qlc nand 文章 進入qlc nand技術(shù)社區(qū)
EMC:新技術(shù)沖擊導(dǎo)致傳統(tǒng)業(yè)務(wù)節(jié)節(jié)敗退
- 由EMC公司發(fā)布的一份圖表顯示,傳統(tǒng)SAN驅(qū)動器陣列銷售衰退的趨勢已然出現(xiàn),與此同時超融合型、軟件定義以及全閃存陣列存儲業(yè)務(wù)則及時趕上,填補了這部分市場空間。 William Blair公司分析師Jason Ader在本月十號出席了EMC戰(zhàn)略論壇大會,并以郵件的形式向客戶發(fā)布了此次會議的內(nèi)容總結(jié)。 EMC公司的管理層引用了一部分IDC研究公司的調(diào)查數(shù)據(jù),其中顯示從2014年到2018年外部存儲系統(tǒng)市場的復(fù)合年均營收(目前為260億美元)將實現(xiàn)3%增幅。在此期間,“傳統(tǒng)獨立混合系
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大陸手機市場驚人Mobile DRAM消費量陡升
- 中國大陸智能型手機的高成長,使得內(nèi)存等零組件的消耗激增。這也使得南韓的內(nèi)存供應(yīng)商不管是從零組件競爭還是手機整機的競爭上都倍感壓力。
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3D NAND堆疊競爭鳴槍 SK海力士、東芝苦追三星
- 為提升NAND Flash性能而將Cell垂直堆疊的3D堆疊技術(shù)競爭逐漸升溫。目前三星電子(Samsung Electronics)已具備生產(chǎn)系統(tǒng)獨大市場,SK海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)、美光(Micron)等半導(dǎo)體大廠也正加速展開相關(guān)技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)作業(yè)。 據(jù)ET News報導(dǎo),NAND Flash的2D平面微細制程,因Cell間易發(fā)生訊號干擾現(xiàn)象等問題,已進入瓶頸。主要半導(dǎo)體大廠轉(zhuǎn)而致力確保將Cell垂直堆疊的3D技術(shù)。半導(dǎo)體業(yè)界的技術(shù)競爭焦點從制程微細化,轉(zhuǎn)變?yōu)榇怪倍?/li>
- 關(guān)鍵字: NAND 三星
美光開放日:引領(lǐng)互聯(lián)世界存儲潮流
- 近日,美光科技在上海舉行以“存儲及其發(fā)展如何幫助實現(xiàn)未來互聯(lián)世界”為主題的“美光開放日”活動。美光科技高層與業(yè)內(nèi)專家、學(xué)者和媒體共同分享公司在該領(lǐng)域的見解和創(chuàng)新解決方案,探討和展望未來行業(yè)發(fā)展趨勢。 美光科技作為僅有的兩家能夠提供提供全存儲類型解決方案的廠商,占據(jù)整個存儲器22%以上的市場份額,穩(wěn)居第二位。如今美光科技面向網(wǎng)絡(luò)建設(shè)、機器對機器、移動設(shè)備、云和大數(shù)據(jù)五大應(yīng)用領(lǐng)域,提供全球最廣泛的存儲產(chǎn)品組合,包括:DRAM芯片和存儲條、固態(tài)硬盤、NA
- 關(guān)鍵字: 美光 存儲器 NAND 201503
美光與希捷宣布成立策略聯(lián)盟
- 希捷科技(Seagate Technology)與美光科技(Micron Technology, Inc.)宣布簽署策略性協(xié)議,設(shè)立一結(jié)合兩家公司創(chuàng)新與專業(yè)技術(shù)之架構(gòu)。在此協(xié)議的架構(gòu)基礎(chǔ)上,雙方客戶能夠同時受益于領(lǐng)先業(yè)界的儲存解決方案,進而更快速且有效率地實現(xiàn)創(chuàng)新。 盡管在合作初期,美光與希捷將著重于下個世代的 SAS 固態(tài)硬碟(SSD)與策略性 NAND 型快閃記憶體的供貨,但是雙方皆預(yù)期這項長達數(shù)年的結(jié)盟協(xié)議在未來將有機會發(fā)展更多合作,甚至推出采用美光 NAND 型快閃記憶體的企業(yè)級儲存解決
- 關(guān)鍵字: 美光 希捷 NAND
半導(dǎo)體市場今年迎向高規(guī)格之爭
