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ultrabook帶來新契機 NAND Flash需求9月或回溫

  • 　　根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門 DRAMeXchange 的調(diào)查，市場預期 NAND Flash 部份系統(tǒng)產(chǎn)品客戶為因應新產(chǎn)品上市庫存回補需求，9月份可望逐漸開始回溫。因此，8月下旬 NAND Flash 合約價格出大多呈現(xiàn)持平，但記憶卡及U盤(UFD)通路市場的需求仍然相對疲軟，所以128Gb TLC合約均價格仍然下跌5%。此外，部份供貨商已將部份32Gb MLC的產(chǎn)量轉為生產(chǎn)64Gb MLC，故32Gb MLC在市場供給減少下合約均價小漲約3%。
  • 關鍵字： ultrabook  NAND  

第二季度NAND閃存銷售額下降4.3%

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的閃存市場報告，由于一家大型廠商的銷售額下降，第二季度NAND閃存市場意外下滑。 　　根據(jù)最終數(shù)據(jù)，第二季度全球NAND銷售額為47億美元，比第一季度的49億美元下降4.3%。該市場降幅大于預期，主要是因為東芝第二季度銷售額銳減了21.4%至14億美元。東芝是全球第二大NAND生產(chǎn)商，僅次于韓國三星電子。
  • 關鍵字： IHS iSuppli  NAND  

第二季度NAND閃存銷售額下降4.3%

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的閃存市場報告，由于一家大型廠商的銷售額下降，第二季度NAND閃存市場意外下滑。 　　根據(jù)最終數(shù)據(jù)，第二季度全球NAND銷售額為47億美元，比第一季度的49億美元下降4.3%。該市場降幅大于預期，主要是因為東芝第二季度銷售額銳減了21.4%至14億美元。東芝是全球第二大NAND生產(chǎn)商，僅次于韓國三星電子。東芝銷售額大幅下降，拖累了整體市場，如表1所示。 　
  • 關鍵字： 三星  NAND  

出貨不如預期 閃存芯片價格小幅下跌

  • 　　受到諸多全球總體經(jīng)濟復蘇的不確定變數(shù)干擾，2011部份的NAND Flash終端應用產(chǎn)品出貨量將不如預期，及3Q11受過剩庫存去化影響而使傳統(tǒng)備貨旺季效應遞延等因素的綜合影響下，8月上旬NANDFlash芯片市場買氣依然疲弱，但某些系統(tǒng)客戶的OEM訂單需求相對于記憶卡及UFD通路市場需求仍相對地穩(wěn)定，因此，MLCNAND Flash芯片合約均價小跌約1-2%，而TLCNAND Flash芯片合約均價則下跌約4-7%。 　
  • 關鍵字： 閃存芯片  NAND  

下一代光刻技術延遲 NAND成長或趨緩

  • 　　在日前的一場閃存高峰會中，SanDisk公司的技術長Yoram Cedar指出，下一代光刻技術的延遲，將導致NAND閃存的成長趨緩。市場原先對閃存的展望都相當樂觀，但Cedar表示，由于超紫外光(EUV)光刻技術的延遲，閃存的成長可能需要再評估。 　
  • 關鍵字： SanDisk  NAND  

東芝芯片業(yè)務業(yè)績可能達不到預期

  • 　　全球第二大閃存制造商東芝公司(Toshiba Corp)周三警告說，由于PC市場不景氣，美國和歐洲等經(jīng)濟體持續(xù)動蕩以及日元強勢等原因，該公司芯片業(yè)務的利潤可能達不到預期。
  • 關鍵字： 東芝  芯片  NAND  

NAND Flash合約價續(xù)跌

  • 　　據(jù)韓國電子新聞報導，計算機用DRAM芯片價格快速下跌，NAND Flash合約價也從6月起出現(xiàn)陡峭跌幅，2個月內(nèi)出現(xiàn)2011年來最低價2美元紀錄。下半年則因智能型手機(Smartphone)與平板計算機 (Tablet PC)新品陸續(xù)問世，可望帶動NAND Flash價格回升。
  • 關鍵字： NAND  DRAM芯片  

