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qlc nand 文章 進(jìn)入qlc nand技術(shù)社區(qū)
美光移動(dòng)裝置3D NAND解決方案 瞄準(zhǔn)中高階手機(jī)市場(chǎng)
- 美光(Micron)3D NAND固態(tài)硬碟(SSD)產(chǎn)品方才正式面市,緊接又宣布將推出首款針對(duì)移動(dòng)裝置最佳化的3D NAND產(chǎn)品,這也是美光首款支援通用快閃儲(chǔ)存(Universal Flash Storage;UFS)標(biāo)準(zhǔn)之產(chǎn)品。 美光移動(dòng)事業(yè)行銷副總Gino Skulick在接受EE Times專訪表示,美光為移動(dòng)裝置所推出的首款3D NAND為32GB產(chǎn)品,鎖定中、高階智能型手機(jī)市場(chǎng),此區(qū)塊市場(chǎng)占全球智能型手機(jī)總數(shù)的50%。 而這也是業(yè)界首款采用浮動(dòng)閘極(Floating Gate)技
- 關(guān)鍵字: 美光 3D NAND
機(jī)器學(xué)習(xí)或能為延長(zhǎng)NAND壽命提供解決方案
- NAND在今日儲(chǔ)存市場(chǎng)中占有一席之地,而為了延長(zhǎng)NAND的使用壽命,近來有研究提出,透過機(jī)器學(xué)習(xí)(Machine Learning)的應(yīng)用,可讓NAND的儲(chǔ)存容量、耐久性以及資料保存達(dá)到最佳化。 InformationWeek網(wǎng)站報(bào)導(dǎo),近期數(shù)位資料儲(chǔ)存顧問機(jī)構(gòu)Coughlin Associates于快閃存儲(chǔ)器高峰會(huì)(Flash Memory Summit)揭露了一篇論文指出,NAND因重覆讀寫而使儲(chǔ)存單元劣化、致使耐用度降低的情況,將可望因機(jī)器學(xué)習(xí)的應(yīng)用而改善,使其生命周期延長(zhǎng)。 一般來說
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中國(guó)NAND閃存市場(chǎng)占全球1/3
- 相對(duì)于舊式 HDD 硬盤的式微,NAND 閃存及 SSD 固態(tài)硬盤的發(fā)展就成了儲(chǔ)存市場(chǎng)的潮流風(fēng)向。不論是在移動(dòng)設(shè)備、個(gè)人電腦、或是數(shù)據(jù)中心等市場(chǎng)上都在快速成長(zhǎng)。而目前因?yàn)橹袊?guó)已經(jīng)成為 NAND 閃存的最大市場(chǎng),而 SSD 固態(tài)硬盤也是成長(zhǎng)最快的市場(chǎng)。因此,也吸引了各家中國(guó)本土廠商的競(jìng)相投入。 在NAND 閃存的市場(chǎng)部分,根據(jù) TrendForce 旗下的 DRAMeXchange 的最新研究報(bào)告顯示,中國(guó)市場(chǎng)消耗的 NAND 閃存越來越多,2017 年將占到全球市占率的 30% ,而到了 202
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儲(chǔ)存技術(shù)不斷演進(jìn) NAND Flash僅是開端
- 在進(jìn)展緩慢的儲(chǔ)存技術(shù)世界里,NAND Flash的普及速度算是極快,幾乎每種儲(chǔ)存產(chǎn)品都有其足跡,最主要原因就是速度。據(jù)TechTarget報(bào)導(dǎo),NAND Flash剛推出時(shí)是市場(chǎng)上最昂貴的儲(chǔ)存裝置,后來供應(yīng)商發(fā)現(xiàn)只要加入相對(duì)小量的快閃存儲(chǔ)器,便可以大幅提升效能以快閃存儲(chǔ)器技術(shù)為基礎(chǔ)的儲(chǔ)存裝置也開始大受歡迎。 由美光(Micro)和英特爾(Intel)合作開發(fā)的3D XPoint技術(shù),以及IBM根據(jù)相變化存儲(chǔ)器(Phase Change Memory)修正后開發(fā)的新型態(tài)儲(chǔ)存裝置,在速度、耐用性和重
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Toppan Photomasks, Inc批準(zhǔn)在中國(guó)建設(shè)先進(jìn)光掩模生產(chǎn)線項(xiàng)目
- 全球業(yè)界首選光掩模合作伙伴Toppan Photomasks, Inc. (TPI)今天宣布批準(zhǔn)對(duì)近期擴(kuò)建的中國(guó)上海廠的下一階段投資計(jì)劃;該廠由TPI獨(dú)資子公司Toppan Photomasks Company Limited, Shanghai (TPCS) 運(yùn)營(yíng)。TPI將對(duì)此工廠再投資8000萬(wàn)美元以展現(xiàn)其對(duì)中國(guó)快速成長(zhǎng)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)及客戶之長(zhǎng)期承諾。TPI先前已投資2000萬(wàn)美元擴(kuò)建上海二廠(TPCS Shanghai II);該廠現(xiàn)已量產(chǎn)并且為中國(guó)唯一提供全方位技術(shù)及產(chǎn)品的商業(yè)光掩模廠。
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美光科技推出適用于下一代智能手機(jī)的移動(dòng) 3D NAND 解決方案
- 美光科技有限公司今日推出了首項(xiàng)適用于移動(dòng)設(shè)備的 3D NAND 存儲(chǔ)技術(shù),并推出了基于通用閃存存儲(chǔ) (UFS) 2.1 標(biāo)準(zhǔn)的首批產(chǎn)品。美光的首項(xiàng)移動(dòng) 3D NAND 32GB 解決方案主要面向中高端智能手機(jī)細(xì)分市場(chǎng),這一細(xì)分市場(chǎng)大約占據(jù)全球智能手機(jī)總量的 50%[1]。隨著移動(dòng)設(shè)備替代個(gè)人電腦成為消費(fèi)者的主要計(jì)算設(shè)備,用戶行為對(duì)設(shè)備的移動(dòng)內(nèi)存和存儲(chǔ)要求產(chǎn)生了極大影響。美光的移動(dòng) 3D NAND 解決了這些問題,實(shí)現(xiàn)了無與倫比的用戶體驗(yàn),包括流暢傳輸高分辨率視頻、更高的游戲帶寬、更快的啟動(dòng)時(shí)間、更好的
