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美光、南亞科攜手42納米 加入DRAM新技術(shù)戰(zhàn)局

  •   美光(Micron)和南亞科正式宣布加入40納米DRAM制程大戰(zhàn),今(9)日將攜手宣布42納米2Gb容量DDR3產(chǎn)品正式問世,同時也全面導(dǎo)入銅制程技術(shù),與三星電子(Samsung Electronics)的46納米、海力士(Hynix)44納米和爾必達(dá)(Elpida)45納米相比,美光陣營的每片DDR3晶圓尺寸由于體積最小且產(chǎn)出數(shù)量最多,預(yù)計在2010年第2季試產(chǎn),而策略伙伴南亞科和華亞科也將于下半年導(dǎo)入42納米制程,與爾必達(dá)旗下力晶和瑞晶導(dǎo)入45納米的時間點(diǎn)相仿。   2010 年DRAM市場50
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PC電源分析

  • 有人把CPU比作電腦的“心臟”,實(shí)際上,如果我們真正形象地去比較,CPU對于電腦來說更像是大腦的作用,而真正為電腦提供動力的心臟應(yīng)該是為電腦提供充足電力的電源。那么讓我們來關(guān)注一下這個被我們忽視的角落。
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海力士反行業(yè)主流看法:今年DRAM芯片恐將過剩

  •   2月9日消息,據(jù)臺灣經(jīng)濟(jì)日報報道,在DRAM芯片行業(yè)多數(shù)企業(yè)普遍看好今年市況之際,全球第二大DRAM芯片廠海力士卻發(fā)出警告,認(rèn)為今年DRAM芯片恐出現(xiàn)供給過剩。海力士也是近期全球第一家看空DRAM產(chǎn)業(yè)的大廠。   全球DRAM芯片龍頭三星上周才公開表示,看好整體內(nèi)存產(chǎn)業(yè),海力士卻發(fā)布警告,看法與三星大為迥異。海力士發(fā)警告,將牽動南科、華亞科、力晶以及創(chuàng)見、威剛等臺灣內(nèi)存企業(yè)發(fā)展計劃。   外電報道,海力士執(zhí)行長金鐘甲在接受媒體採訪時透露,由于各大晶片廠都大舉擴(kuò)大資本支出,擔(dān)心DRAM芯片會供給過剩
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應(yīng)用材料兩名高管因竊取三星技術(shù)機(jī)密被捕

  •   據(jù)報道,韓國檢方近日逮捕了兩名美國半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商應(yīng)用材料Applied Materials高管,罪名則是這兩名高管偷取三星DRAM、NAND芯片處理技術(shù)等機(jī)密并出售給了競爭對手海力士。   美國證券交易委員會的報告顯示,Applied已經(jīng)確認(rèn)此事,并透露說其中一人是前應(yīng)用材料韓國(AMK)高管、現(xiàn)任應(yīng)用材料副總裁,另一名則是應(yīng)用材料韓國子工廠的高管。   應(yīng)用材料在一封電子郵件中表示,由于韓國檢方目前還未公布兩人的姓名,他們也不方便透露兩者的信息。作為應(yīng)用材料的一大客戶,三星的利益顯然受到了傷害
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DDR2芯片價格有望在下半年超過DDR3

  •   報道,威剛主席Simon Chen今天表示,隨著DRAM制造商把重點(diǎn)放在DDR3芯片生產(chǎn)上,DDR2芯片的出貨量將開始減少,其價格有望在今年下半年超過DDR3。   Simon Chen認(rèn)為,DDR2在低端PC市場還是比較受歡迎。如果1Gb DDR2的價格低于2美元,那么它需求將會出現(xiàn)大幅度增長。   Simon Chen還表示,上游芯片供應(yīng)商紛紛通過工藝升級的方式來加大DDR3芯片的產(chǎn)量,不過這種升級或許會因?yàn)槠渌O(shè)備的供應(yīng)短缺而延緩。   根據(jù)DRAMeXchange的監(jiān)測,1Gb DDR2
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美國09年專利前25名出爐 三星電子緊隨IBM

