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分析師：NAND第三季可望擺脫供過于求

  • 　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查報告顯示，受到新款智慧型手機上市以及 2015年度蘋果(Apple)新款iPhone即將開始拉貨的影響，NAND Flash市況將逐漸增溫，預估在第三季擺脫供過于求，轉(zhuǎn)為供需較為平衡的格局。 　　從供給面來觀察，雖然各家NAND Flash廠商陸續(xù)宣布3D-NAND Flash的量產(chǎn)時程，但嵌入式產(chǎn)品應用仍須考量控制晶片的搭配，與各種系統(tǒng)端搭配的相容性問題，DRAMeXchange預估2015年3D-NAND Flash的產(chǎn)出比
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研調(diào)：NAND Flash需求漸加溫，估Q3擺脫供過于求

  • 　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查報告顯示，受到新款智慧型手機上市以及今(2015)年度蘋果新款iPhone即將開始拉貨的影響，NAND Flash市況將逐漸增溫，預估在第三季將擺脫供過于求，轉(zhuǎn)為供需較為平衡的格局。 　　從供給面觀察，雖然各家NAND Flash廠商陸續(xù)宣布3D -NAND Flash的量產(chǎn)時程，但嵌入式產(chǎn)品應用仍須考量控制晶片的搭配，與各種系統(tǒng)端搭配的相容性問題，DRAMeXchange預估，2015年3D-NAND Flash的產(chǎn)出比重將僅
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2016年3D V-NAND市場擴大10倍　三星拉大與后起業(yè)者差距

  • 　　在存儲器芯片市場上，垂直堆疊結(jié)構(gòu)的3D V-NAND Flash比重正迅速擴大，全球企業(yè)間的競爭也將漸趨激烈。 　　據(jù)韓國MT News報導，2016年前3D V-NAND市場規(guī)模預估將擴大10倍，而除目前獨占市場的三星電子(Samsung Electronics)外，也將有更多半導體廠加速生產(chǎn)V-NAND。三星獨大V-NAND市場，為拉大與后起業(yè)者的差距，生產(chǎn)產(chǎn)品將從目前的32層堆疊結(jié)構(gòu)，增加到48層。 　　外電引用市調(diào)機構(gòu)IHS iSuppli資料指出，以NAND Flash的技術(shù)分類，V-N
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3D NAND/TLC Flash添力　SSD加速觸及價格甜蜜點

  • 　　固態(tài)硬碟(SSD)致命弱點--價格將有顯著突破。日、韓快閃記憶體(Flash)大廠及慧榮、群聯(lián)等SSD控制器廠，正力拱新一代兼顧容量及成本的3D NAND Flash和三層式儲存(TLC)記憶體解決方案，并將于2015～2016年逐漸放量，協(xié)助SSD廠商開發(fā)價格媲美傳統(tǒng)硬碟的產(chǎn)品，驅(qū)動SSD在筆電、工控、企業(yè)端及消費性儲存市場出貨量翻揚。 　　慧榮科技產(chǎn)品企畫處副總經(jīng)理段喜亭表示，今年SSD總出貨量將較去年成長一倍以上，主要因素在于SSD開發(fā)商擴大導入低成本的3D NAND和TLC Flash，讓終
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存儲器價格波動大　業(yè)界穩(wěn)定機制受關(guān)注

  • 　　在經(jīng)歷多次市場價格的大起大落后，全球存儲器芯片產(chǎn)業(yè)終于在近年來邁向整合，使得定價漸趨穩(wěn)定。不過，近來存儲器大廠新帝(SanDisk)接連2季下修預測數(shù)據(jù)，并歸因于快閃存儲器的價格下滑，引發(fā)外界質(zhì)疑新興的穩(wěn)定機制是否為曇花一現(xiàn)的假象，又或現(xiàn)狀僅是個別公司所遭遇的瓶頸。 　　據(jù)Barron's Asia報導指出，眼下雖然存儲器芯片價格有所衰退，但許多專家仍對整體產(chǎn)業(yè)抱持樂觀態(tài)度，認為與2014年積弱不振的表現(xiàn)相比，快閃存儲器的市場供需平衡現(xiàn)已漸入佳境，多數(shù)問題的發(fā)生恐是因公司而異，并非普遍的業(yè)界趨勢。
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3D NAND/TLC Flash添力　SSD加速觸及價格甜蜜點

