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張忠謀:臺灣企業(yè)五年內(nèi)將面臨三大挑戰(zhàn)
- 臺積電董事長張忠謀日前表示,臺灣企業(yè)五年內(nèi)成本將面臨三大挑戰(zhàn),包括美元弱勢引起的新臺幣匯率挑戰(zhàn),石油等原物料價格上漲引發(fā)的通膨,還有減碳增加的環(huán)保稅負(fù)成本。 張忠謀只提到美元弱勢,并沒有說新臺幣有升值壓力,張忠謀認(rèn)為,全球經(jīng)濟(jì)都在復(fù)蘇中,復(fù)蘇力道緩慢,盡管景氣慢慢復(fù)蘇,但張忠謀認(rèn)為,企業(yè)近中程的三大挑戰(zhàn)相當(dāng)嚴(yán)峻,所謂近中程大概是五年內(nèi),所以嚴(yán)峻因為是過去兩年、甚至十年沒遇見過。 第一個挑戰(zhàn)是匯率。張忠謀說,臺灣過去20年沒有遭遇很大的匯率挑戰(zhàn),但美元愈來愈弱,這會是一個趨勢,相對地新臺幣波
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12月上旬合約價DRAM持平 Flash下跌
- 12月上旬的存儲器合約價格中,DRAM合約價意外持平開出,南亞科副總經(jīng)理白培霖表示,主要是個人計算機(jī)(PC)廠急單涌入之故;而 NAND Flash合約價格則反應(yīng)市場需求不佳,16Gb芯片價格下滑5~10%,32Gb芯片下跌2~6%,目前合約價格貼近現(xiàn)貨價格水平,下游存儲器業(yè)者都盡量減少庫存水位,以免營運被跌價的NAND Flash芯片庫存燙傷。 近期DRAM現(xiàn)貨價格持續(xù)反彈,1Gb容量DDR2價格從2美元反彈至2.5美元,屬于觸底反彈,然整個市場的交易量是相當(dāng)有限,反倒是原本各界預(yù)期12月上旬
- 關(guān)鍵字: 南亞科 NAND DRAM
張忠謀:臺灣企業(yè)五年內(nèi)成本將面臨三大挑戰(zhàn)
- 12月9日消息,臺積電董事長張忠謀昨日表示,臺灣企業(yè)五年內(nèi)成本將面臨三大挑戰(zhàn),包括美元弱勢引起的新臺幣匯率挑戰(zhàn),石油等原物料價格上漲引發(fā)的通膨,還有減碳增加的環(huán)保稅負(fù)成本。 張忠謀只提到美元弱勢,并沒有說新臺幣有升值壓力,張忠謀認(rèn)為,全球經(jīng)濟(jì)都在復(fù)蘇中,復(fù)蘇力道緩慢,盡管景氣慢慢復(fù)蘇,但張忠謀認(rèn)為,企業(yè)近中程的三大挑戰(zhàn)相當(dāng)嚴(yán)峻,所謂近中程大概是五年內(nèi),所以嚴(yán)峻因為是過去兩年、甚至十年沒遇見過。 第一個挑戰(zhàn)是匯率。張忠謀說,臺灣過去20年沒有遭遇很大的匯率挑戰(zhàn),但美元愈來愈弱,這會是一個趨勢
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爾必達(dá)與臺灣茂德簽DRAM代工 預(yù)計明年量產(chǎn)
- 據(jù)臺灣經(jīng)濟(jì)日報報道,日本記憶體晶片大廠爾必達(dá)與臺灣茂德、華邦結(jié)盟,市場揣測會趁勢入股茂德與華邦。爾必達(dá)社長坂本幸雄昨日首度對入股茂德與華邦猜測松口表示:“目前沒有,但以后的事很難說。”強(qiáng)調(diào)爾必達(dá)會積極與臺灣DRAM廠“共同抗韓”的立場。 茂德董事長陳民良透露,將引進(jìn)新的投資對象,目前潛在合作對象有四個集團(tuán),但堅決不透露是誰中選。 業(yè)內(nèi)揣測,有意入股或金援茂德者,可能是結(jié)盟的爾必達(dá),或已是茂德大股東的聯(lián)電。另外,外傳旺宏有意買下茂德竹科8吋與1
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TIMC案觸礁 施顏祥提出3大處理原則
- 在臺灣“立法院”受到空前阻力的「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案」幾乎確定無法過關(guān)之后,國發(fā)基金投資臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)也面臨停擺。“經(jīng)濟(jì)部”長施顏祥對此表示,“立法院”和社會各界對于國發(fā)基金投資TIMC有意見,“經(jīng)濟(jì)部”都聽到了。目前經(jīng)濟(jì)部對DRAM產(chǎn)業(yè)再造的僵局有3大處理原則,分別是調(diào)整 DRAM產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)、持續(xù)與立法委員溝通、思考新的替代方案。 施顏祥表示,臺灣每年支付DRAM技術(shù)母廠新臺幣200億
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爾必達(dá)蠶食臺12寸廠DRAM產(chǎn)能
- 日系DRAM大廠爾必達(dá)(Elpida)社長坂本幸雄再度訪臺,8日將與新策略聯(lián)盟伙伴茂德董事長陳民良聯(lián)合召開記者會,說明雙方合作代工細(xì)節(jié)。由于坂本幸雄過去慣常與力晶合作亮相,這次換成茂德,變化過程頗耐人尋味,爾必達(dá)2009年以來除拉攏茂德合作DDR3代工,亦與華邦電展開繪圖存儲器(GDDR)代工合作,日廠在臺灣存儲器領(lǐng)域勢力越來越龐大,不論臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)未來怎么走,爾必達(dá)可說是這場臺美日DRAM廠整并下的大贏家。 爾必達(dá)經(jīng)過2008年DRAM產(chǎn)業(yè)崩盤襲擊,2009年元氣逐漸恢復(fù)后,
