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DDR3來(lái)臨 2010年DRAM市場(chǎng)云開(kāi)月明

　　2009年DRAM 市場(chǎng)烏云籠罩，廠商艱難度過(guò)黑暗時(shí)期，終于守得云開(kāi)見(jiàn)月明。春季溫和復(fù)蘇，夏季迎來(lái)光明。價(jià)格在春季的基礎(chǔ)上持續(xù)上漲，營(yíng)業(yè)收入也水漲船高。　　三星走在前列，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率為19%，營(yíng)業(yè)收入達(dá)22 億美元，市場(chǎng)份額擴(kuò)大到35.5%的最高水平。　　DDR3 來(lái)臨　　第三季度，下一代 DRAM 技術(shù)——DDR3 看到希望，而且顯然這種技術(shù)代表未來(lái)的一股潮流。iSuppli 公司預(yù)測(cè)，DDR3 出貨量將在2010 年第一季度超過(guò)DDR2。　　三星在 DDR3
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機(jī)臺(tái)交期延　DRAM廠制程微縮絆腳石

　　2010年臺(tái)DRAM廠將決戰(zhàn)50和40奈米制程技術(shù)，但新制程關(guān)鍵恐未必在技術(shù)上，而在于浸潤(rùn)式微顯影(Immersion Scanner)機(jī)臺(tái)設(shè)備采購(gòu)是否能跟上腳步，近期業(yè)界傳出瑞晶機(jī)臺(tái)原本2月要交貨，但目前交期已遞延至4月，南亞科和華亞科之前亦傳出機(jī)臺(tái)交貨不及，公司則澄清前期機(jī)臺(tái)已順利拉進(jìn)來(lái)，轉(zhuǎn)換制程進(jìn)度一切正常。　　DRAM廠決戰(zhàn)50和40奈米制程技術(shù)最大挑戰(zhàn)是資金問(wèn)題，其中，機(jī)臺(tái)購(gòu)置成本占相當(dāng)大比重，由于1臺(tái)機(jī)臺(tái)設(shè)備動(dòng)輒要價(jià)新臺(tái)幣10億元，且每臺(tái)機(jī)器產(chǎn)能約僅1萬(wàn)片，若1座產(chǎn)能達(dá)10萬(wàn)片的12寸
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嵌入式系統(tǒng)中DRAM控制器的CPLD解決方案

嵌入式系統(tǒng)中DRAM控制器的CPLD解決方案,介紹怎樣在嵌入式CPU 80C186XL DRAM刷新控制單元的基礎(chǔ)上，利用CPLD技術(shù)和80C196XL的時(shí)序特征設(shè)計(jì)一個(gè)低價(jià)格、功能完整的DRAM控制器的方法，并采用VHDL語(yǔ)言編程實(shí)現(xiàn)。
關(guān)鍵字： CPLD 解決方案控制器 DRAM 系統(tǒng) 嵌入式

南亞科擴(kuò)建12寸廠　全球市占挑戰(zhàn)10%

　　南亞科將逆勢(shì)擴(kuò)建旗下12寸廠，從現(xiàn)有3萬(wàn)片擴(kuò)增至5萬(wàn)~6萬(wàn)片，成為此波DRAM景氣復(fù)蘇后，首家擴(kuò)產(chǎn)的臺(tái)系DRAM廠。值得注意的是，南亞科單月產(chǎn)能(加計(jì)華亞科)約9.5萬(wàn)片，以目前全球單月12寸廠產(chǎn)能約100萬(wàn)片計(jì)算，南亞科擴(kuò)產(chǎn)后，全球市占率將首度挑戰(zhàn)10%，成為臺(tái)塑集團(tuán)在 DRAM產(chǎn)業(yè)重要里程碑。　　DRAM廠喜迎產(chǎn)業(yè)景氣復(fù)蘇，但苦于無(wú)錢擴(kuò)增產(chǎn)能，2009年下半除趕緊將減產(chǎn)的產(chǎn)能回復(fù)，對(duì)于制程演進(jìn)亦快馬加鞭，包括美光(Micron)、爾必達(dá)(Elpida)陣營(yíng)2010年紛宣布要轉(zhuǎn)進(jìn)40奈米制程世代
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4大DRAM陣營(yíng)競(jìng)爭(zhēng)激烈美光、爾必達(dá)提前導(dǎo)入40納米

　　2010年4大DRAM陣營(yíng)三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、爾必達(dá)(Elpida)和美光(Micron)戰(zhàn)場(chǎng)直接拉到40納米世代!繼爾必達(dá)跳過(guò)50納米制程，大舉轉(zhuǎn)換至45納米后，美光陣營(yíng)也不甘示弱宣布年中將同步轉(zhuǎn)42納米。華亞科表示，表示旗下的50納米制程是最正統(tǒng)的完整世代技術(shù)，并非是制程微縮下的產(chǎn)物，因此成本競(jìng)爭(zhēng)力有十足把握;在爾必達(dá)、美光跟上制程進(jìn)度后，年底4大陣營(yíng)技術(shù)實(shí)力大幅縮小，競(jìng)爭(zhēng)更激烈。　　雖然三星電子和海力士已先一步轉(zhuǎn)到40納米世代，其中三星是
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海力士第4季獲利6,570億韓元　創(chuàng)3年新高

