- 英特爾在2005年1月17日重組的4年之后，于2009年9月14日再次對其組織架構大刀闊斧地進行了重組。
坊間著實對此熱議了一陣。從這些文章的標題看，有就事論事說主要產品部門整合到英特爾架構事業(yè)部的，也有說重組是為了給CEO歐德寧騰出時間專注企業(yè)戰(zhàn)略的，還有說是因為中國讀者熟悉的基辛格離職去了EMC的，而筆者發(fā)現最多而又最離譜的文章標題是《英特爾重組 為物色CEO接班人做準備》。
西方現代管理制度強調的是因事用人，而因人設事最為忌諱。事實上，英特爾自創(chuàng)始以來，從諾伊斯到摩爾再到貝瑞特直到現
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英特爾 CPU 存儲器 DRAM
- 三星電子(Samsung Electronics)2009年隨著新經營團隊上任，營運策略出現不少重大轉變，將影響存儲器產業(yè)生態(tài)，三星日前決定全面停止對臺銷售DRAM芯片，一律只銷售DRAM模塊。存儲器廠表示，三星策略明顯側重OEM市場，減少與現貨客戶合作，就連NAND Flash芯片供貨策略，亦同樣以消費性電子大廠為優(yōu)先，尤其近期PC廠對于DRAM模塊需求強勁，三星供應臺灣DRAM模塊數量大減，市場日前甚至喊出 1條DDR2模塊40美元天價。
存儲器業(yè)者指出，三星2009年在全球供貨策略出現許多
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Samsung DRAM NAND
- 臺灣創(chuàng)新內存公司(TMC)召集人宣明智28日再度前往“經濟部”，與新任“經濟部”長施顏祥見面，爭取TMC營運資金。據了解，TMC規(guī)劃，政府注資金額低于100億元(新臺幣，下同)，由于金額遠低于官方與業(yè)界原預期，一般認為TMC將可如愿獲得政府注資，正式邁入營運。
DRAM現貨價直逼2美元，DRAM廠即將邁入轉盈之際，TMC仍然積極運作。施顏祥先前擔任經濟部常務次長時，便負責協助TMC籌劃與溝通等重要工作，與宣明智互動密切。這是施顏祥就任“
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TMC DRAM
- 臺灣DRAM大廠南科宣布8億股現金增資計劃，預計籌措100億元以上資金，全數投入50納米制程，以及償還公司債，盡管DRAM現貨價格已站上每顆2美元，時間點來得比預期早，國內DRAM廠暫時度過最艱困的時刻，但三星半導體將在明年把40納米推升為生產線主力，成本大幅降低的優(yōu)勢，勢必更加顯著，臺廠與國外一線大廠的苦戰(zhàn)還是難免。
由于DDR2過渡至DDR3面臨產能轉換的瓶頸期，導致DDR3產能不足，進一步拉抬DDR2價格，原本內存模塊廠預測，今年第四季底，DDR2現貨價才有機會達到2美元，但根據集邦科技報
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南科 50納米 40納米 DRAM
- 據iSuppli 公司，雖然2009 年面向筆記本電腦的固態(tài)硬盤(SSD)銷售因為內存價格飛漲而受挫，但企業(yè)市場對彌補上述領域的疲軟表現是綽綽有余，從而推動今年整體SSD 市場的營業(yè)收入將增長六倍。
第二季度NAND 閃存的成本大幅上升，引起SSD 價格跳漲，使其與硬盤驅動器(HDD)相比缺乏競爭力，并影響其在筆記本電腦中的普及。 NAND 閃存是SSD 中的關鍵部分，約占其價值的90%。然而，對于尋求擴展功能和降低整體功耗的企業(yè)數據中心來說，SSD 仍然是一個具有吸引力的選擇。
由于企業(yè)
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NAND SSD PC
- DRAM大廠南亞科再度宣布籌資計畫，預計辦理8億股的現金增資，籌措資金新臺幣百億元，用途在于買3廠的機器設備和償還到期公司債，目前南亞科積極轉換制程到美光(Micron)68奈米制程，約有20~25%產能比重已轉換過去，10月目標是80%產能都轉到68奈米，為未來主力制程50 奈米做暖身，南亞科將挾持臺塑集團的銀彈和美光的技術，成為臺系DRAM廠聚焦之處。
南亞科在6月發(fā)行10億股的私募，當時由臺塑集團相關企業(yè)出面認購，募得資金約新臺幣122.2億元資金，南亞科24日再度宣布將辦理8億股的現金增
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南亞科 DRAM 晶圓
- 觸控式螢幕技術盡管在科技業(yè)已存在數年，但大部分時候皆沉寂發(fā)展，直到最近Apple Inc. (AAPL-US;蘋果)智慧型手機iPhone將這項功能發(fā)揮得淋漓盡致，令眾人側目，才又掀起業(yè)界對它的熱潮。
根據電子產業(yè)研究機構Gartner Inc.預估，至2012年觸控螢幕及觸控按鍵控制器產業(yè)的出貨量，將較目前激增44%達13億個單位。
機構分析師Amy Leong便指出，由于iPhone大成功，「造成電容式觸控(capacitive touch)螢幕在手機市場迅速成為主流?！?
