首頁　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> qlc nand

Gartner認(rèn)為SSD將在明年成為市場主流

  • 　　數(shù)年來固態(tài)硬盤正在變得越來越便宜和可靠，但相比大容量的硬盤而言，這種產(chǎn)品在容量和價格比上依然顯得有些奢侈，例如40GB的Intel SSD相當(dāng)于1TB的西部數(shù)據(jù)硬盤的價格。盡管如此，Gartner依然對SSD市場的前景十分看好，并認(rèn)為到2012年下半年，固態(tài)硬盤將成為市場的主流，并預(yù)期到時候的價格將會下降到每1美元1GB，這意味著主流的SSD價格將下調(diào)到100美元以下，例如64GB64美元，從而開始被大眾接受。
  • 關(guān)鍵字： NAND  SSD  

NAND FLASH在儲存測試系統(tǒng)中的應(yīng)用

  • 0 引言　　計算機(jī)技術(shù)的高速發(fā)展，存儲系統(tǒng)容量從過去的幾KB存儲空間，到現(xiàn)在的T8；乃至不久的將來要達(dá)到的PB存儲空間，其數(shù)據(jù)存取的能力在飛速擴(kuò)展。隨之而來產(chǎn)生的SCSI、FC、SAN、iSCSI、IPStorage和數(shù)據(jù)生命周期管
  • 關(guān)鍵字： FLASH  NAND  儲存  測試系統(tǒng)    

三星量產(chǎn)新型NAND閃存芯片

  • 　　5月13日消息，據(jù)國外媒體報道，全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周四稱，它已經(jīng)開始大批量生產(chǎn)新的NAND閃存芯片。這種閃存芯片傳送速度的速度比目前市場上的任何其它NAND閃存芯片都要快。 　　
  • 關(guān)鍵字： 三星  NAND  

NAND Flash大廠積極制程轉(zhuǎn)換

  • 　　2011年全球NAND Flash中，全球三星電子(Samsung Electronics)仍是位居全球NAND Flash市場龍頭，市占率高達(dá)36.2%，緊追在后的是東芝(Toshiba)，市占率達(dá)35.1%，兩者合計掌握70%以上NAND Flash市場;根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce最新統(tǒng)計，2011年第1季NAND Flash品牌供應(yīng)商的位元出貨量為13%，營收成長9.9%，達(dá)53.63億美元。 　　2011年第1季全球NAND Flash市場變化相當(dāng)多，最大影響當(dāng)屬日本311東北強(qiáng)震，對
  • 關(guān)鍵字： 三星電子  NAND  

三星與海力士提升NAND Flash芯片產(chǎn)量

  • 　　據(jù)了解，由于智能型手機(jī)(Smartphone)和平板計算機(jī)(Tablet PC)需求暴增，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產(chǎn)量。 　　
  • 關(guān)鍵字： 三星  NAND Flash  

三星、海力士擴(kuò)大NAND Flash投資

  • 　　由于智能型手機(jī)(Smartphone)和平板計算機(jī)(Tablet PC)需求暴增，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產(chǎn)量。 　　
  • 關(guān)鍵字： 三星  NAND  移動設(shè)備  

美光：未來NAND Flash不求市占率但求低成本

  • 　　由于智能型手機(jī)等行動裝置應(yīng)用驅(qū)動NANDFlash需求成長，加上日本強(qiáng)震造成東芝(Toshiba)5、6月NAND Flash供貨銳減50%，美光(Micron)看好NANDFlash產(chǎn)業(yè)將持續(xù)供不應(yīng)求，除與英特爾(Intel)合資新加坡廠取得多數(shù)股權(quán)和產(chǎn)能，未來不排除再擴(kuò)大NAND Flash產(chǎn)能，可行方案包括釋出代工權(quán)給華亞科生產(chǎn)，或是啟動新加坡二廠。美光指出，未來NAND Flash策略不追求市占第1，但要做到成本最低。 　　
  • 關(guān)鍵字： 美光  NAND  

4月上旬閃存芯片價格創(chuàng)7個月新高

  • 　　據(jù)韓國媒體報道，內(nèi)存調(diào)研公司集邦科技發(fā)布最新研究數(shù)據(jù)，今年四月上旬NAND閃存芯片價格創(chuàng)下了7個月以來的新高水平，一定程度上反映了繼上月日本地震海嘯災(zāi)害中斷相關(guān)供應(yīng)鏈后芯片價格的總體情況。 　
  • 關(guān)鍵字： 閃存  NAND  