  •   湯森路透知識產(chǎn)權(quán)解決方案事業(yè)部今日發(fā)布了《2009年頂級專利權(quán)人》(2009 Top Patentees) 的分析結(jié)果,對過去一年在美國獲得專利最多的前25家公司進(jìn)行排名。這項(xiàng)研究發(fā)現(xiàn),在這25家頂級公司中,無一家中國大陸企業(yè)上榜。老牌科技廠商美國IBM公司以4843項(xiàng)專利位列第一, 韓國三星電子和美國微軟公司分別位列第二和第三,這份25大專利權(quán)名單還包括11家日本公司,中國臺灣、芬蘭和德國各一家公司。   2009年美國專利權(quán)人 TOP25   亞洲公司目前已經(jīng)占據(jù)了專利權(quán)名單的56%,而日
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三星發(fā)布全球首顆30nm級工藝DDR3內(nèi)存芯片

  •   三星電子宣布,全球第一顆采用30nm級別工藝的DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)通過客戶認(rèn)證。注意這里說的是30nm級別工藝(30-nm class),而不是真正的30nm,也就是說有可能是38nm 之類的。三星此前投產(chǎn)的3-bit MLC NAND、異步DDR 32Gb MLC NAND閃存芯片同樣也是這種30nm級別的。   三星這種30nm工藝級DDR3 DRAM內(nèi)存芯片的容量為2Gb,支持1.5V標(biāo) 準(zhǔn)電壓和1.35V低電壓,相比50nm工藝級可節(jié)省最多30%的功耗,因此又稱為綠色內(nèi)存(Gree
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三星的“致命傷”——過渡依賴芯片產(chǎn)品

  •   導(dǎo)讀:《朝鮮日報》今日撰文稱,三星電子雖然躋身世界最大的電子企業(yè)行列,但公司銷售業(yè)績在很大程度上依賴于芯片產(chǎn)品,而芯片的營業(yè)利潤容易根據(jù)市場環(huán)境起伏不定,這也被認(rèn)為是三星的“致命弱點(diǎn)”。如果現(xiàn)在放松警惕,今后可能會面臨更大的危機(jī)。   以下為全文:   三星電子在韓國企業(yè)史上第一個實(shí)現(xiàn)“銷售額100萬億韓元、營業(yè)利潤10萬億韓元”的業(yè)績,成為世界最大的電子企業(yè)。但英國《金融時報》29日報道稱:“從長遠(yuǎn)來看,三星電子的創(chuàng)新性不足將損害收益。
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40納米成DRAM廠流行口號

  •   近期DRAM廠掀起一股40納米熱潮,這一切都要從爾必達(dá)(Elpida)說起。因?yàn)闋柋剡_(dá)2009年沒錢轉(zhuǎn)進(jìn)50納米技術(shù)制程后,最后決定跳過50納米,直接轉(zhuǎn)進(jìn)45納米,這下刺激了美光(Micron)陣營,南亞科和華亞科近期宣布42納米制程提前1季導(dǎo)入,讓整個DRAM產(chǎn)業(yè)在50納米都還沒看到影子時,又冒出一堆40納米的話題,但40納米能為DRAM產(chǎn)業(yè)貢獻(xiàn)多少? 真的有待商榷,只有三星電子(Samsung Electronics)在克服良率困難后,有機(jī)會大量生產(chǎn),其它陣營的40納米技術(shù),都是口頭說說成分居多。
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SIA:09年12月全球半導(dǎo)體銷售額

  •   美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(Semiconductor Industry Association,以下簡稱“SIA”)周一公布報告稱,去年12月全球半導(dǎo)體銷售較11月下滑1.2%,但比2008年同期增長29%,主要由于PC、手機(jī)及其他消費(fèi)電子產(chǎn)品的銷售健康增長。   報告顯示,去年12月全球半導(dǎo)體銷售額為224億美元,比11月的227億美元下滑1.2%,比2008年同期的174億美元增長29%;在整個2009年,全球半導(dǎo)體銷售額為2263億美元,比2008年下滑9%,但高于SIA此前
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LSI 針對企業(yè)網(wǎng)絡(luò)和存儲應(yīng)用擴(kuò)展定制 IP 產(chǎn)品系列

