND
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