　　全球第2大計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器制造商海力士(Hynix)公布2009年第4季財(cái)報(bào)，隨著全球個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)景氣回溫，海力士獲利創(chuàng)下3年來(lái)新高。　　2009年第4季海力士營(yíng)收為2.8兆韓元(約24.7億美元)，較第3季大幅成長(zhǎng)32%，海力士營(yíng)收成長(zhǎng)主因?yàn)镈RAM及NAND Flash存儲(chǔ)器出貨量成長(zhǎng)，同時(shí)，DRAM平均售價(jià)也上揚(yáng)，此外，第4季海力士?jī)衾麨?,570億韓元，更較第3季大幅成長(zhǎng)167%。　　和2009年第3季相較，2009年第4季海力士DRAM平均售價(jià)及出貨量分別成長(zhǎng)26%及12%，至于N
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三星將向Rambus支付9億內(nèi)存專利授權(quán)費(fèi)以達(dá)成和解

　　韓國(guó)三星公司與Rambus公司本周二宣布就兩家之間的專利權(quán)官司達(dá)成和解協(xié)議，三星公司將在五年之內(nèi)逐步向Rambus公司支付總額達(dá)9億美金的專利授權(quán)費(fèi)用.據(jù)協(xié)議規(guī)定，三星將首先一次性支付給Rambus公司2億美元，并在此后的5年之中以平均每季度支付2500萬(wàn)美元的方式逐步將剩下的金額以專利授權(quán)費(fèi)的形式支付給對(duì)方，其中包括一筆用于購(gòu)買三星現(xiàn)有DRAM產(chǎn)品所使用的Rambus專利終身授權(quán)的資金。另外，協(xié)議還規(guī)定三星將向Rambus公司投資2億美元。　　據(jù)Rambus公司高級(jí)副總裁Sharon Holt
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廠商采取搭售策略挽回DDR2銷售頹勢(shì)

　　全球DRAM市場(chǎng)正加速進(jìn)行世代交替，DDR3芯片因缺貨使得價(jià)格持續(xù)上漲，DDR2價(jià)格卻嚴(yán)重下跌，且累積庫(kù)存越來(lái)越多，近期韓系DRAM大廠開(kāi)始祭出買DDR3模塊必須搭配買DDR2模塊的搭售策略，希望系統(tǒng)廠和模塊廠不要只購(gòu)買DDR3模塊，由于DDR3模塊在現(xiàn)貨市場(chǎng)貨源奇缺，使得部分下游通路商亦跟進(jìn)DRAM大廠，采取搭售策略，希望在DDR2與DDR3 模塊世代交替的同時(shí)，避免產(chǎn)品價(jià)格嚴(yán)重背道而馳。　　近期DRAM市場(chǎng)已呈現(xiàn)兩極化發(fā)展，DDR3芯片市場(chǎng)缺貨情況持續(xù)惡化，但DDR2芯片庫(kù)存卻是愈堆愈多，存儲(chǔ)
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DDR3成主流產(chǎn)品海力士增NAND Flash產(chǎn)能

　　據(jù)彭博(Bloomberg)報(bào)導(dǎo)，海力士執(zhí)行長(zhǎng)金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示，2010年第1季DDR3將取代DDR2成為存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的主流產(chǎn)品，同時(shí)，海力士希望于2010年增加在DRAM市場(chǎng)的市占率，并倍增NAND Flash的產(chǎn)能。　　根據(jù)研究機(jī)構(gòu)iSuppli資料，2009年第3季海力士于全球DRAM市場(chǎng)市占率為21.7%，落后三星電子(Samsung Electronics)的35.5%，　　海力士也將增加NAND Flash產(chǎn)能，金鐘甲表示，2010年底前海力士計(jì)劃倍增NAND
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海力士擬償還8.88億美元債務(wù) 得益于芯片需求

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，由于計(jì)算機(jī)內(nèi)存芯片供不應(yīng)求可能有助于利潤(rùn)創(chuàng)下4年來(lái)新高，全球第二大內(nèi)存芯片廠商海力士計(jì)劃今年償還逾1萬(wàn)億韓元債務(wù)(約合8.88億美元)。　　海力士首席執(zhí)行官金鐘甲(Kim Jong-kap)日前在接受采訪時(shí)表示，“我們的目標(biāo)是，在進(jìn)行必要投資的同時(shí)償還巨額債務(wù)。目前，海力士有息債務(wù)約為7萬(wàn)億韓元(約合62.16億美元)。” 　　更少的債務(wù)和更高的利潤(rùn)有助于海力士吸引其他收購(gòu)方。去年11月，曉星公司撤消了收購(gòu)海力士的收購(gòu)要約。分析師稱，由于PC需求增長(zhǎng)，今年
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臺(tái)灣DRAM廠商大舉轉(zhuǎn)產(chǎn)DDR3