  •   LSI 公司日前宣布推出具有多核功能的 PowerPC 476 微處理器內(nèi)核和高速嵌入式 DRAM 內(nèi)存模塊,進(jìn)一步豐富了其業(yè)界領(lǐng)先的定制芯片 IP 產(chǎn)品系列。該新型處理器內(nèi)核和內(nèi)存模塊旨在加速用于諸如企業(yè)級交換機(jī)、路由器、RAID 存儲器、服務(wù)器以及基站等高性能應(yīng)用中的高級網(wǎng)絡(luò)和存儲SoC 的開發(fā)。   定制多核集成電路 (IC) 使 OEM 廠商能夠針對計算密集型應(yīng)用開發(fā)出高度差異化的高性能解決方案。LSI 推出的這款新型 PowerPC 476FP 器件采用 TSMC 40G 工藝制造而成,能
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DRAM迎來希望之光 年底將“春光燦爛”

  •   在DRAM市場的歷史上,2009年初可能是最黑暗的時期之一,當(dāng)時廠商能活下來就不錯了。   但是,繼春季溫和復(fù)蘇之后,DRAM供應(yīng)商的黑暗日子結(jié)束,夏天迎來了光明。價格在春季的基礎(chǔ)上持續(xù)上漲,營業(yè)收入也水漲船高。三星走在前列,營業(yè)利潤率為19%,營業(yè)收入達(dá)22億美元,市場份額擴(kuò)大到35.5%的最高水平。   DDR3來臨   第三季度,下一代DRAM技術(shù)——DDR3看到希望,而且顯然這種技術(shù)代表未來的一股潮流。iSuppli公司預(yù)測,DDR3出貨量將在2010年第一季度超
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爾必達(dá)預(yù)計2010年DRAM將出現(xiàn)供應(yīng)短缺

  •   據(jù)國外媒體報道,日本芯片生產(chǎn)商爾必達(dá)記憶體(Elpida)公司今日表示,預(yù)計2010年動態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)將出現(xiàn)供應(yīng)短缺。   爾必達(dá)社長本幸雄在新聞發(fā)布會上接受采訪時表示,DRAM的價格可能將在截至2011年3月的會計年度企穩(wěn)。
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DRAM跌價襲擊 模塊廠1月營收處變不驚

  •   2010年1月農(nóng)歷春節(jié)前的補(bǔ)貨行情落空,DRAM價格大跌,所幸NAND Flash價格比預(yù)期強(qiáng)勢,存儲器模塊廠1月營收可望維持平穩(wěn),與2009年12月相較,呈現(xiàn)小漲或小跌的局面,整體第1季營收受到2月農(nóng)歷過年工作天數(shù)減少影響,而呈現(xiàn)下滑,但整體行情不看淡;模塊廠認(rèn)為,DDR3目前仍是缺貨,往下修正的幅度有限,一方面DDR3利潤較高,另一方面DDR3短期會被DDR2價格帶下來,但整體第1季DDR3供貨仍相對吃緊。   存儲器模塊廠2009年交出豐厚的成績單,創(chuàng)見、威剛都賺足1個股本,但2010年1月立
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設(shè)備交期拉長 恐影響設(shè)備業(yè)2010年成長力道

  •   近期晶圓代工、DRAM等科技大廠擴(kuò)產(chǎn)計劃不斷,不少業(yè)者的機(jī)臺進(jìn)廠時間落在下半年,從目前的設(shè)備交期6~9個月來推算,部分機(jī)臺交貨時間恐怕落到2011年。   在2010年科技業(yè)大擴(kuò)產(chǎn)風(fēng)潮下,市場紛紛看好設(shè)備業(yè)業(yè)績可望較2009年成長4~5成,不過近期在關(guān)鍵設(shè)備交期拉長到6~9個月的隱憂下,設(shè)備業(yè)者已開始擔(dān)憂,交期拉長恐怕使部分原本可在2010年交貨的機(jī)臺,延后到2011年,使全年業(yè)績成長幅度受到壓抑。   設(shè)備短缺現(xiàn)象自2009年第4季就已出現(xiàn),尤其是關(guān)鍵機(jī)臺包括LED的金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(MO
  • 關(guān)鍵字: MOCVD,晶圓代工  DRAM  
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