- 2015年由行動裝置帶動的高規(guī)格半導(dǎo)體之爭蓄勢待發(fā);行動應(yīng)用處理器、LPDDR4、UFS(Universal Flash Storage;UFS)、三階儲存單元(Triple Level Cell;TLC)等新一代半導(dǎo)體需求增加,被視為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長新動能。 據(jù)韓媒亞洲經(jīng)濟的報導(dǎo),智慧型手機的功能高度發(fā)展,讓核心零組件如應(yīng)用處理器(Application Processor;AP)、LPDDR4、UFS、TLC等下一代半導(dǎo)體的需求日漸增加。首先是AP從32位元進化到64位元,可望讓多工與資料處理
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 NAND Flash LPDDR4
NAND閃存下一步指向3D架構(gòu)14納米
- 存儲是電子產(chǎn)品中最重要的部分之一,它與數(shù)據(jù)相伴而生,哪里有數(shù)據(jù),哪里就會需要存儲芯片。近年來,存儲芯片行業(yè)熱點話題不斷:3D NAND的生產(chǎn)制造進展情況如何?LPDDR4在市場上的應(yīng)用進程是怎樣的?移動產(chǎn)品中eMCP將成為主流封裝形式嗎?存儲技術(shù)發(fā)展的路徑或許會爭論不休,但是整體方面卻不會改變,那就是更大的容量、更高的密度、更快的存儲速度、更加節(jié)能以及更低的成本。 2015年手機存儲市場 著眼用戶體驗提升 目前業(yè)界對于2015年中國智能手機市場走勢的預(yù)測很多,總的觀點是增長率放緩。當(dāng)
- 關(guān)鍵字: NAND 14納米
2014年Q4品牌NAND供應(yīng)商營收僅成長2%
- 根據(jù)市場研究機構(gòu) TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新報告, 2014年第四季 NAND Flash 市況雖依舊維持健康水準(zhǔn),但在三星電子(Samsung)、東芝(Toshiba)與晟碟(SanDisk)各自面臨價格與產(chǎn)銷端的壓力影響營收、及第三 季呈現(xiàn)微幅衰退的情況下,品牌供應(yīng)商營收僅較第三季成長2%至87.5億美元。 DRAMeXchange 研究協(xié)理楊文得表示,因需求端面臨淡季效應(yīng),2015年第一季整體市況將轉(zhuǎn)為供過于求,在價格滑落幅度轉(zhuǎn)趨明顯的情況下
- 關(guān)鍵字: NAND 英特爾 三星
淡季影響銷售,NAND Flash 供應(yīng)商 Q1 將供過于求
- 根據(jù) TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新報告顯示,第四季 NAND Flash 市況雖依舊維持健康水準(zhǔn),但在三星電子、東芝與晟碟各自面臨價格與產(chǎn)銷端的壓力影響營收、及第三季呈現(xiàn)微幅衰退的情況下,品牌供應(yīng)商營收僅較第三季成長 2% 至 87.5 億美元。DRAMeXchange 研究協(xié)理楊文得表示,因需求端面臨淡季效應(yīng),2015 年第一季整體市況將轉(zhuǎn)為供過于求,在價格滑落幅度轉(zhuǎn)趨明顯的情況下,業(yè)者將藉由加速先進制程的轉(zhuǎn)進,改善成本架構(gòu),以減低價格跌幅的沖擊。
- 關(guān)鍵字: NAND Flash 三星 東芝
國際大廠找Mobile RAM貨源 敲開與臺廠合作大門
- 存儲器廠持續(xù)在eMCP(eMMC結(jié)合MCP封裝)領(lǐng)域擴大進擊,繼東芝(Toshiba)與南亞科洽談策略聯(lián)盟,新帝(SanDisk)亦傳出首度來臺尋找移動式存儲器Mobile RAM合作伙伴,考慮與南亞科簽定長約或包下產(chǎn)能,顯示國際存儲器大廠亟欲尋找Mobile RAM貨源,并敲開與臺廠合作大門。 半導(dǎo)體業(yè)者透露,在三星電子和SK海力士主導(dǎo)下,智能型手機內(nèi)建存儲器規(guī)格從eMMC轉(zhuǎn)為eMCP,原本NAND Flash芯片外加關(guān)鍵零組件Mobile RAM芯片,2015年東芝??新帝陣營將展開大反撲。
- 關(guān)鍵字: NAND Flash Mobile RAM
NAND Flash價格續(xù)滑 難擺脫供給過剩困境