盡管蘋
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Apple PC 觸控
- 英特爾本周二推出了一個軟件開發(fā)人員的平臺并且強調說它將努力提高其核心的、成熟的PC業(yè)務以外的消費電子市場和其它市場的收入。
分析師預測英特爾未來增長速度最快的業(yè)務將來自非PC領域。英特爾首席執(zhí)行官歐德寧本周二說，手機、軟件和所謂的“嵌入式”芯片可能是重要的業(yè)務。
Wedbush Morgan高級副總裁Patrick Wang說，投資者期待著兩位數的年銷售收入增長率，但是，這個增長速度在成熟市場和計算機價格不斷下降的時候是很難達到的。他說，如果英特爾嚴格地尋求在PC領
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英特爾 PC 消費電子
- 全球最大內存芯片制造商三星電子(Samsung Electronics)近日表示，盡管半導體業(yè)已由2年的低迷谷底重振，公司對前景仍抱持謹慎態(tài)度。
三星電子半導體部門總裁權五鉉(Kwon Oh-hyun)在中國臺灣臺北舉辦的移動解決方案年度論壇上表示，由于政府鼎力相助，此行業(yè)現發(fā)展情況優(yōu)于公司當初預期。然而他指出：“盡管如此，我們抱持的觀點仍偏向謹慎，預估歐美感恩節(jié)假期時，將是銷售情況的轉折點。”
感恩節(jié)假期在美國落在11月，加拿大則為10月。
權五鉉另表示，目
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Samsung 內存芯片 DRAM
- 北京時間9月23日消息 據國外媒體報道，英特爾CEO歐德寧周二表示，今年全球PC市場將迅速走出衰退并可能出現增長。他的這番話比很多分析師的預測要樂觀。市場調查公司IDC和Gartner都預測，今年PC出貨可能出現自2001年以來的首次下降。
由于企業(yè)支出疲軟，PC市場一直不振，一些電腦公司已經為明年的反彈做準備。雖然廉價的上網本銷售是個亮點，不過這種機器的利潤很低。歐德寧稱，鑒于電腦是人們生活中不可缺少的一部分，PC市場將反彈。他預計今年的PC銷售與去年持平或略高。Gartner預計今年PC出貨
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英特爾 PC
- “2009年一定會有一些閃存或者DRAM廠商倒閉，產業(yè)鏈進一步整合是必然趨勢，而剩下的閃存或DRAM廠商要想生存，就必需盡快尋找到自己的重生之道。”8月11日，全球最大的NOR閃存廠商Spansion(飛索)公司企業(yè)營銷總監(jiān)John Nation抵京，他帶來了Spansion最新的第二季度財務狀況，以及公司為脫離破產保護而進行的戰(zhàn)略調整。
Spansion是全球最大的NOR型閃存制造商，也是全球最大一家專門出品閃存的企業(yè)。
今年3月1日，Spansion公司宣布，根
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Spansion DRAM NOR
- 分析師指出，資本支出創(chuàng)下歷史新低使IC市場供應收緊，價格可能隨之上漲，但可能會發(fā)生其他不可預料的結果。
IC Insights總裁Bill McClean稱，今年半導體資本支出在銷售額中所占的比例降至12%，創(chuàng)歷史新低。芯片商在經歷了嚴重衰退后，對資本投入依然比較謹慎。
“我們還不知道資本支出比例12%意味著什么。”McClean說道，“我們從來沒有遇到過這種情況。”
資本支出比例在2008年為16%，2004年至2007年均在20%至
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NAND DRAM
- 據外電報道，曉星集團表示了收購海力士半導體的意向。
海力士股份管理協商會主管機構的外換銀行表示，在受理海力士收購意向書(L01)截止的最后一天，只有一家企業(yè)提交了意向書。據了解，這家企業(yè)是曉星集團。
外換銀行本月7日向43家企業(yè)發(fā)出了出售通知。該43家企業(yè)包括：公平交易委員會指定的企業(yè)集團當中，去年資產總額達到5萬億韓元以上的29家企業(yè);在2007年和2008年均受到相互出資限制的企業(yè)集團中，資產總額達2萬億韓元以上的14家企業(yè)。
當初估計，國內至少會有4、5家企業(yè)會對收購海力士有興
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海力士 DRAM 存儲芯片
- 據報道，三星芯片部總裁Oh-Hyun Kwon近日在臺北舉行的三星年度移動解決方案論壇上表示，三星正在提高DDR3芯片產量，以緩解目前市場上DDR3芯片供應短缺現狀。
Oh-Hyun Kwon指出，DDR3芯片的需求增長量超過了先前的預計，導致了DDR3供應短缺。不過三星目前已經加大了DDR3芯片生產量，以滿足市場的增長需求，40nm工藝將成為他們明年芯片生產的主要處理技術。
Oh-Hyun Kwon認為，提高產量的方法并不只是多建幾家工廠，技術升級將是三星以后提高芯片產量的主要途徑。
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三星 40nm DRAM DDR3
- Rambus公司以往的新聞幾乎都與XDR DRAM的官司有關，不過這次他們則和金士頓合作開發(fā)出了一種可用于增大DDR3內存帶寬的技術“線程式內存條技術”(Threaded memory module)。這種技術基于現有的DDR3技術，不過將內存條上的內存芯片進行了分塊處理，位于各個分塊內部的芯片共享一個命令/地址端口，不過數據傳 輸部分則可通過各自獨立的傳輸通道進行傳輸，傳輸的位寬可達64字節(jié)(512bit)，這樣就可以將傳統DDR3內存的帶寬提升50%左右，而且采用這種 技術
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Rambus DRAM DDR3
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