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三星2015年內(nèi)量產(chǎn)48層V NAND　已著手研發(fā)64層產(chǎn)品

  • 　　三星電子(Samsung Electronics) 為與其他尚無法生產(chǎn)V NAND的競爭業(yè)者將技術(shù)差距拉大到2年以上，并在次世代存儲器芯片市場上維持獨(dú)大地位，計(jì)劃在2015年內(nèi)量產(chǎn)堆疊48層Cell的3D垂直結(jié)構(gòu)NAND Flash。 　　據(jù)首爾經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo)，三星近來已完成48層結(jié)構(gòu)的V NAND研發(fā)，并著手研發(fā)后續(xù)產(chǎn)品64層結(jié)構(gòu)V NAND。48層V NAND將于2015年內(nèi)開始量產(chǎn)。原本韓國業(yè)界推測三星會在2015年下半完成48層V NAND，并在2016年才投入量產(chǎn)，然三星大幅提前了生產(chǎn)日程。
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高交會上東芝引領(lǐng)閃存技術(shù)走向

  • 　　全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange的數(shù)據(jù)表明，東芝2014年會計(jì)年度第二季(7月~9月)的NAND Flash營運(yùn)表現(xiàn)最亮眼，位出貨量季成長25%以上，營收較上季度成長23.7%。 　　東芝電子(中國)有限公司董事長兼總經(jīng)理田中基仁在日前的2014年高交會電子展上也透露，2014年東芝在中國的閃存生意非常好，在高交會電子展上展示的存儲技術(shù)和產(chǎn)品也是很有分量的，從MLC、MMC到SLC，都可以看到最新的產(chǎn)品，并且東芝的技術(shù)動向，也在引領(lǐng)未來閃存的發(fā)展趨勢。
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Spansion面向嵌入式市場推出新型工業(yè)級e.MMC NAND閃存產(chǎn)品

  • 　　不久前，Spansion宣布面向嵌入式系統(tǒng)的全新工業(yè)級e.MMC產(chǎn)品系列。眾所周知，Spansion于2012年推出了立足嵌入式應(yīng)用的SLC NAND產(chǎn)品。至此，我們?yōu)镾LC NAND解決方案發(fā)展了一個強(qiáng)大的客戶群，而且我們還發(fā)現(xiàn)，這些客戶對嵌入式集中規(guī)模存儲解決方案的需求也越來越大。對于那些不僅僅是要購買一款“現(xiàn)成”產(chǎn)品的嵌入式客戶而言，Spansion全新的e.MMC系列產(chǎn)品是一個完美的選擇。 　　   　　作為Spansion第一款管理型NAND產(chǎn)品系
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海力士前高層加入慧榮　SSD大戰(zhàn)鳴槍

  • 　　固態(tài)硬碟(SSD)戰(zhàn)火正熱，持續(xù)成為2015年產(chǎn)業(yè)焦點(diǎn)，NAND Flash控制芯片業(yè)者為了布局上游半導(dǎo)體大廠，使出渾身解數(shù)綁樁，傳出慧榮將延攬前SK海力士(SK Hynix)的Solution Development Division資深副總Gi Hyun Bae擔(dān)任公司高層。 　　慧榮一向和SK海力士合作緊密，雙方合作內(nèi)嵌式存儲器eMMC業(yè)務(wù)外，有機(jī)會延伸至SSD產(chǎn)品線上，2015年更是關(guān)鍵年，慧榮內(nèi)部極度重視SSD產(chǎn)品線，立下通吃NAND Flash大廠和存儲器模組兩大族群的目標(biāo)，看好公司營運(yùn)
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NAND閃存將被RRAM顛覆？存儲器市場暗潮涌動

  • 　　NAND閃存已經(jīng)成為固態(tài)存儲的霸主，不過它也存在諸多問題，尤其是壽命隨著工藝的先進(jìn)化而不斷縮短，TLC格式也引發(fā)了諸多質(zhì)疑，因此研發(fā)一種可取而代之的新式非易失性存儲技術(shù)勢在必行。 　　從FRAM到相變式存儲器，新選手不斷涌現(xiàn)，但目前還未能挑戰(zhàn)NAND的地位。直到最近，名為電阻式RAM的新貴出現(xiàn)了，它最被看好，三星、閃迪等巨頭都在投入，不過，走在最前列的是一家美國創(chuàng)業(yè)公司Crossbar。 　　RRAM相較于NAND最大的優(yōu)勢就是更好的性能、壽命。NAND的讀取延遲一般在幾百微妙級別，Crossba
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DRAM樂觀 NAND有隱憂