東芝將量產(chǎn)19nm工藝64Gbit NAND

  • 　　東芝宣布其開發(fā)出了“全球首款”(該公司)采用19nm工藝的64Gbit NAND型閃存。將從2011年4月底開始樣品供貨，2011年第三季度(2011年7～9月)開始量產(chǎn)。此次開發(fā)的64Gbit NAND芯片是2bit/單元產(chǎn)品，還計劃推出3bit/單元產(chǎn)品和1bit/單元產(chǎn)品。不過，這些產(chǎn)品的上市時間目前“尚未確定”(東芝)。 　
  • 關(guān)鍵字： 東芝  NAND  

NAND Flash嵌入式存儲系統(tǒng)結(jié)構(gòu)分析

  • NAND Flash嵌入式存儲系統(tǒng)結(jié)構(gòu)分析,　本文是以Samsung的NAND Flash K9F2808U0C作為存儲芯片，設(shè)計了一種在NFTL上實現(xiàn)壞塊管理并且實現(xiàn)連續(xù)數(shù)據(jù)讀取的方法。
  • 關(guān)鍵字： 結(jié)構(gòu)  分析  系統(tǒng)  存儲  Flash  嵌入式  NAND  

東芝Sandisk搭檔組推出19nm制程N(yùn)AND閃存芯片

  • 　　上周，Intel和鎂光發(fā)表聯(lián)合聲明，正式推出采用20nm制程技術(shù)制造的NAND閃存芯片產(chǎn)品，并稱這款產(chǎn)品將于年內(nèi)在IMFT屬下的工廠開始生產(chǎn)。不過兩家的頭名板凳還沒有坐熱，本周Sandisk和東芝組成的搭檔組合便重新奪回了NAND閃存制程技術(shù)的寶座，他們宣稱已經(jīng)制造出了采用19nm制程技術(shù)的NAND閃存芯片，目前這兩家公司在日本設(shè)有一家合資芯片制造公司?！?/li>
  • 關(guān)鍵字： 東芝  NAND  

NAND閃存芯片價格創(chuàng)7個月來新高

  • 　　據(jù)國外媒體報道，據(jù)臺灣集邦科技 (dramexchange technology inc)周一發(fā)表的行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，NAND閃存芯片價格在4月份的上半個月創(chuàng)7個月的新高，反應(yīng)了在上個月日本發(fā)生嚴(yán)重的地震中斷了供應(yīng)鏈之后其它存儲芯片價格的情況。 　　
  • 關(guān)鍵字： NAND  閃存芯片  

IM Flash向客戶送樣最新20納米制程8GB NAND

  • 　　據(jù)華爾街日報(WSJ)報導(dǎo)指出，由英特爾(Intel)和美光(Micron)出資各半成立的快閃存儲器合資公司IM Flash，日前領(lǐng)先業(yè)界率先推出最新20納米制程快閃存儲器，這也使得智能型手機(jī)和平板計算機(jī)里的儲存裝置可以進(jìn)一步縮小。 　　
  • 關(guān)鍵字： Micron  NAND  

英特爾和美光IM 廠合約將盡

  • 　　英特爾(Intel)和美光(Micron)在2005年底攜手搶進(jìn)NAND Flash領(lǐng)域且成立合資公司IM Flash Technologies(IMFT)至今，傳出5年合約已屆期滿，將于近日宣布最新的合作方向;由于2010年底美光獨(dú)自啟動新加坡廠IM Flash Technologies Singapore(IMFS)的裝機(jī)和投資，英特爾并未表態(tài)加入，引發(fā)外界對雙方合作關(guān)系，以及英特爾是否持續(xù)投資NAND Flash領(lǐng)域的質(zhì)疑，預(yù)計雙方將對外宣布最新的合作動態(tài)?！　?/li>
  • 關(guān)鍵字： 英特爾  NAND  

Intel與鎂光將就NAND業(yè)務(wù)合作作重要宣布

  • 　　Intel與鎂光公司本周四將對NAND業(yè)務(wù)合作事宜作重要宣布，不過兩家公司并沒有透露這次宣布的詳細(xì)內(nèi)容是什么。據(jù)Web-Feet Research市調(diào)公司的CEO Alan Niebel分析：“我認(rèn)為他們這次可能會宣布終止雙方的合資公司IMFT在新加坡設(shè)立的閃存芯片廠項目上的合作。這間工廠目前正計劃開始投產(chǎn)25nm制 程N(yùn)AND閃存芯片，并隨后轉(zhuǎn)向20nm制程技術(shù)?！? 　　
  • 關(guān)鍵字： Intel  NAND  
共1133條 48/76 |‹ « 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 » ›|

qlc nand介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條qlc nand!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對qlc nand的理解，并與今后在此搜索qlc nand的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473