　　2010年P(guān)C主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)從DDR2向DDR3的轉(zhuǎn)換正在逐步成為現(xiàn)實(shí)。據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，由于下游廠商的DDR2訂單量近期出現(xiàn)急劇下滑，多家臺(tái)系DRAM芯片制造商都在加快產(chǎn)能從DDR2向DDR3轉(zhuǎn)換的步伐。根據(jù)稍早前的報(bào)道，臺(tái)灣力晶(PSC)半導(dǎo)體以及他們和日本爾必達(dá)合資的瑞晶電子(Rexchip)預(yù)計(jì)，今年第一季度DDR3晶圓在其總產(chǎn)能中所占比例將超過(guò)70%。而去年第三季度，DDR3顆粒占其產(chǎn)量的比例還不足5%。從去年第四季度開(kāi)始，力晶和瑞晶已經(jīng)明顯加快了增產(chǎn)DDR3的步伐。　　另一家DRAM大廠
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為什么存儲(chǔ)器是產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo)

　　存儲(chǔ)器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半導(dǎo)體業(yè)中經(jīng)常分成兩類，DRAM及閃存類。由于其兩大特征，能大量生產(chǎn)以及應(yīng)用市場(chǎng)面寬，使其半導(dǎo)體業(yè)中有獨(dú)特的地位。業(yè)界有人稱它為半導(dǎo)體業(yè)的風(fēng)向標(biāo)。　　縱觀DRAM發(fā)展的歷史，幾乎每8至10年一次大循環(huán)，最終一定有大型的存儲(chǔ)器廠退出，表示循環(huán)的結(jié)束。如1980年代的TI及IBM等退出;1990年代的東芝，日立及NEC退出，如今2000年代的奇夢(mèng)達(dá)最先退出。奇夢(mèng)達(dá)的退出使市場(chǎng)少了10萬(wàn)片的月產(chǎn)能。　　在全球硅片尺寸轉(zhuǎn)移中，存儲(chǔ)器也是走在前列，如
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 DRAM NAND NOR SRAM

365天：DRAM產(chǎn)業(yè)從地獄到天堂

　　2009年DRAM產(chǎn)業(yè)在地獄和天堂里各走一遭，年初1顆DRAM均價(jià)還在0.5美元，當(dāng)時(shí)生產(chǎn)成本還在2美元，可見(jiàn)虧損有多嚴(yán)重，各廠只好宣布停工、減產(chǎn)，巨額虧損的問(wèn)題延伸至臺(tái)、美、日DRAM廠大整合階段，也演變成國(guó)與國(guó)之間的戰(zhàn)爭(zhēng)。但到了年底，DRAM廠又開(kāi)始生龍活虎起來(lái)，中間歷程看似短短 365天，但個(gè)中辛酸DRAM廠冷暖自知，未來(lái)各界看好DRAM產(chǎn)業(yè)有2年的好光景，終于擺脫地獄魔咒，前進(jìn)在通往天堂的路上。　　365天之間可以發(fā)生多少事?它可以讓平均每天虧損新臺(tái)幣1億元、每1季虧損超過(guò)百億元的DRAM
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DDR2乏人問(wèn)津　DRAM廠搶轉(zhuǎn)產(chǎn)能

　　DDR2和DDR3 1月上旬合約價(jià)走勢(shì)迥異，DDR2合約價(jià)大跌，DDR3卻大漲，凸顯世代交替已提前來(lái)臨，將加速DDR2需求急速降溫，快速轉(zhuǎn)移到DDR3身上，近期臺(tái)系 DRAM廠紛搶著將產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到DDR3，尤其是原本投入DDR3腳步落后的力晶和瑞晶，預(yù)計(jì)第1季底DDR3比重將達(dá)70%，速度超乎預(yù)期。不過(guò)，亦有業(yè)者認(rèn)為，若大家都搶著把DDR2產(chǎn)能轉(zhuǎn)走，說(shuō)不定會(huì)意外讓DDR2跌勢(shì)止穩(wěn)，反而有利于DDR2價(jià)格走勢(shì)。　　臺(tái) DRAM廠表示，原本業(yè)者認(rèn)為在農(nóng)歷春節(jié)前DDR2買氣還有最后一搏機(jī)會(huì)，因?yàn)镈DR2若
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PC機(jī)電源內(nèi)部結(jié)構(gòu)分析

要看電源是由什么組成的，最好的方法是我們打開(kāi)電源的外殼，看看電源的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。二極管組成，另一種是將四個(gè)二極管封裝在一起。而后一種的方式就被稱為全橋。全橋和二極管所能承受的最低耐壓程度和最大電流是有限值
關(guān)鍵字：分析結(jié)構(gòu) 內(nèi)部電源 PC