存儲器產(chǎn)業(yè)群雄割據(jù)時代將再度來臨

  • 　　隨著存儲器容量越來越大，NANDFlash產(chǎn)業(yè)制程在進入20納米制程后，也開始遇到瓶頸，業(yè)界在未來制作更大容量存儲器上，面臨是否繼續(xù)發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術上些微領先最大競爭對手公司韓國三星電子(SamsungElectronics)，但短期內(nèi)該技術也將可能面臨瓶頸，因此如東芝(Toshiba)及爾必達(Elpida)等公司，均已決定投入3D存儲器的開發(fā)。
  • 關鍵字： 三星  存儲器  NAND  

納米制程遇瓶頸 業(yè)者紛紛投入3D存儲器的開發(fā)

  • 　　隨著存儲器容量越來越大，NAND Flash產(chǎn)業(yè)制程在進入20納米制程后，也開始遇到瓶頸，業(yè)界在未來制作更大容量存儲器上，面臨是否繼續(xù)發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術上些微領先最大競爭對手公司韓國三星電子(Samsung Electronics)，但短期內(nèi)該技術也將可能面臨瓶頸，因此如東芝(Toshiba)及爾必達(Elpida)等公司，均已決定投入3D存儲器的開發(fā)。 　
  • 關鍵字： 爾必達  NAND  

今年游戲主機NAND flash內(nèi)存密度提高40%

  • 　　內(nèi)存的成本高昂，今年 NAND 在家庭主機和手持設備上的密集度仍將提高 40% 以上，而這是游戲最主要的游戲環(huán)境。 　　今年家用游戲主機的 NAND 平均密度預計達 923MB，較去年的 649MB 提高 42.2%。今年手持游戲設備的 NAND 平均密度則預計自去年的 87MB 增長 41.4%，達 123MB。 　　
  • 關鍵字： Sony  NAND  

LSI推出CacheVault Flash高速緩存保護技術

  • 　　LSI公司日前宣布推出一款 MegaRAID CacheVault技術，用于為 LSI MegaRAID 6Gb/s SATA+SAS RAID 控制卡提供基于閃存的高速緩存保護功能。MegaRAID CacheVault 采用固態(tài) NAND 閃存，能夠在電源發(fā)生故障的時候自動將高速緩存中的數(shù)據(jù)轉移到閃存中，從而為存儲在 RAID 控制器緩存中的數(shù)據(jù)提供強大的保護。CacheVault 技術避免了采用鋰離子電池的麻煩，并可節(jié)約相關的硬件維護成本，從而實現(xiàn)更環(huán)保、總體成本更低的高速緩存保護解決方案。
  • 關鍵字： LSI  NAND  

2011年NAND閃存密度將增長40%以上

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的NAND閃存研究報告，盡管NAND閃存成本較高妨礙其進入游戲硬件，但2011年家庭游戲機與手持游戲機中的NAND密度將增長40%以上。 　　
  • 關鍵字： 索尼  NAND  

三星電子韓國新NAND廠預計9月投產(chǎn)

  • 　　三星電子一家新的存儲半導體制造廠將于9月投入運營。消息人士說，新廠編號為“Line-16”，主要生產(chǎn)NAND芯片。 　　2010年5月時，三星在韓國京畿道(Gyeonggi Province)華城(Hwaseong)破土動工，建立新的工廠。此前三星曾透露說，Line-16工廠月產(chǎn)20萬片12寸圓晶。
  • 關鍵字： 三星  NAND  

東芝和SanDisk日本建第3個NAND半導體工廠

  • 　　日前東芝和SanDisk在日本建立了第三家半導體工廠，以應對智能手機和平板電腦的快速發(fā)展而帶來的對閃存芯片的大量需求。該工廠主要生產(chǎn)300毫米晶片NAND半導體，工廠名稱為“Fab 5”。
  • 關鍵字： 東芝  NAND  

東芝與Sandisk共慶NAND閃存工廠Fab5正式投產(chǎn)

  • 　　東芝株式會社 與Sandisk公司日前共同慶祝位于日本三重縣四日市東芝生產(chǎn)基地的第三家300mm晶圓NAND生產(chǎn)工廠Fab 5正式投產(chǎn)。
  • 關鍵字： 東芝  NAND  
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