  • 　　固態(tài)硬碟(SSD)致命弱點--價格將有顯著突破。日、韓快閃記憶體(Flash)大廠及慧榮、群聯(lián)等SSD控制器廠，正力拱新一代兼顧容量及成本的3D NAND Flash和三層式儲存(TLC)記憶體解決方案，并將于2015～2016年逐漸放量，協(xié)助SSD廠商開發(fā)價格媲美傳統(tǒng)硬碟的產(chǎn)品，驅(qū)動SSD在筆電、工控、企業(yè)端及消費性儲存市場出貨量翻揚。 　　慧榮科技產(chǎn)品企畫處副總經(jīng)理段喜亭表示，今年SSD總出貨量將較去年成長一倍以上，主要因素在于SSD開發(fā)商擴大導入低成本的3D NAND和TLC Flash，讓終
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NAND flash市占，三星美光增、東芝獨垂淚！

  • 　　2014年NAND flash銷售數(shù)據(jù)出爐，IHS報告稱，前四大業(yè)者中，三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)銷售皆有成長，唯有二哥東芝(Toshiba)疑似因為產(chǎn)品出包遭蘋果召回，市占和業(yè)績雙雙下滑。 　　BusinessKorea報導，IHS 13日報告稱，三星電子穩(wěn)居NAND flash老大，去年銷售年增4%至90.84億美元，市占率成長0.1%至36.5%。二哥東芝去年市占率由34.3%減至31.8%，銷售也大減將近3億美元。
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Stifel：3D NAND技術(shù)看起來很美好 但成本會持續(xù)多年居高不下

  • 　　近年來，固態(tài)硬盤似乎已經(jīng)成為了計算機的標配。而隨著SSD的普及，人們對于速度和容量的渴求也在迅速膨脹。為了能夠在單顆閃存芯片上塞下更大的存儲空間，制造商們正在想著3D NAND技術(shù)前進。與傳統(tǒng)的平面式(2D)設計相比，垂直(3D)堆疊能夠帶來更顯著的容量提升。但是最近，一家名為Stifel的市場研究公司卻發(fā)現(xiàn)：為了實現(xiàn)這一點，制造商們正在砸下大筆投資，而這種成本壓力卻無法在多年的生產(chǎn)和銷售后減退多少。 　　 ? 　　影響利潤的一個主要原因是，3D NAND芯片的生產(chǎn)，比以往要復雜得
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閃存容量突破性進展！

  • 　　英特爾公司和鎂光科技股份有限公司于近日宣布推出可以造就全球最高密度閃存的3D NAND技術(shù)。 　　這一全新3D NAND技術(shù)由英特爾與鎂光聯(lián)合開發(fā)而成，垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲單元，具備卓越的精度。基于該技術(shù)，可打造出存儲容量比同類NAND技術(shù)高達三倍的存儲設備。該技術(shù)可支持在更小的空間內(nèi)容納更高存儲容量，進而帶來很大的成本節(jié)約、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面滿足眾多消費類移動設備和要求最嚴苛的企業(yè)部署的需求。 　　   　　當前，平面結(jié)構(gòu)的 NAND 閃存已接近其實際擴展極限
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閃存容量突破性進展！

  • 　　英特爾公司和鎂光科技股份有限公司于近日宣布推出可以造就全球最高密度閃存的3D NAND技術(shù)。 　　這一全新3D NAND技術(shù)由英特爾與鎂光聯(lián)合開發(fā)而成，垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲單元，具備卓越的精度。基于該技術(shù)，可打造出存儲容量比同類NAND技術(shù)高達三倍的存儲設備。該技術(shù)可支持在更小的空間內(nèi)容納更高存儲容量，進而帶來很大的成本節(jié)約、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面滿足眾多消費類移動設備和要求最嚴苛的企業(yè)部署的需求。 　　 ? 　　當前，平面結(jié)構(gòu)的 NAND 閃存已接近其實際擴展極限
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東芝擴大符合e ?MMC5.1版標準的嵌入式NAND閃存產(chǎn)品陣容

