qlc nand 文章 進入qlc nand技術社區(qū)
NAND Flash供不應求,第三季品牌商營收大幅季成長19.6%
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)最新調查顯示,受惠于智能手機需求強勁,及供給端2D-NAND 轉進3D-NAND 所導致的整體產(chǎn)出減少,第三季NAND Flash開始漲價,使得NAND Flash原廠營收季成長19.6%,營業(yè)利益率也較上季大幅進步。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,第四季各項終端設備出貨進入今年最高峰,預估整體NAND Flash供不應求的市況將更為顯著,各項NAND Flash產(chǎn)品的合約價漲幅將更高,廠商的營收
- 關鍵字: NAND Flash 英特爾
GNU ARM匯編--(十九)u-boot-nand-spl啟動過程分析
- 在理解bootloader后,花些時間重新學習了開源軟件的makefile和相關腳本之后,自己的u-boot移植工作也比較順利的完成了:移植
- 關鍵字: ARM匯編u-boot-nand-spl啟動過
大陸存儲器需求進展超預期 東芝經(jīng)營壓力暫時松口氣
- 日本存儲器大廠東芝(Toshiba)主要的獲利支柱的智能手機存儲器因市場需求大,帶動價格上揚,2016上半會計年度(4~9月)的財報也因而受惠,表現(xiàn)亮眼。 東芝財務長平田政善在11日東芝財報記者會上說明,由于大陸智能手機對于大容量存儲器需求殷切,東芝NAND Flash事業(yè)獲利超出預期。 平田表示,在當今智能手機大打硬件規(guī)格戰(zhàn),競爭激烈的情況下,大陸本土手機業(yè)者推出的手機較當初預期更早進入64GB、128GB階段,是東芝始料未及的趨勢。根據(jù)日經(jīng)調查,目前市況單一標準規(guī)格存儲器約3美元,價格
- 關鍵字: 東芝 NAND
SK海力士本月底將量產(chǎn)48層3D NAND Flash
- 據(jù)韓國經(jīng)濟報導,傳聞SK海力士(SK Hynix)先前測試生產(chǎn)的48層3D NAND Flash產(chǎn)品已通過客戶端認證,最快將從11月底正式啟動量產(chǎn);以12吋晶圓計算的月產(chǎn)能可望提高到2萬~3萬片,3D NAND Flash的生產(chǎn)比重也將提高至整體NAND Flash的15%。 業(yè)界除了三星電子(Samsung Electronics)已從2015年第4季起開始量產(chǎn)48層產(chǎn)品之外,其他如東芝(Toshiba)、美光(Micron)等,目前都尚未突破技術瓶頸,SK海力士將是第二家進入量產(chǎn)的業(yè)者。
- 關鍵字: SK海力士 NAND
中國半導體市場暢旺 東芝再次上調 2016 上半年獲利預估
- 根據(jù)彭博社的報導,受惠于于儲存晶片以及硬碟業(yè)務的營收成長,加上撙節(jié)計畫的奏效,日本最大半導體生產(chǎn)公司東芝 (Toshiba) 于 31 日將公司 2016 上半年度(4 月到 9 月)的預期營業(yè)利益上調 36%,來到 950 億日圓 (約新臺幣 285.83 億元 ),似乎已經(jīng)完全走出過去因作假帳所造成的經(jīng)營低潮期。 根據(jù)報導,東芝在聲明中表示,除了上調 2016 年上半年的預期營業(yè)利益之外,還同時微幅上調了上半年的預期營收,從 2.55 兆日圓上調至 2.58 兆日圓。根據(jù)彭博社的統(tǒng)計資料顯示
- 關鍵字: 東芝 NAND
技術革新日新月異:3D NAND及PCIe NVMe SSD晉升巿場主流
- 慧榮科技全新主控解決方案為新生代SSD產(chǎn)品開發(fā)設計保駕護航 以相同的成本,卻能達到倍增的容量,各家內(nèi)存大廠對3D NAND創(chuàng)新技術的強力投入,預告了2017年將成為3D NAND固態(tài)硬盤(SSD)爆發(fā)成長的起點。加上Intel制定的Non-Volatile Memory Express(NVMe;非揮發(fā)性內(nèi)存高速規(guī)格)超高傳輸接口的普及登場。容量更大、價格更低、壽命更長、速度更快,新世代SSD產(chǎn)品的卓越價格性能比,預期將大幅拉近與傳統(tǒng)硬盤市場的規(guī)模差距,兩種儲存裝置已逐漸接近黃金交叉點,高速大容
- 關鍵字: NAND SSD
FAT文件系統(tǒng)在NAND Flash存儲器上的改進設計
- 嵌入式系統(tǒng)的大量數(shù)據(jù)都存儲在其F1ash芯片上。根據(jù)Flash器件的固有特性,構建一個適合管理NAND Flash存儲器的FAT文件系統(tǒng),并闡述具體的設計思想。
- 關鍵字: Flash NAND FAT 文件系統(tǒng)
關于NAND閃存顆粒 你必須知道這些事兒
- 隨著近段時間以來,固態(tài)硬盤、內(nèi)存條甚至優(yōu)盤等存儲設備的大幅度一致性漲價,影響著存儲設備漲價的背后關鍵性元件閃存顆粒,開始浮出水面,被越來越多的業(yè)內(nèi)人士,反復解讀。 那么,在價格上起著關鍵性因素的閃存顆粒到底是什么?閃存顆粒和存儲設備的價格上漲又有什么關系?2D NAND和3D NAND閃存顆粒之間又有哪些區(qū)別?下面,我們一起來聊聊NAND閃存顆粒這些年。 閃存顆粒的釋義及廠商 閃存顆粒,又稱閃存,是一種非易失性存儲器,即在斷電的情況下依舊可以保存已經(jīng)寫入的數(shù)據(jù),而且是以固定的區(qū)塊為單
- 關鍵字: NAND 存儲器
2017年中國將推自主生產(chǎn)3D NAND閃存,32層堆棧
- 摘要:由于智能手機、SSD市場需求強烈,閃存、內(nèi)存等存儲芯片最近都在漲價,這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機遇。在中國發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中,存儲芯片是最優(yōu)先的,也是全國各地都爭著上馬的項目,其中國家級的存儲芯片基地在武漢,投資超過240億美元,之前是新芯科技主導,現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導,預計2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存,而且是32層堆棧的,起點不算低。 2015年中,國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市,由武漢新芯科技公司負責建設,今年3月份12寸晶圓廠正式動工,整個項目預
- 關鍵字: SSD 3D NAND
qlc nand介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條qlc nand!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對qlc nand的理解,并與今后在此搜索qlc nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對qlc nand的理解,并與今后在此搜索qlc nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473