- 由于MLC(Multi-Level Cell)NAND Flash供應(yīng)量持續(xù)增加,造成價格連續(xù)兩個月下滑,業(yè)界預(yù)期若三星電子(Samsung Electronics)等業(yè)者提高TLC(Triple-Level Cell)NAND Flash生產(chǎn)比重,后續(xù)MLC產(chǎn)品價格下滑情況恐將更明顯。 根據(jù)韓媒DigitalTimes報導(dǎo),由于USB、硬碟與記憶卡市場進入淡季,加上庫存堆積,導(dǎo)致NAND Flash價格走滑,市場供給過剩情況恐持續(xù)到農(nóng)歷春節(jié)。業(yè)界認為目前NAND Flash下滑走勢雖大部分是受
- 關(guān)鍵字: NAND Flash 三星
無線應(yīng)用成2015半導(dǎo)體市場最大增長動力
- 2015年全球半導(dǎo)體行業(yè)收入預(yù)計將達3580億美元,較2014年增長5.4%,但仍然低于之前5.8%的增長預(yù)期。 半導(dǎo)體市場的增長動力包括智能手機專用標(biāo)準(zhǔn)電路ASSP,以及超移動PC和固態(tài)硬盤中使用的DRAM和NAND閃存芯片。 “由于DRAM恢復(fù)傳統(tǒng)的降價方式,而整個行業(yè)需要消耗假期的過多庫存,因此2015年的半導(dǎo)體收入增長可能較2014年的7.9%有所放緩。”業(yè)內(nèi)人士認為,“由于供應(yīng)短缺,DRAM價格在2014年基本保持堅挺,使之成為2014年增速最
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群聯(lián)砸3.8億 入股宇瞻
- 儲存型快閃記憶體(NAND Flash)控制晶片大廠群聯(lián)(8299)昨(19)日宣布,參與記憶體模組廠宇瞻私募,將以每股25.38元、總金額3億8,070萬元,取得宇瞻9.9%股權(quán),成為宇瞻最大法人股東,雙方將攜手沖刺工控應(yīng)用固態(tài)硬碟(SSD)市場。 群聯(lián)昨股價上漲2.5元,收在214.5元;宇瞻下跌0.25元,以31.4元作收。 群聯(lián)斥資約3.8億元,取得宇瞻9.9%股權(quán),成為最大法人股東。圖為群聯(lián)董事長潘健成。 本報系資料庫 分享 上述私募價格是采依過去30個交易日均價31
- 關(guān)鍵字: 群聯(lián) 宇瞻 NAND Flash
半導(dǎo)體事業(yè)關(guān)鍵時刻 救了三星的面子與里子
- 三星電子(Samsung Electronics)日前發(fā)布2014年第4季暫定財報,營收止跌回升為52兆韓元(約478.8億美元),其中半導(dǎo)體事業(yè)暨裝置解決方案(DS)事業(yè)部貢獻達一半以上,可說是最大功臣。 據(jù)韓媒ChosunBiz報導(dǎo),三星電子在1月8日發(fā)布2014年第4季暫定財報,業(yè)績終于跌回升,營收為52兆韓元,營業(yè)利益達5.2兆韓元。 韓國KDB大宇證券推估,三星電子DS部門第4季貢獻營業(yè)利益約2.9兆韓元,比IT暨移動通訊(IM)事業(yè)部高出1兆韓元左右。第3季DS部門營業(yè)利益(2
- 關(guān)鍵字: 蘋果 DRAM NAND Flash
Gartner:蓬勃的DRAM市場為內(nèi)存制造商帶來增長
- Gartner發(fā)布初步統(tǒng)計結(jié)果,2014年全球半導(dǎo)體總營收為3398億美元,與2013年的3150億美元相比增長7.9%。前25大半導(dǎo)體廠商合并營收增長率為11.7%,優(yōu)于該產(chǎn)業(yè)整體表現(xiàn)。前25大廠商占整體市場營收的72.1%,比2013年的69.7%更高。 Gartner研究副總裁Andrew Norwood表示:“就群體來看,DRAM廠商的表現(xiàn)勝過半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)其他廠商。這股趨勢始于2013年DRAM市場因供給減少及價格回穩(wěn)雙重因素而蓬勃發(fā)展并持續(xù)至今,2014年營收也因而增長31.
- 關(guān)鍵字: Gartner DRAM NAND
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對qlc nand的理解,并與今后在此搜索qlc nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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