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鎂光:3D閃存芯片能讓手機(jī)擁有更多內(nèi)存容量
- 近日在加州圣克拉拉舉行的閃存峰會(huì)(Flash Memory Summit)上,鎂光公布了他們的首款 3D NAND 閃存芯片。這種閃存芯片在不改變尺寸的情況下能提供更多的儲(chǔ)存空間。據(jù) PCWorld 報(bào)道,鎂光這款 3D 閃存芯片的容量為 32GB,其目標(biāo)市場(chǎng)為中高端的智能手機(jī)。該產(chǎn)品基于新的 UFS 2.1 標(biāo)準(zhǔn),市面上的智能手機(jī)均未使用這種理論上更快的儲(chǔ)存協(xié)議。 鎂光認(rèn)為智能手機(jī)對(duì)內(nèi)存容量的需求越來越高,虛擬現(xiàn)實(shí)應(yīng)用和流媒體都將占用大量的儲(chǔ)存空間。他們表示,在幾年
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面對(duì)大陸攻勢(shì) 三星海力士強(qiáng)化3D NAND投資
- 據(jù)韓國(guó)經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo),大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在政府的強(qiáng)力支援下,清華紫光與武漢新芯采行攻擊性投資策略,迫使南韓、日本、美國(guó)等主要半導(dǎo)體業(yè)者也紛紛強(qiáng)化投資。 市調(diào)業(yè)者DRAM eXchange表示,全球半導(dǎo)體市場(chǎng)中,NAND Flash事業(yè)從2011~2016年以年均復(fù)合成長(zhǎng)率(CARG)47%的速度成長(zhǎng);清華紫光以新成立的長(zhǎng)江存儲(chǔ)進(jìn)行武漢新芯的股權(quán)收購(gòu),成立長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司,未來可能引發(fā)NAND Flash市場(chǎng)版圖變化。 清華紫光擁有清華大學(xué)的人脈,在社會(huì)上擁有一定的影響力,武漢新芯擁有技術(shù)方面
- 關(guān)鍵字: 三星 3D NAND
三星年底前量產(chǎn)64層3D NAND
- 上周東芝及WD(西部數(shù)據(jù))宣布,已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程,并將于2017年上半年開始量產(chǎn),不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星。外電報(bào)道,三星將搶先于今年底前開始量產(chǎn)64層3D NAND,三星表示,目標(biāo)是今年生產(chǎn)4G V-NAND,可能意即為64層3D NAND。 SSD(固態(tài)硬盤)近年來制程技術(shù)演進(jìn),成本價(jià)格逐漸逼近硬盤(Hard disk),因此滲透率大增,各大廠陸續(xù)將生產(chǎn)DRAM產(chǎn)能逐漸轉(zhuǎn)向NAND Flash(儲(chǔ)存型快閃記憶體),大搶市占率,除了比市
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東芝超車失?。喝悄甑浊傲慨a(chǎn)64層3D NAND
- 上周東芝及WD(西部數(shù)據(jù))宣布,已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程,并將于2017年上半年開始量產(chǎn),不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星。外電報(bào)道,三星將搶先于今年底前開始量產(chǎn)64層3D NAND,三星表示,目標(biāo)是今年生產(chǎn)4G V-NAND,可能意即為64層3D NAND。 SSD(固態(tài)硬盤)近年來制程技術(shù)演進(jìn),成本價(jià)格逐漸逼近硬盤(Hard disk),因此滲透率大增,各大廠陸續(xù)將生產(chǎn)DRAM產(chǎn)能逐漸轉(zhuǎn)向NAND Flash(儲(chǔ)存型快閃記憶體),大搶市占率,除了比市
- 關(guān)鍵字: 東芝 NAND
陶氏發(fā)表OPTIPLANE 先進(jìn)半導(dǎo)體制造化學(xué)機(jī)械研磨液(CMP)平臺(tái)
- 陶氏電子材料是陶氏化學(xué)公司的一個(gè)事業(yè)部,本日推出 OPTIPLANE™ 化學(xué)機(jī)械研磨液 (CMP) 平臺(tái)。OPTIPLANE 研磨液系列的開發(fā)是為了滿足客戶對(duì)先進(jìn)半導(dǎo)體研磨液的需求:能以有競(jìng)爭(zhēng)力的成本,符合減少缺陷的要求和更嚴(yán)格的規(guī)格,適合用來製造新一代先進(jìn)半導(dǎo)體裝置。 全球 CMP 消耗品市場(chǎng)持續(xù)成長(zhǎng),部分的成長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)力來自新的 3D 邏輯、NAND 快閃記憶體和封裝應(yīng)用,這些均要求大幅提高的平坦化效果和最低程度的缺陷率,以符合無數(shù)先進(jìn)電子裝置的性能需求。 「生產(chǎn)先進(jìn)半導(dǎo)體晶圓
- 關(guān)鍵字: 陶氏 NAND
qlc nand介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條qlc nand!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)qlc nand的理解,并與今后在此搜索qlc nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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