  • 　　記憶體市況今年將不同調(diào);動態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)市場可望維持穩(wěn)定獲利，儲存型快閃記憶體(NAND Flash)市場則有隱憂。 　　DRAM市場步入由三星(Samsung)、海力士(Hynix)及美光(Micron)三強(qiáng)鼎立的寡占局面，各DRAM廠去年不僅全面獲利，并且是豐收的一年。 　　臺塑集團(tuán)旗下DRAM廠南亞科去年可望首度賺進(jìn)超過1個股本;美光與南亞科合資的華亞科去年獲利也可望突破新臺幣400億元，將創(chuàng)歷史新高紀(jì)錄。 　　NAND Flash市場競爭、變化相對激烈，且難以預(yù)料;去年下半
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東芝擴(kuò)充海外內(nèi)存芯片廠，會是中國嗎

  • 　　據(jù)國外媒體報(bào)道，東芝首席執(zhí)行官田中久雄(Hisao Tanaka)周五表示，公司將在始于明年4月份的下一財(cái)年決定在何處新建一座內(nèi)存芯片工廠，并且在選擇建廠地址時會考慮海外地區(qū)。 　　東芝在不到4個月前在四日市新開了一座NAND閃存芯片加工廠，田中久雄在接受采訪時稱，需求超過了產(chǎn)能，公司必須擴(kuò)大產(chǎn)能。NAND閃存芯片主要被用于智能手機(jī)和其他電子產(chǎn)品。 　　田中久雄稱：“三星已經(jīng)在中國西安市建廠，海力士也在中國建了一座生產(chǎn)廠。”當(dāng)被問及中國是否會是海外建廠的最佳地區(qū)時，他補(bǔ)充說
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中國“援軍”幫助東芝追趕三星

  • 智能手機(jī)全球迅速普及、終端記憶體的大容量化、大數(shù)據(jù)時代到來等，都將大幅增加對NAND型記憶卡的需求。
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慧榮科技推出業(yè)界首款車載IVI級單封裝SSD解決方案

  • 　　在設(shè)計(jì)及推廣用于固態(tài)存儲設(shè)備的NAND閃存控制器方面處于全球領(lǐng)導(dǎo)地位的慧榮科技(Silicon Motion Technology Corporation)近日宣布推出其專為車載信息娛樂(IVI)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的汽車級PATA及SATA FerriSSD解決方案。 　　FerriSSD解決方案旨在代替以往被廣泛應(yīng)用在車載IVI系統(tǒng)等嵌入式應(yīng)用中的SATA及PATA硬盤驅(qū)動器。由于集成了NAND閃存及慧榮科技業(yè)界領(lǐng)先的控制器并采用小尺寸BGA封裝，F(xiàn)erriSSD解決方案與傳統(tǒng)的硬盤驅(qū)動器相比不僅運(yùn)行速度更
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NAND閃存窮途末路 下一代閃存技術(shù)百花齊放

  • 　　由于閃存技術(shù)的發(fā)展，閃存正從U盤、MP3走向電腦、存儲陣列等更廣泛的領(lǐng)域。雖然其速度較以往的機(jī)械硬盤有了較大幅度的提升，但縱觀整個計(jì)算架構(gòu)，閃存仍舊是計(jì)算系統(tǒng)中比較慢的部分。況且目前主流的MLC和TLC在寫入壽命上都還不盡如人意，并且隨著工藝水平的提升，其壽命和良率還有越來越糟的傾向。閃存生產(chǎn)線已經(jīng)達(dá)到15nm的水平，存儲密度難在攀升、壽命卻大幅下降。所以業(yè)界各個巨頭都在積極研究下一代非易失性存儲技術(shù)。 　　日前，鎂光在IEEE IEDM 2014(國際電子設(shè)備大會)上就公布了其最新的可變電阻式存儲
  • 關(guān)鍵字： NAND  MLC  TLC  

研調(diào)：12月上旬NAND Flash合約價跌幅2%內(nèi)