  • 　　東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布推出符合JEDEC(電子元件工業(yè)聯(lián)合會) e?MMC? 版 5.1[1]標準、支持“command queuing”和“secure write protection”的嵌入式NAND閃存產(chǎn)品。新產(chǎn)品集成了采用15nm工藝技術(shù)制造的NAND芯片，廣泛適用于各類數(shù)字消費產(chǎn)品，包括智能手機、平板電腦和可穿戴設備。16GB和64GB產(chǎn)品樣品即日起出貨，32G
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東芝：智社會 人為本，我做到了

  • 　　雖然東芝的宣傳口號是“智社會 人為本，以科技應人之求”，但2015慕尼黑上海電子展上，仔細觀看東芝強大產(chǎn)品陣容之后，我倒更愿意用“半導體技術(shù)溫暖你的心”來形容它。因為東芝的很多設計確實很貼心，真的可以讓生活更加方便快捷。 　　東芝電子亞洲有限公司副董事長野村尚司說，中國市場大體上有兩種產(chǎn)品需求，一是以量價為中心的產(chǎn)品，另一種是以提高附加值為中心的產(chǎn)品。東芝有非常寬廣的產(chǎn)品線來滿足以上兩種市場的需求。 　　 東芝展位 　　存儲產(chǎn)品解決方案 　　東
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閃迪發(fā)布48層3D NAND閃存有望在2015年下半年投入試生產(chǎn)

  • 　　全球領(lǐng)先的閃存存儲解決方案供應商閃迪公司近日宣布成功開發(fā)出48層第二代3D NAND閃存(亦稱為BiCS2)。 計劃于2015年下半年在位于日本四日市的合資工廠內(nèi)投入試生產(chǎn)，于2016年進行規(guī)模化商業(yè)生產(chǎn)。 　　閃迪存儲技術(shù)部執(zhí)行副總裁Siva Sivaram博士表示：“我們非常高興能夠發(fā)布第二代3D NAND，它是一種48層架構(gòu)，與我們的合作伙伴Toshiba共同研發(fā)。 我們以第一代3D NAND技術(shù)為基礎(chǔ)，完成了商業(yè)化的第二代3D NAND的開發(fā);我們相信，它將為我們的客戶提供讓人贊
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TLC產(chǎn)品今年將接近NAND整體產(chǎn)出之五成

  • 　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 表示，隨著 TLC 產(chǎn)品的主流應用開始從記憶卡與隨身碟產(chǎn)品往 eMMC / eMCP 與 SSD 等OEM儲存裝置移動，加上 NAND Flash 業(yè)者陸續(xù)推出完整的TLC儲存解決方案，預估今年TLC產(chǎn)出比重將持續(xù)攀升，將在第四季接近整體 NAND Flash 產(chǎn)出的一半。 　　DRAMeXchange 研究協(xié)理楊文得表示，由于成本較具優(yōu)勢，過去TLC廣泛應用在記憶卡與隨身碟等外插式產(chǎn)品中。三星(Samsung)從2013年起積極將
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性價比優(yōu)勢更明顯　TLC NAND應用版圖急擴張

  • 　　三星(Samsung)、美光(Micron)等NAND Flash記憶體制造商制程技術(shù)突破，加上控制晶片與錯誤修正韌體效能大幅精進，使得三層式儲存(TLC)NAND記憶體性價比較過去大幅提高，因而激勵消費性固態(tài)硬碟制造商擴大采用比例。 　　三層式儲存(TLC) NAND快閃記憶體市場滲透率將大幅增加。NAND快閃記憶體成本隨著制程演進而持續(xù)下滑，各種終端應用如固態(tài)硬碟(SSD)與嵌入式多媒體卡(eMMC)等需求則持續(xù)成長。 　　在單層式儲存(SLC)、多層式儲存(MLC)及TLC三種形式的NAND
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