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qlc nand 文章 進(jìn)入qlc nand技術(shù)社區(qū)
OEM需求拉貨動(dòng)能增溫,第三季NAND Flash品牌營(yíng)收季增12.2%
- 第三季NAND Flash市況在蘋果iPhone6/6Plus新機(jī)上市備貨需求強(qiáng)勁與OEM業(yè)者進(jìn)入出貨旺季的帶動(dòng)下,eMMC/eMCP與SSD的成長(zhǎng)力道均高于上半年,NAND Flash價(jià)格表現(xiàn)也相對(duì)穩(wěn)健,使得第三季NAND Flash品牌供貨商營(yíng)收較上季增加12.2%至85.8億美元。TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?,新制程的嵌入式產(chǎn)品自第三季起成為市場(chǎng)主流,有助于各家業(yè)者成本結(jié)構(gòu)的改善,而隨著蘋果第四季iPhone表現(xiàn)持續(xù)亮眼以及新產(chǎn)品的問(wèn)世,整體N
- 關(guān)鍵字: NAND Flash SSD iPhone6
LED產(chǎn)業(yè)推動(dòng)中國(guó)半導(dǎo)體時(shí)代的來(lái)臨
- 過(guò)去媒體與業(yè)界常講最尖端、先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)不會(huì)到中國(guó)投資,某些國(guó)家的政府對(duì)于輸出特定半導(dǎo)體技術(shù)到中國(guó)投資都有設(shè)定限制,因此過(guò)去國(guó)際半導(dǎo)體廠在中國(guó)投資半導(dǎo)體相關(guān)事業(yè),以芯片封裝測(cè)試廠、8 寸以下晶圓廠為主。不過(guò),這個(gè)局面在中國(guó)市場(chǎng)打開(kāi),中國(guó)政府近期又積極招商,宣示要花大筆人民幣來(lái)買技術(shù)、買設(shè)備與外資合作建立中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新局后,有了重大改變。 英特爾才剛于 2014 年 9 月 26 日和中國(guó)手機(jī)芯片廠展訊聯(lián)合宣布,以 15 億美元入股紫光集團(tuán),持股占比約為 20%。而前身是 AMD 快閃內(nèi)存事
- 關(guān)鍵字: AMD Spansion NAND
中芯國(guó)際推出自主研發(fā)的38納米NAND閃存工藝制程
- 中芯國(guó)際集成電路制造有限公司今日宣布38納米 NAND 閃存工藝制程已準(zhǔn)備就緒,中芯國(guó)際憑此成為唯一一家可為客戶生產(chǎn) NAND 產(chǎn)品的代工廠。該工藝平臺(tái)完全由中芯國(guó)際自主研發(fā),可滿足特殊存儲(chǔ)器無(wú)晶圓廠客戶對(duì)高質(zhì)量、低密度 NAND 閃存持續(xù)增長(zhǎng)的需求,使中芯國(guó)際占據(jù)該領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。 NAND 閃存是近年來(lái)發(fā)展最為迅速的非易失性存儲(chǔ)(NVM)產(chǎn)品。38納米 NAND 閃存主要面向嵌入式產(chǎn)品、移動(dòng)計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、電視及機(jī)頂盒等多種大需求量的特殊應(yīng)用領(lǐng)域??蛻粢部衫么思夹g(shù)帶動(dòng)串行外設(shè)接
- 關(guān)鍵字: 中芯國(guó)際 NAND
iPhone 6推升智能手機(jī)NAND搭載容量
- TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新調(diào)查報(bào)告顯示,蘋果(Apple) 9月份推出大螢?zāi)怀叽绲?iPhone 6 / 6 Plus在全球熱銷,帶動(dòng) 2014全年 iPhone 銷售量提升至1.88支,年成長(zhǎng)率高達(dá)22%,成功扭轉(zhuǎn)過(guò)去一年來(lái)iPhone趨緩的銷售動(dòng)能,重新站穩(wěn)高階智慧型手機(jī)領(lǐng)導(dǎo)廠商的地位;值得注意的是,蘋果這次的改變除了將螢?zāi)怀叽鐝囊恢眻?jiān)守的4寸,向上突破至4.7與5.5寸,在儲(chǔ)存容量與價(jià)格上也開(kāi)始展現(xiàn)更積極的策略。 DRAMeXchange
- 關(guān)鍵字: 智能手機(jī) NAND
新蘋效應(yīng) NAND下月涌急單