  • 　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究顯示，美系廠商在第三季季底財(cái)報(bào)結(jié)算壓力過后，不再采取積極價格戰(zhàn)，使得原廠間戰(zhàn)火稍緩。另一方面，因模組廠預(yù)期此波價格跌勢將持續(xù)，再加上手中庫存仍充足下，大多傾向12月月底再進(jìn)行采購談判，以爭取更優(yōu)惠的價格。因此，12月上旬因交易氣氛冷清，NAND Flash合約價呈持平或僅微幅下跌0-2%。 　　DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋表示，在歐美圣誕節(jié)備貨動能正式結(jié)束后，受到季節(jié)性因素影響，預(yù)期明(2015)年第一季全球智慧型手機(jī)
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三星半導(dǎo)體設(shè)備投資傳明年微幅加碼，擬加蓋 NAND 廠

  • 　　韓國時報(bào)(Korea Times)15 日報(bào)導(dǎo)，三星電子明年將投資半導(dǎo)體設(shè)備 13.5 兆韓圜，或相當(dāng)于 120 億美元，稍高于今年的 13 兆韓圜。 　　全球記憶體晶片市場目前由三星、SK 海力士與美光所把持，三大廠市占率合計(jì)來到 93%。知情人士消息指出，三星并不打算大幅增加設(shè)備資本支出的主要考量是明年策略將放在維持價格穩(wěn)定與市場供需平衡。 　　據(jù)報(bào)導(dǎo)，三星看準(zhǔn)儲存型快閃記憶體(NAND Flash)的市場需求有望增加，因此考慮明年在大陸西安開設(shè)新廠房。除此之外，有鑒于 DRAM 的需求平穩(wěn)，
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東芝NAND Flash漲勢迅猛 TransferJet高效近場傳輸技術(shù)加速市場化

  • 　　2014年NAND Flash市場在便攜式電子新品持續(xù)、快速更新的帶動下表現(xiàn)出價格穩(wěn)定、需求強(qiáng)勁的發(fā)展態(tài)勢。尤其在下半年蘋果iPhone6/6Plus新機(jī)上市備貨需求強(qiáng)勁與OEM業(yè)者進(jìn)入出貨旺季的帶動下，新制程的嵌入式產(chǎn)品自第三季起成為市場主流，三星、東芝這些存儲行業(yè)大牌的表現(xiàn)尤為出色。據(jù)市場調(diào)研機(jī)構(gòu)TrendForce最新報(bào)告，2014年第三季度東芝NAND Flash產(chǎn)品營收環(huán)比大增23.7%，穩(wěn)居世界前二位，其中15nm新制程的產(chǎn)出比重持續(xù)增加。 　　在今年的高交會上，記者也對東芝新制程的存儲
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無NAND之地：閃存無法占領(lǐng)數(shù)據(jù)中心？

  • 　　NAND會不會徹底占據(jù)數(shù)據(jù)中心？答案是不會。截至2018年的磁盤與SSD出貨容量預(yù)測顯示，磁盤的發(fā)展速度將一路高于閃存方案。SSD整體出貨容量與磁盤間的差距正逐步拉大。原因可能是先天的。NAND幾何尺寸的每一次縮減都會給制造流程帶來巨大的成本壓力、并要求供應(yīng)商利用更多配套解決方案保持現(xiàn)有使用壽命——具體而言，在每天寫滿一次的條件下正常工作五年才是最基本的可接受水平。
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NAND吃緊！花旗：三星、hTC將學(xué)蘋果加大智能機(jī)容量

  • 　　Investor.com 3日報(bào)導(dǎo)，花旗發(fā)表研究報(bào)告指出，三星電子、宏達(dá)電 (2498)等智慧型手機(jī)制造商有望跟隨蘋果 ( Apple Inc. )的腳步增加手機(jī)的儲存容量，這會提高市場對SanDisk產(chǎn)品的需求。 　　費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)成分股SanDisk 3日聞訊上漲2.02%、收103.36美元;該檔個股在11月總計(jì)勁揚(yáng)了9.9%、年初迄今大漲46.53%。SanDisk 11月26日收盤(104.26美元)甫創(chuàng)7月16日以來收盤新高。 　　根據(jù)報(bào)告，花旗分析師Joe Yoo將SanDisk的投
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