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中國臺灣芯片公司改變策略應(yīng)對市場下滑危機(jī)
- 臺灣半導(dǎo)體生產(chǎn)商期望通過轉(zhuǎn)變策略來應(yīng)對電腦存儲芯片市場占有率下降帶來的挑戰(zhàn),但此舉可能導(dǎo)致它們?nèi)P退出核心業(yè)務(wù)。 由于芯片行業(yè)從2007年起陷入有史以來最嚴(yán)重的滑坡,南亞科技及臺灣力晶半導(dǎo)體股份有限公司(簡稱:力晶)等臺灣芯片行業(yè)的支柱公司已在虧損中掙扎了兩年多。盡管今年芯片價格出現(xiàn)反彈,但力晶和茂德科技(ProMOS Technologies Inc.)等公司仍處于貸款違約的邊緣。 與此同時,韓國和日本的競爭對手憑藉更先進(jìn)、成本更低的生產(chǎn)技術(shù)持續(xù)發(fā)展壯大。 為應(yīng)對上述局面,臺資公司
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三星每年提高一倍代工芯片產(chǎn)能 目標(biāo)直指臺積電
- 據(jù)報道,為了更加快速的追趕臺積電,三星計劃將以后每年的代工芯片產(chǎn)能提高一倍直至達(dá)到臺積電的規(guī)模。 根據(jù)iSuppli的統(tǒng)計,去年全球芯片代工市場的產(chǎn)值為190億美元,而臺積電獨自占據(jù)了其中的100億美元。 三星是全球第二大芯片制造商,在DRAM內(nèi)存和NAND閃存市場處于領(lǐng)先地位,但是他們在代工市場的收入?yún)s只有可憐的幾億美元。三星發(fā)言人近日表示,三星已經(jīng)決定擴(kuò)大其代工產(chǎn)能,目標(biāo)直指臺積電。 三星目前在韓國器興(Giheung)有一座占地350英畝的晶圓廠,專門用于代工業(yè)務(wù)。三星一直強(qiáng)調(diào)
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DRAM廠資本支出競賽 三星更勝臺廠一籌
- 臺系DRAM廠開始規(guī)劃2010年資本支出,估計包括南亞科、華亞科、力晶和茂德4家DRAM廠2010年資本支出逾新臺幣700億元,且主要支出集中在臺塑集團(tuán)身上,臺DRAM廠似乎又生龍活虎起來,開始擴(kuò)大投資規(guī)模,然相較于三星電子(Samsung Electronics)2010年在存儲器領(lǐng)域資本支出至少30億美元來看,臺系4家DRAM廠合計資本支出仍遠(yuǎn)落后三星,未來三星不僅將穩(wěn)坐龍頭,且恐將再度侵蝕臺DRAM廠既有市占率。 三星是這一波DRAM產(chǎn)業(yè)海嘯大贏家,這波巨浪吹倒臺DRAM產(chǎn)業(yè),亦讓美、日系
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臺“經(jīng)濟(jì)部”無力扭轉(zhuǎn)情勢 DRAM再造方案全面停擺
- 根據(jù)政府官員表示,日前“立法院”經(jīng)濟(jì)委員會通過決議,要求行政院國發(fā)基金不得用于「DRAM產(chǎn)業(yè)再造計畫」一事,經(jīng)過“經(jīng)濟(jì)部”一再向立委溝通,確定未獲得立委同意,目前「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案」已面臨全面停擺的情況。 官員透露,在和爾必達(dá)(Elpida)談判的過程中,爾必達(dá)始終未承諾提出符合行政院所要求的相關(guān)承諾,恐怕讓“經(jīng)濟(jì)部”失去為臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)繼續(xù)向“立法院”爭取國發(fā)基金挹注的重要立足點
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三星擬明年投資60億美元擴(kuò)大芯片業(yè)務(wù)
- 北京時間12月2日消息,據(jù)國外媒體報道,《韓國先驅(qū)報》援引匿名消息人士的話報道稱,三星2010年計劃投資約7萬億韓元(約合60億美元)擴(kuò)大芯片業(yè)務(wù)。 消息稱,其中約5萬億韓元(約合43億美元)將用于擴(kuò)大DRAM芯片業(yè)務(wù),2萬億(約合17億美元)韓元將用于擴(kuò)大NAND閃存和邏輯芯片業(yè)務(wù)。 三星2010年芯片投資將比2009年的4萬億韓元(約合34億美元)高75%。10月份發(fā)布第三季度財報時,三星曾表示明年芯片投資將超過5.5萬億韓元(約合47億美元)。
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臺“經(jīng)濟(jì)部”主導(dǎo)的TIMC成立計劃走向窮途末路
- 臺“立法院經(jīng)濟(jì)委員會”本月26日一致投票通過反對臺經(jīng)濟(jì)部一項要求政府向臺灣創(chuàng)新記憶體公司(TIMC)注資的提案,這意味著臺灣當(dāng)局主導(dǎo)的力圖重建本土內(nèi)存工業(yè)的改革計劃第四次遭到政府其它部門的反對。 與此形成鮮明對比的是,韓國聯(lián)合通訊社本月26日援引韓國知識經(jīng)濟(jì)部的說法,稱南韓政府計劃支持三星以及海力士公司開發(fā)自旋極化磁隨機(jī)存取內(nèi)存技術(shù)(STT-MRAM)的項目.政府將于2014年前向該項目注資240億韓元(合2050萬美元),占項目總預(yù)算的一半。 此前三星與海力士公司
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