- 儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)控制晶片廠群聯(lián) (8299)董事長(zhǎng)潘健成表示,智慧手機(jī)市場(chǎng)本季需求不振,主要是受到市場(chǎng)上迷漫觀望氣氛影響,直到蘋果公布iPhone 6系列產(chǎn)品規(guī)格之后,其它手機(jī)品牌廠出現(xiàn)搶零組件熱潮。 他說(shuō),10月的急單火紅,第4季零組件拉貨力道優(yōu)于本季。 潘健成表示,先前消費(fèi)者期待iPhone 6上市,導(dǎo)致iPhone 5系列產(chǎn)品,自今年3月起就銷售不佳;其它品牌的Android系統(tǒng)也在第2季出現(xiàn)清庫(kù)存的情況,上游供應(yīng)商不敢備貨、通路商也不愿意拉貨囤積庫(kù)存
- 關(guān)鍵字: NAND 控制晶片
中芯國(guó)際進(jìn)軍閃存,自主研發(fā)38nm NAND來(lái)了
- 雖然規(guī)模和技術(shù)遠(yuǎn)遠(yuǎn)不如TSMC臺(tái)積電、UMC臺(tái)聯(lián)電等代工巨頭,不過(guò)中芯國(guó)際(SMIC)這兩年發(fā)展的還不錯(cuò),28nm工藝年初也正式量產(chǎn)了,還從TSMC手中搶到了部分高通處理器訂單,現(xiàn)在他們準(zhǔn)備進(jìn)軍新的市場(chǎng)領(lǐng)域了——向客戶推出38nm工藝的NAND閃存,而且是中芯國(guó)際自主研發(fā)的技術(shù)。 NAND閃存的重要性不必說(shuō),目前SSD固態(tài)硬盤以及消費(fèi)電子上所用的存儲(chǔ)器多數(shù)都是基于NAND閃存,目前全球主要的NAND產(chǎn)能都掌握在三星電子、東芝/閃迪、SK Hynix及Intel、美光合
- 關(guān)鍵字: 中芯國(guó)際 NAND
東芝在閃存峰會(huì)上展示最新NAND和存儲(chǔ)產(chǎn)品
- 東芝公司今天宣布,該公司在閃存峰會(huì)(Flash Memory Summit)上展示其最新的NAND閃存和存儲(chǔ)產(chǎn)品。閃存峰會(huì)是全球最大的閃存討論會(huì),于8月5至7日在美國(guó)加州圣塔克拉拉市的圣塔克拉拉會(huì)議中心(Santa Clara Convention Center)舉行。 閃存峰會(huì)的展覽環(huán)節(jié)在會(huì)議的最后兩天8月6日和7日舉行,東芝在504號(hào)展位布展。 主要展品 ??? 1、企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(eSSD): ??? 企業(yè)級(jí)讀密集型
- 關(guān)鍵字: 東芝 NAND 固態(tài)硬盤
匯聚中國(guó)移動(dòng)行業(yè)生態(tài)系統(tǒng)領(lǐng)導(dǎo)廠商 第二屆閃迪年度客戶研討會(huì)圓滿舉行
- 全球領(lǐng)先的閃存存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商閃迪公司今日宣布,來(lái)自移動(dòng)設(shè)備、平板電腦和消費(fèi)類電子產(chǎn)品行業(yè)生態(tài)系統(tǒng)的300多位領(lǐng)導(dǎo)廠商本周齊聚中國(guó)深圳,參加閃迪舉辦的第二屆年度“Future Proof Storage”研討會(huì)。本次活動(dòng)于8月26日舉行,囊括了中國(guó)及世界各地極具影響力的領(lǐng)先移動(dòng)科技公司(包括幾乎所有領(lǐng)先芯片組供應(yīng)商的代表),共同探討塑造移動(dòng)互聯(lián)市場(chǎng)的新技術(shù)、新應(yīng)用、新趨勢(shì)和閃存技術(shù)演進(jìn)。Future Proof Storage 研討會(huì)邀請(qǐng)了移動(dòng)行業(yè)中的十幾位領(lǐng)導(dǎo)者擔(dān)任演講嘉賓
- 關(guān)鍵字: 閃迪 智能手機(jī) NAND
終端需求多元化帶動(dòng)NAND Flash市場(chǎng)穩(wěn)健增長(zhǎng)
- TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示,由于智能手機(jī)、平板電腦等移動(dòng)裝置需求穩(wěn)健增長(zhǎng),固態(tài)硬盤在筆記本電腦以及服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心的需求增加,而物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用也將逐漸導(dǎo)入NANDFlash,2015年NANDFlash整體產(chǎn)業(yè)規(guī)模將提升至266億美元,年增長(zhǎng)9%。 DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆?014年NANDFlash需求位增長(zhǎng)率為36%,在更多元化的產(chǎn)品開(kāi)始導(dǎo)入NANDFlash的挹注下,2015年的需求位增長(zhǎng)率將依舊有35%。市場(chǎng)趨勢(shì)觀察的重
- 關(guān)鍵字: NAND Flash 穿戴性裝置
三星、東芝競(jìng)擴(kuò)產(chǎn)NAND Flash報(bào)價(jià)恐跌三成
- 全球NANDFlash(儲(chǔ)存型快閃記憶體)供給成長(zhǎng)持續(xù)大于需求,預(yù)估NANDFlash今年底報(bào)價(jià)將較去年跌掉三成,且跌勢(shì)恐將一直延續(xù)至2018年。 市調(diào)機(jī)構(gòu)IHSiSuppli最新報(bào)告預(yù)測(cè),NANDFlash今年底報(bào)價(jià)將跌至0.49美元每GB,遠(yuǎn)低于去年的0.71美元,預(yù)估2018年將進(jìn)一步跌至0.14美元,其間年復(fù)合成長(zhǎng)率為負(fù)的28%。 NANDFlash產(chǎn)出過(guò)多是導(dǎo)致價(jià)格崩跌的主因,若以1GB等量單位計(jì)算,IHSiSuppl估計(jì),2018年NANDFlash產(chǎn)出將自2013年的
- 關(guān)鍵字: 東芝 NAND
Spansion全新閃存設(shè)備不懼熱力來(lái)襲
- 并非所有的嵌入式應(yīng)用都“生而平等”。在設(shè)計(jì)者們繼續(xù)尋求途徑改善用戶體驗(yàn)和性能等方面的過(guò)程中,一個(gè)必須考慮的重要因素是嵌入式應(yīng)用的運(yùn)行環(huán)境。從北極地區(qū)冰冷刺骨的戶外天線,到美國(guó)德州油氣公司極度炙熱的井下鉆機(jī),嵌入式應(yīng)用所需支持的環(huán)境千差萬(wàn)別。嵌入式系統(tǒng)及其組件不僅須支持高溫環(huán)境下功能運(yùn)作,還必須保持其交流和直流參數(shù)以及其它規(guī)格要求。如果在極端溫度范圍內(nèi)無(wú)法滿足所有規(guī)格要求,必須做出得失權(quán)衡,就必須記錄下這一信息,并在設(shè)計(jì)過(guò)程中進(jìn)行共享。在汽車、消費(fèi)、工業(yè)、游戲、網(wǎng)絡(luò)或通信應(yīng)用中,
- 關(guān)鍵字: Spansion NAND FL1-K
Marvell推出最新一代SATA SSD控制器,憑借開(kāi)創(chuàng)性LDPC技術(shù)支持TLC NAND閃存
- 全球整合式芯片解決方案的領(lǐng)導(dǎo)廠商美滿電子科技(Marvell,納斯達(dá)克代碼:MRVL)今日宣布,推出革命性的第五代6Gb/s SATASSD控制器Marvell 88SS1074。這款業(yè)界領(lǐng)先的產(chǎn)品采用了Marvell第三代NANDEdge? 糾錯(cuò)、低密度奇偶校驗(yàn)(LDPC)技術(shù),使消費(fèi)類及企業(yè)級(jí)SSD便于采用15nm TLC NAND閃存。先進(jìn)的Marvell 88SS1074 SATA SSD控制器顯著降低了存儲(chǔ)系統(tǒng)的總體成本,功耗更低,并提供無(wú)與倫比的性能?! arvell公司總裁、聯(lián)合創(chuàng)始人
- 關(guān)鍵字: Marvell 控制器 NAND
半導(dǎo)體是電子工業(yè)發(fā)展的基石(下)
- 科研投資 日本資深專業(yè)人士泉谷涉還說(shuō):2012年日本國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)值約5萬(wàn)億日元,占GDP的5%,但它對(duì)應(yīng)用半導(dǎo)體的服務(wù)業(yè)、硬件業(yè)以及通過(guò)IT業(yè)以提高生產(chǎn)力的下游產(chǎn)業(yè)來(lái)計(jì)算,半導(dǎo)體產(chǎn)生的經(jīng)濟(jì)效益約為100萬(wàn)億日元 ,兩者之比達(dá)到1:20,如此給力,誰(shuí)不動(dòng)心?!但是,半導(dǎo)體業(yè)又一向被稱為“食金蟲(chóng)”產(chǎn)業(yè),沒(méi)有國(guó)家的大力支持,沒(méi)有生產(chǎn)設(shè)備和科研經(jīng)費(fèi)的巨大投入,那是美夢(mèng)難圓的。 半導(dǎo)體設(shè)備投資也是引導(dǎo)世界經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)的要素之一,它每年投資計(jì)劃的發(fā)表還常關(guān)聯(lián)到生產(chǎn)設(shè)備、材料公司的股
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 NAND IC 201405
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)qlc nand的理解,并與今后在此搜索qlc nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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